非易失性鐵電隨機存取存儲器(FRAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布，中國壓力變送器與電磁流量計供應商上海威爾泰工業(yè)自動化股份有限公司已將Ramtron的FM25L16 16千位(Kb)串行F-RAM存儲器設計用于其2000S安全壓力變送器中。在其全新固有的安全防爆傳送器中，F(xiàn)-RAM已完全替代EEPROM。

    隨著工業(yè)領域中的過程控制的日益復雜，如化工、制藥、電力、水處理和食品加工等行業(yè)，智能壓力變送器已日益受到歡迎。2000S壓力變送器具有多項先進的功能，包括雙向通信、遙控校正及自我診斷。這些功能可實現(xiàn)更高的精度、更高的可靠性，以及更先進的通信協(xié)議，從而減少啟動和維護的時間、工作量及成本。

    2000S產(chǎn)品將傳感技術與智能電子結合在單一封裝中，而非易失性F-RAM存儲器具備快速寫入、高耐用性及低功耗特點，是這種先進設計必不可少的元件。在2000S中，F(xiàn)-RAM存儲各種配置參數(shù)，如變送器范圍、信號類型、流體特性等，并在斷電時保存這些數(shù)據(jù)，使到變送器在電源恢復后可即時投入使用。F-RAM還可存儲2000S自動化自我校正例行程序的校正/補償數(shù)據(jù)，并執(zhí)行事件與數(shù)據(jù)記錄，系統(tǒng)可以使用這些數(shù)據(jù)來診斷是否需要維護。

    上海威爾泰研發(fā)工程師解釋道：“我們在安全的智能2000S壓力變送器中使用F-RAM代替EEPROM，能加快寫入速度、提高耐用性，并提升總體安全性以防止?jié)撛诘谋?。我們首?000S設計采用了EEPROM，但卻不能通過功耗測試，因為2000S的總體工作電流小于3.6mA。F-RAM的功耗低特性能實現(xiàn)固有安全性，其快速寫入速度更減少了可變性，以及降低新型智能壓力變送器中微處理器(MPU)的成本開銷?！?

    F-RAM替代EEPROM

    固有安全性：2000S是“固有安全性”的設備，意味著其設計可避免釋放能量從而導致易燃材料起火和爆炸。因此，它需要工作電流非常低的存儲器，如F-RAM。

    減少可變性：F-RAM的快速寫入對減少計算過程測量數(shù)據(jù)的可變性必不可少，這可為自我診斷帶來更準確的測量數(shù)據(jù)、更多的系統(tǒng)控制能力及更高的盈利。

    降低MPU開銷：2000S包括用于復雜計算的MPU。由于智能壓力變送器應用的處理量越來越密集，F(xiàn)-RAM的快速寫入優(yōu)勢可以降低MPU的開銷。

    關于FM25L16 F-RAM

    F-RAM存儲器提供與RAM技術相同的功能，但卻是非易失性的。它提供“無延遲”(NoDelay)寫入、幾乎無限的寫入耐用性(寫入次數(shù)大約為1e14)，以及低功耗。FM25L16是帶有行業(yè)標準串行外設接口(SPI)的16Kb F-RAM存儲器，可以在高達18MHz的總線速度及低工作電流下連續(xù)進行讀寫操作。而同級EEPROM器件的寫入延遲長，備有寫入輪詢軟件，耐用性低于100萬次寫入，且在較高功率下工作。FM25L16采用無鉛的8腳SOIC和DFN封裝，在工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作電壓為3V。