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ST推出90nm技術(shù)STM32微控制器

時(shí)間：2010-03-12 19:00:17

關(guān)鍵字： STM32 微控制器 HZ 加速器

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[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體宣布取得兩項(xiàng)重大技術(shù)進(jìn)展，促使市場成功的STM32系列微控制器的性能和功耗獲得進(jìn)一步提升，這兩項(xiàng)進(jìn)展分別是：內(nèi)嵌90納米制程閃存的微控制器問世；推出業(yè)內(nèi)首款針對工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的ARM® Cortex™-M3內(nèi)

意法半導(dǎo)體宣布取得兩項(xiàng)重大技術(shù)進(jìn)展，促使市場成功的STM32系列微控制器的性能和功耗獲得進(jìn)一步提升，這兩項(xiàng)進(jìn)展分別是：內(nèi)嵌90納米制程閃存的微控制器問世；推出業(yè)內(nèi)首款針對工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的ARM® Cortex™-M3內(nèi)核優(yōu)化的自適應(yīng)實(shí)時(shí)（ART）存儲器加速器。

意法半導(dǎo)體的首批采用90nm嵌入式閃存制程生產(chǎn)的STM32微控制器的運(yùn)行速度更快，功耗更低，外設(shè)集成度更高，片上存儲密度更大。90nm嵌入式閃存技術(shù)的性能已經(jīng)在智能卡和汽車電子IC上得到實(shí)證。意法半導(dǎo)體已于2009年發(fā)布了內(nèi)嵌90nm 閃存的微控制器的樣片。

由于ARM Cortex-M3的性能高于閃存技術(shù)，在運(yùn)行頻率較高時(shí)，處理器必須等待閃存，意法半導(dǎo)體獨(dú)有的ART存儲器加速器可平衡這一固有的性能差距。現(xiàn)在，在運(yùn)行頻率達(dá)到120MHz時(shí)，CPU無需等待閃存，提高系統(tǒng)的總體速度和能效。

為了在這個(gè)頻率上釋放處理器的150 DMIPS的全部性能，加速器實(shí)現(xiàn)了指令預(yù)取隊(duì)列和分支緩存，從閃存執(zhí)行程序的速度達(dá)到120MHz，零等待狀態(tài)。其它品牌的Cortex-M3微控制器的性能只有在120MHz頻率以上才能超越，但是高頻率換來高功耗和高散熱量。

現(xiàn)在有了這種性能，開發(fā)人員可以在微控制器上執(zhí)行更多的系統(tǒng)功能，無需使用更加昂貴的微控制器或伴隨DSP芯片。例如，在多媒體應(yīng)用中，客戶將能夠?qū)崿F(xiàn)音頻編解碼、視頻處理、數(shù)據(jù)加密、數(shù)字過濾和多協(xié)議網(wǎng)關(guān)，剩余的資源足以處理其它任務(wù)。

最新采用90nm制程和ART存儲器加速器的多款STM32產(chǎn)品已通過“嵌入式微處理器測試基準(zhǔn)協(xié)會”的CoreMark™ 測試。CoreMark測試結(jié)果證明，在時(shí)鐘速度100MHz時(shí)，STM32的執(zhí)行速度比Cortex-M競爭產(chǎn)品快8%。性能優(yōu)勢能夠保持在120MHz。CoreMark分析報(bào)告證實(shí)，STM32的動(dòng)態(tài)功耗僅為188µA/MHz （98µA/CoreMark）。這相當(dāng)于在120MHz時(shí)消耗 22.5mA電流（從閃存執(zhí)行代碼，ART加速器開啟，所有外設(shè)關(guān)閉）。

目前大客戶正在測試新的內(nèi)置ART存儲器加速器的90nm微控制器樣片。意法半導(dǎo)體將在今年下半年公布產(chǎn)品細(xì)節(jié)。

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