意法半導體和法國電子信息技術實驗室CEA-LETI宣布，法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長，以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾（Grenoble）市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術開發(fā)協(xié)議。

Nano2012是由意法半導體領導的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財政支持，旨在于創(chuàng)建世界最先進的研發(fā)集群，開發(fā)新一代納電子級別的半導體技術，用于制造結構尺寸大約為幾十納米（1納米等于十億分之一米）的芯片。

通過為歐洲企業(yè)提供從32nm一直到22nm的最先進的具有競爭力的CMOS技術，Nano2012合作項目以及其它的世界領先的合作項目（如CATRENE）將對歐洲電子工業(yè)的持續(xù)增長做出重大貢獻。Nano2012項目始于2008年1月1日，預定到2012年12月31日告一段落，法國政府機構為這個五年期項目提供部分資金。這個項目還有其它的參與者，包括INRIA（法國國家計算機科學與控制研究院）、CNRS（國家科研中心）、大學和多家中小企業(yè)。

意法半導體和CEA-LETI有很長的研發(fā)合作歷史。1992年，雙方首次合作建立Crolles研發(fā)中心。作為領先的研究實驗室，CEA-LETI是學術研究與以市場為導向的意法半導體工業(yè)研發(fā)之間長期的重要交流橋梁。2007年7月，意法半導體加入以IBM公司在紐約East Fishkill和 Albany的兩個研發(fā)中心為核心的半導體合作開發(fā)聯(lián)盟，這兩個中心開發(fā)32到 22nm的低功耗CMOS核心制程。同時IBM加盟意法半導體的Crolles研發(fā)中心，開發(fā)增值專用CMOS衍生技術。此外，在CMOS技術所需的材料和制程開發(fā)方面，CEA-LETI和IBM具有強大的實力和互補性的專業(yè)知識，雙方在CEA-LETI的格勒諾布爾（法國）分公司、IBM的 East Fishkill工廠（紐約）、意法半導體的 Crolles分公司（法國）以及Albany NanoTech研究中心（紐約）合作開發(fā) 22nm以及22nm以下的先進制程。

自Nano2012項目于2008年1月啟動以來，意法半導體和IBM交換Crolles和East Fishkill兩地的研究人員，并在多個項目上與CEA-LETI的研究人員開展合作，包括32nm和28 nm CMOS核心制程和無線通信用45nm RF（射頻）衍生技術，和汽車電子與智能卡用65nm非易失性存儲器衍生技術。這些技術可降低現(xiàn)有通信設備、消費電子、計算機和汽車電子的功耗，延長電池使用時間，提高性能，為終端用戶提供更多功能和實用性。

Nano2012項目的工作重點是為低功耗的專用CMOS衍生技術開發(fā)技術平臺。一個技術平臺包括把數(shù)十億支晶體管集成到一顆芯片內(nèi)所采用的制程，以及單元庫和利用這個制程高效設計尖端電路的設計方法。利用在Crolles和格勒諾布爾的世界一流的研發(fā)團隊，意法半導體及合作伙伴已位居這個領域的世界前列，Nano2012的重要目標之一是擴大歐洲在此一領域的領先地位。

增值專用衍生技術是標準CMOS技術的重要差異化技術，使位于Grenoble-Isere的研發(fā)集群在這個領域保持領先水平是Nano2012項目的另一重要目標。