目前大多數(shù)存儲(chǔ)芯片處于30nm制程,而邏輯電路更是在42nm制程徘徊。而東芝已經(jīng)宣布他們在制程提升上取得了突破,他們已經(jīng)可以制造出16nm甚至更低制程的場效應(yīng)管。突破的關(guān)鍵是他們使用了鍺代替現(xiàn)在流行的硅,鍺一直以來都被認(rèn)為有潛力制造更小的設(shè)備,但是它也比硅存在更多的問題,難于控制。但是現(xiàn)在硅化合物的潛能已經(jīng)發(fā)掘殆盡,所以人們再一次將目光轉(zhuǎn)向了鍺。
東芝稱他們將會(huì)在下周在東京舉行的2009 VLSI座談會(huì)上詳細(xì)講解他們的成果。
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