臺灣經(jīng)濟部近來核定通過「爾必達-瑞晶后里技術(shù)研發(fā)中心計劃」，該計劃重點主要是借重其制程模塊、元件及整合相關(guān)技術(shù)發(fā)展40奈米以下4F2架構(gòu)下之存儲器制程，以透過技術(shù)移轉(zhuǎn)、學(xué)研界共同開發(fā)及人員訓(xùn)練等，促使臺灣廠商有機會掌握自有關(guān)鍵技術(shù)，并提升臺灣在DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)之國際地位。

先前為因應(yīng)全球金融海嘯之沖擊，DRAM廠商大多采取策略聯(lián)盟方式，日商爾必達(Elpida)亦積極與臺灣廠商接洽，更與力晶科技合資設(shè)立瑞晶電子，此舉系爾必達首次于海外進行DRAM制程技術(shù)之研發(fā)。爾必達以其優(yōu)異之DRAM研發(fā)技術(shù)實力，結(jié)合瑞晶電子所具備之產(chǎn)能規(guī)模、生產(chǎn)效率、成本控制能力及研發(fā)人力等優(yōu)勢，再加上臺灣力晶科技及華邦電子等公司杰出之商品化能力，透過該研發(fā)中心所建置之平臺，形成具競爭力之聯(lián)盟，并可望進一步帶領(lǐng)臺、日企業(yè)聯(lián)手整合上下游供應(yīng)鏈，以共同提升兩國產(chǎn)業(yè)競爭力。

臺經(jīng)濟部自2002年以來推動「鼓勵國外企業(yè)在臺設(shè)立研發(fā)中心計劃」，本計劃系配合國內(nèi)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢與需求，爭取國際大廠及研發(fā)機構(gòu)來臺設(shè)立研發(fā)中心，以強化研發(fā)創(chuàng)新體系國際連結(jié)，提升重點領(lǐng)域之前瞻技術(shù)開發(fā)，并厚植高階研發(fā)人力，目前已促成35家國際大廠與研發(fā)機構(gòu)來臺設(shè)立50家研發(fā)中心。因應(yīng)日本311震災(zāi)，經(jīng)濟部加強鼓勵日商引進關(guān)鍵技術(shù)，以擴大在臺研發(fā)投資，分散其天然災(zāi)害風(fēng)險，故今年將重點推動地區(qū)調(diào)整為日本及歐盟。