在晶圓代工龍頭臺(tái)積電日前的法說(shuō)會(huì)中，臺(tái)積電表示，目前7納米制程產(chǎn)能幾乎滿(mǎn)載，而且未來(lái)5納米制程也依照計(jì)劃順利進(jìn)展的情況下，看好未來(lái)因5G與AI商機(jī)所帶來(lái)的發(fā)展。

事實(shí)上，臺(tái)積電除了7納米與5納米的發(fā)展情況積極之外，更加先進(jìn)的3納米制程也同樣發(fā)展順利，而且已經(jīng)有相關(guān)的早期客戶(hù)參與其中，這將使得臺(tái)積電在先進(jìn)制程為持續(xù)維持領(lǐng)先的位置。

根據(jù)外媒《anandtech》的報(bào)導(dǎo)，由于3納米制程目前仍在研發(fā)中，使得其相較于5納米制程的優(yōu)勢(shì)與具體生產(chǎn)流程目前都尚未公布。不過(guò)，臺(tái)積電指出，目前的技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，而且已經(jīng)就電晶體各項(xiàng)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了評(píng)估，可以使得客戶(hù)在未來(lái)獲得最佳的方案，而且已經(jīng)有早期的客戶(hù)開(kāi)始接觸，甚至參與其中。

日前，在臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)上，總裁魏哲家就指出，希望3納米制程未來(lái)能進(jìn)一步延續(xù)及擴(kuò)展臺(tái)積電的領(lǐng)先地位。

目前臺(tái)積電主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星也宣布將在3納米制程上推出全新的GAA(Gate-All-Around)技術(shù)，號(hào)稱(chēng)能降低使用能耗、縮小面積，提高效能，并且預(yù)計(jì)在2021年正式量產(chǎn)。因?yàn)槿穷A(yù)定的量產(chǎn)時(shí)間幾乎與臺(tái)積電相同，這使得臺(tái)積電與三星的競(jìng)爭(zhēng)，將從當(dāng)前的7納米制程，延續(xù)到未來(lái)的3納米制程上。

而對(duì)于這樣的情況，臺(tái)積電先前也曾表示，從7納米到5納米，再到未來(lái)的3納米，臺(tái)積電在每一個(gè)節(jié)點(diǎn)是全節(jié)點(diǎn)的提升，不同于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手每一個(gè)節(jié)點(diǎn)都僅是部分性能的優(yōu)化而已，并非全節(jié)點(diǎn)的性能提升。因此，對(duì)于未來(lái)3納米制程上的競(jìng)爭(zhēng)，臺(tái)積電對(duì)于自己的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力仍是信心滿(mǎn)滿(mǎn)。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步表示，對(duì)于臺(tái)積電的3納米制程，目前可以確定的將是深紫外光(DUV)及極紫外光(EUV)兩種微影技術(shù)共同使用的情況。由于在5納米制程上臺(tái)積電使用了14個(gè)EUV層，預(yù)計(jì)未來(lái)3納米將采用數(shù)量更多。而因?yàn)榕_(tái)積電目前對(duì)于使用EUV狀況感到滿(mǎn)意的情況下，未來(lái)EUV技術(shù)仍未扮演其關(guān)鍵的角色。