奇夢達與爾必達簽訂內(nèi)存技術發(fā)展合作協(xié)議
以奇夢達的Buried Wordline技術和爾必達的堆棧式技術為基礎,雙方將會共同發(fā)展技術平臺和設計規(guī)范。兩家公司計劃在2010年推出由雙方共同開發(fā)、達到40納米世代的創(chuàng)新4F2 cell概念,未來并將進一步擴展至30納米世代。雙方也鎖定在各自的日本廣島及德國德勒斯登廠開展密切合作的研發(fā)計劃,其中包括雙方工程師的互換交流。與此同時,雙方也同意在直通硅晶穿孔技術(Through Silicon Via)和未來內(nèi)存開發(fā)的領域中尋求共同發(fā)展機會,以及可能合資生產(chǎn)的機會。
雙方還建立了廣泛的知識產(chǎn)權交叉許可關系,這使得兩家公司能夠在產(chǎn)品和技術的發(fā)展上有更多自由發(fā)展的空間。