[導讀]關(guān)鍵字： ACE Technology 松翰 智微 2011年深圳，臺灣愛喜益科技有限公司(ACE Technology Co., LTD)攜手其代理
關(guān)鍵字： ACE Technology 松翰 智微 2011年深圳，臺灣愛喜益科技有限公司(ACE Technology Co., LTD)攜手其代理商深圳市欣諾泰電子有限公司(Notec Technology Shenzhen Agency)首度登上IIC-China的舞臺，為本土工程師推薦來自臺灣地區(qū)的ACE公司及其產(chǎn)品。
ACE是一家IC設計公司，成立于2001年，主要提供Power類的電源管理IC和內(nèi)存類IC。產(chǎn)品經(jīng)理吳宏彥表示，ACE公司地IC設計技術(shù)和研發(fā)主要在美國矽谷，同時印度也有一個研發(fā)中心，而臺灣地區(qū)的分公司主要是負責業(yè)務拓展和提供服務和技術(shù)支持。
ACE今年的主打產(chǎn)品將是SPI NOR FLASH系列IC，據(jù)悉該系列將在4月開始量產(chǎn)第一款產(chǎn)品，4M bit的ACE25。吳宏彥表示，這顆IC具有非常明顯的價格優(yōu)勢，估計售價大約為0.13美元。ACE25的具體參數(shù)如表1所示，表1中還有另外兩款將在今年發(fā)布的新產(chǎn)品16通道恒流LED驅(qū)動ACE711和集成P-MOSFET的LDO模式過壓保護IC ACE516。
目前，ACE的EEPROM系列產(chǎn)品線已經(jīng)非常成熟，并被市場所廣泛接受。ACE的EEPROM系列產(chǎn)品如下列表2所示。
據(jù)悉，ACE進入中國大陸市場的時間較晚，大約在2007年才開始進入。不過在短短幾年的時間，ACE實現(xiàn)了中國大陸市場的巨大增長，僅去年一年，ACE中國大陸市場便達到了3倍的增長。吳宏彥透露，ACE去年的營業(yè)額達到1億元人民幣。
目前，ACE的許多產(chǎn)品都被松翰和智微的方案廣泛采用。下面圖片列舉了一些已經(jīng)商用的方案實例。吳宏彥表示，希望通過IIC的平臺讓更多中國本土廠商認識ACE，經(jīng)過三天的展出，也收獲了不少信息、資源。
ACE為本土廠商提供高性價比美國IC(電子工程專輯)>
報道：Ana Hu
End of article 關(guān)鍵字： NOR 孫昌旭 NOR閃存
在日前第十屆國際集成電路展(IIC)上，Spansion公司展示了據(jù)稱目前最高密度的NOR閃存??單芯片512Mb的NOR閃存，并且還展示了薩基姆(Sagem)公司采用該閃存的一款手機。“我們的512Mb NOR閃存是目前進入量產(chǎn)的單片最高NOR閃存?！痹摴靖笨偛猛豕鈧ケ硎尽pansion公司由AMD和富士通公司的閃存部門合并而成，該公司在2004年正式更名為Spansion LLC。
目前，英特爾與Spansion公司是壟斷NOR閃存市場的兩巨頭。據(jù)調(diào)研公司iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，雖然2004年全年Spansion在該領域的份額超過了英特爾，但是在后兩個季度英特爾的銷售量又超過前者，據(jù)分析是英特爾在嵌入式市場的優(yōu)良銷售業(yè)績幫了他的忙。這兩個在NOE閃存市場經(jīng)常上演二人轉(zhuǎn)的公司在2005年將會展開更激烈的角逐。
就在Spansion在IIC展會上發(fā)表量產(chǎn)的512Mb閃存時，英特爾公司也宣布了全新的StrataFlash(r) 嵌入式存儲器，主要面向家電、工業(yè)和有線通信等市場領域的嵌入式應用，看來英特爾決心要巧固在該領域的優(yōu)勢。全新英特爾StrataFlash(r) 嵌入式存儲器產(chǎn)品家族將提供從6? MB到1 GB的廣泛密度，密度為6? Mb - 512 Mb的產(chǎn)品將于2005年第二季度推出，密度為1 Gb的設備將于2005年下半年推出。
王光偉：我們的512Mb NOR閃存是該
領域目前能量產(chǎn)的單片最高密度的產(chǎn)品。
但是，Spansion在中國的手機廠商中似乎有很好的人緣，具王光偉稱中國前10名的手機廠商均采用了該公司的閃存產(chǎn)品，去年它在手機市場的銷售額占了該公司總銷售額的七成以上。“手機中對NOR閃存的需求增長迅速?！彼A測道：“2005年，256Mb的NOR閃存將是手機的主流配置；而明年手機閃存的主流配置將達到512Mb?！蓖豕鈧ケ硎尽！拔覀儞碛泻w大部分容量的產(chǎn)品，并且它們都采用了統(tǒng)一的產(chǎn)品架構(gòu)和產(chǎn)品接口。這一點非常重要，因為它意味著電話制造商可以在無需改寫軟件的情況下，繼續(xù)擴充它們的產(chǎn)品線?！彼a充說。
支持Spansion不斷提升密度的是其屢獲殊榮的MirrorBit技術(shù)，它是一種先進的每單元存儲雙比特的技術(shù)?！芭c其它競爭對手每單元多存儲位的MLC浮門技術(shù)相比，MirrorBit技術(shù)制造流程減少10%，關(guān)鍵掩膜步驟減少40% ，良品率提高30%，尤其是在高容量產(chǎn)品領域?！蓖豕鈧フf道。此次推出的單片512Mb NOR閃存就是基于該技術(shù)，下一步是計劃在2005年推出1Gb密度的產(chǎn)品。此外，為了加強移動電話的安全性，Spansion為其閃存提供高級扇區(qū)保護，這是一種基于硬件的閃存安全系統(tǒng)。高級扇區(qū)保護可以利用6?位密碼，防止關(guān)鍵的操作系統(tǒng)代碼、電話身份標識信息和重要的系統(tǒng)設置遭受未經(jīng)授權(quán)的竄改。
但是，英特爾公司副總裁兼閃存產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Darin Billerbeck也表示：“英特爾已經(jīng)驗證的第四代MLC技術(shù)可為嵌入式產(chǎn)品客戶提供出色的性價比優(yōu)勢。StrataFlash 嵌入式存儲器是我們的每位成本（cost-per-bit）最低的解決方案?！?
然而，Spansion還有一個殺手锏。他們計劃在今年推出一種稱為ORAND的閃存，它既具有NOR閃存的快速隨機讀寫，快速順序讀寫和極高的可靠性，同時也具有NAND閃存的快速寫入、低成本和高容量特點，“它的目標是同時需要NAND和NOR閃存的應用，ORNAND可以同時減小用戶的芯片數(shù)量和成本?！蓖豕鈧ケ硎尽Ｋ嘎督衲陮⑼瞥?Gb密度的ORNAND閃存，價位將與NAND閃存具有競爭性。ORAND技術(shù)將是Spansion進一步擴充市場的有力武器。[!--empirenews.page--]
在NOR閃存市場，除了英特爾和Spansion外，還有一些新的競爭者值得關(guān)注，如臺灣華邦電子在IIC上展示了32Mb的NOR閃存，并表示該產(chǎn)品與Spansion的產(chǎn)品兼容。
作者：孫昌旭
End of article 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND Flash 3D 才剛對全球半導體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因韓朝政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來韓朝關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應鏈造成巨大變化。
全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星
根據(jù)DIGITIMES Research分析，三星的半導體生產(chǎn)基地離北韓相當近，是東北亞電子產(chǎn)業(yè)的危機潛伏地區(qū)，三星是2009年全球半導體消費金額排行第2的業(yè)者，僅次于惠普(HP)，顯示三星在半導體生產(chǎn)領域和消費者領域的地位。
目前三星在韓國DRAM芯片單月產(chǎn)能超過30萬片，包括Fab9、Fab10、Fab11A、Fab11B、Fab12、Fab13及Fab15等，涵蓋標準型DRAM、利基型DRAM等，全球市占率超過30%，影響所及涵蓋PC和各式消費性電子應用。
日前三星宣布要興建Fab16，預計單月產(chǎn)能可達20萬片，未來可生產(chǎn)DRAM、NAND Flash等，繼而目標是提升Fab15的制程技術(shù)至30納米制程，預計半導體產(chǎn)業(yè)要投入資本支出高達9兆韓圓(約80億美元)。
NAND Flash芯片單月產(chǎn)能約25萬~30萬片，全球市占率逼近40%，應用領域包括手機、MP3播放器、隨身碟、快閃記憶卡等。目前三星和二哥東芝 (Toshiba)的全球市占率越來越接近，2廠都超過30%市占率，掌控全球NAND Flash芯片的供貨主導權(quán)。
三星史上最高資本支出 成功獵殺臺廠
三星日前才宣布史上最高金額的資本支出計劃，全球DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)應聲全倒，成功狙擊了這一波正在從谷底復蘇，且積極有募資計劃的臺廠。臺系DRAM廠的營運雖然從谷底反彈，但根基還不穩(wěn)固，尤其是身上仍是負債累累，且沒有多余資金可以擴產(chǎn)，三星這項資本支出計劃，成功讓臺廠的募資計劃受挫。
對于美光(Micron)和爾必達(Elpida)這兩家競爭對手雖然成功在金融風暴中挺過來，但手上的銀彈有限，不可能跟隨三星加入這場錢海戰(zhàn)術(shù)，加上美日兩陣營近年來與臺系DRAM廠越綁越近，利用臺灣低成本的生產(chǎn)基地，讓美日兩大陣營競爭力大增，但三星這一次出招，卻讓臺美日內(nèi)存廠全部都挨悶棍。
內(nèi)存業(yè)者認為，三星宣布的資本支出計劃出爐后，基本上已達到重挫對手的目的，是否真的全部如期執(zhí)行，則是其次問題，惟現(xiàn)在大家關(guān)心韓朝戰(zhàn)略情勢升溫，不確定性大幅增加，但業(yè)者認為，這種牽扯到政治和戰(zhàn)爭之事，只能用假設和推測去分析。
業(yè)者認為，由于三星在韓國的廠房接近朝鮮地區(qū)，如果真的有戰(zhàn)事發(fā)生，導致三星廠房有損失，最大受惠者當然是臺美日DRAM廠，以及美日陣營的 NAND Flash大廠，如果南北韓戰(zhàn)事擴大，恐削弱三星長期的產(chǎn)業(yè)競爭力，會是臺美日等各廠擊倒三星的最佳機會點。
•下一頁：三星危機誰損誰益？
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ACE是一家IC設計公司，成立于2001年，主要提供Power類的電源管理IC和內(nèi)存類IC。產(chǎn)品經(jīng)理吳宏彥表示，ACE公司地IC設計技術(shù)和研發(fā)主要在美國矽谷，同時印度也有一個研發(fā)中心，而臺灣地區(qū)的分公司主要是負責業(yè)務拓展和提供服務和技術(shù)支持。
ACE今年的主打產(chǎn)品將是SPI NOR FLASH系列IC，據(jù)悉該系列將在4月開始量產(chǎn)第一款產(chǎn)品，4M bit的ACE25。吳宏彥表示，這顆IC具有非常明顯的價格優(yōu)勢，估計售價大約為0.13美元。ACE25的具體參數(shù)如表1所示，表1中還有另外兩款將在今年發(fā)布的新產(chǎn)品16通道恒流LED驅(qū)動ACE711和集成P-MOSFET的LDO模式過壓保護IC ACE516。
目前，ACE的EEPROM系列產(chǎn)品線已經(jīng)非常成熟，并被市場所廣泛接受。ACE的EEPROM系列產(chǎn)品如下列表2所示。
據(jù)悉，ACE進入中國大陸市場的時間較晚，大約在2007年才開始進入。不過在短短幾年的時間，ACE實現(xiàn)了中國大陸市場的巨大增長，僅去年一年，ACE中國大陸市場便達到了3倍的增長。吳宏彥透露，ACE去年的營業(yè)額達到1億元人民幣。
目前，ACE的許多產(chǎn)品都被松翰和智微的方案廣泛采用。下面圖片列舉了一些已經(jīng)商用的方案實例。吳宏彥表示，希望通過IIC的平臺讓更多中國本土廠商認識ACE，經(jīng)過三天的展出，也收獲了不少信息、資源。
ACE為本土廠商提供高性價比美國IC(電子工程專輯)>報道：Ana Hu
End of article 關(guān)鍵字： NOR 孫昌旭 NOR閃存
在日前第十屆國際集成電路展(IIC)上，Spansion公司展示了據(jù)稱目前最高密度的NOR閃存??單芯片512Mb的NOR閃存，并且還展示了薩基姆(Sagem)公司采用該閃存的一款手機。“我們的512Mb NOR閃存是目前進入量產(chǎn)的單片最高NOR閃存?！痹摴靖笨偛猛豕鈧ケ硎尽pansion公司由AMD和富士通公司的閃存部門合并而成，該公司在2004年正式更名為Spansion LLC。
目前，英特爾與Spansion公司是壟斷NOR閃存市場的兩巨頭。據(jù)調(diào)研公司iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，雖然2004年全年Spansion在該領域的份額超過了英特爾，但是在后兩個季度英特爾的銷售量又超過前者，據(jù)分析是英特爾在嵌入式市場的優(yōu)良銷售業(yè)績幫了他的忙。這兩個在NOE閃存市場經(jīng)常上演二人轉(zhuǎn)的公司在2005年將會展開更激烈的角逐。
就在Spansion在IIC展會上發(fā)表量產(chǎn)的512Mb閃存時，英特爾公司也宣布了全新的StrataFlash(r) 嵌入式存儲器，主要面向家電、工業(yè)和有線通信等市場領域的嵌入式應用，看來英特爾決心要巧固在該領域的優(yōu)勢。全新英特爾StrataFlash(r) 嵌入式存儲器產(chǎn)品家族將提供從6? MB到1 GB的廣泛密度，密度為6? Mb - 512 Mb的產(chǎn)品將于2005年第二季度推出，密度為1 Gb的設備將于2005年下半年推出。
王光偉：我們的512Mb NOR閃存是該
領域目前能量產(chǎn)的單片最高密度的產(chǎn)品。
但是，Spansion在中國的手機廠商中似乎有很好的人緣，具王光偉稱中國前10名的手機廠商均采用了該公司的閃存產(chǎn)品，去年它在手機市場的銷售額占了該公司總銷售額的七成以上。“手機中對NOR閃存的需求增長迅速?！彼A測道：“2005年，256Mb的NOR閃存將是手機的主流配置；而明年手機閃存的主流配置將達到512Mb?！蓖豕鈧ケ硎尽！拔覀儞碛泻w大部分容量的產(chǎn)品，并且它們都采用了統(tǒng)一的產(chǎn)品架構(gòu)和產(chǎn)品接口。這一點非常重要，因為它意味著電話制造商可以在無需改寫軟件的情況下，繼續(xù)擴充它們的產(chǎn)品線?！彼a充說。
支持Spansion不斷提升密度的是其屢獲殊榮的MirrorBit技術(shù)，它是一種先進的每單元存儲雙比特的技術(shù)?！芭c其它競爭對手每單元多存儲位的MLC浮門技術(shù)相比，MirrorBit技術(shù)制造流程減少10%，關(guān)鍵掩膜步驟減少40% ，良品率提高30%，尤其是在高容量產(chǎn)品領域?！蓖豕鈧フf道。此次推出的單片512Mb NOR閃存就是基于該技術(shù)，下一步是計劃在2005年推出1Gb密度的產(chǎn)品。此外，為了加強移動電話的安全性，Spansion為其閃存提供高級扇區(qū)保護，這是一種基于硬件的閃存安全系統(tǒng)。高級扇區(qū)保護可以利用6?位密碼，防止關(guān)鍵的操作系統(tǒng)代碼、電話身份標識信息和重要的系統(tǒng)設置遭受未經(jīng)授權(quán)的竄改。
但是，英特爾公司副總裁兼閃存產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Darin Billerbeck也表示：“英特爾已經(jīng)驗證的第四代MLC技術(shù)可為嵌入式產(chǎn)品客戶提供出色的性價比優(yōu)勢。StrataFlash 嵌入式存儲器是我們的每位成本（cost-per-bit）最低的解決方案?！?
然而，Spansion還有一個殺手锏。他們計劃在今年推出一種稱為ORAND的閃存，它既具有NOR閃存的快速隨機讀寫，快速順序讀寫和極高的可靠性，同時也具有NAND閃存的快速寫入、低成本和高容量特點，“它的目標是同時需要NAND和NOR閃存的應用，ORNAND可以同時減小用戶的芯片數(shù)量和成本?！蓖豕鈧ケ硎尽Ｋ嘎督衲陮⑼瞥?Gb密度的ORNAND閃存，價位將與NAND閃存具有競爭性。ORAND技術(shù)將是Spansion進一步擴充市場的有力武器。[!--empirenews.page--]
在NOR閃存市場，除了英特爾和Spansion外，還有一些新的競爭者值得關(guān)注，如臺灣華邦電子在IIC上展示了32Mb的NOR閃存，并表示該產(chǎn)品與Spansion的產(chǎn)品兼容。
作者：孫昌旭
End of article 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND Flash 3D 才剛對全球半導體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因韓朝政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來韓朝關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應鏈造成巨大變化。
全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星
根據(jù)DIGITIMES Research分析，三星的半導體生產(chǎn)基地離北韓相當近，是東北亞電子產(chǎn)業(yè)的危機潛伏地區(qū)，三星是2009年全球半導體消費金額排行第2的業(yè)者，僅次于惠普(HP)，顯示三星在半導體生產(chǎn)領域和消費者領域的地位。
目前三星在韓國DRAM芯片單月產(chǎn)能超過30萬片，包括Fab9、Fab10、Fab11A、Fab11B、Fab12、Fab13及Fab15等，涵蓋標準型DRAM、利基型DRAM等，全球市占率超過30%，影響所及涵蓋PC和各式消費性電子應用。
日前三星宣布要興建Fab16，預計單月產(chǎn)能可達20萬片，未來可生產(chǎn)DRAM、NAND Flash等，繼而目標是提升Fab15的制程技術(shù)至30納米制程，預計半導體產(chǎn)業(yè)要投入資本支出高達9兆韓圓(約80億美元)。
NAND Flash芯片單月產(chǎn)能約25萬~30萬片，全球市占率逼近40%，應用領域包括手機、MP3播放器、隨身碟、快閃記憶卡等。目前三星和二哥東芝 (Toshiba)的全球市占率越來越接近，2廠都超過30%市占率，掌控全球NAND Flash芯片的供貨主導權(quán)。
三星史上最高資本支出 成功獵殺臺廠
三星日前才宣布史上最高金額的資本支出計劃，全球DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)應聲全倒，成功狙擊了這一波正在從谷底復蘇，且積極有募資計劃的臺廠。臺系DRAM廠的營運雖然從谷底反彈，但根基還不穩(wěn)固，尤其是身上仍是負債累累，且沒有多余資金可以擴產(chǎn)，三星這項資本支出計劃，成功讓臺廠的募資計劃受挫。
對于美光(Micron)和爾必達(Elpida)這兩家競爭對手雖然成功在金融風暴中挺過來，但手上的銀彈有限，不可能跟隨三星加入這場錢海戰(zhàn)術(shù)，加上美日兩陣營近年來與臺系DRAM廠越綁越近，利用臺灣低成本的生產(chǎn)基地，讓美日兩大陣營競爭力大增，但三星這一次出招，卻讓臺美日內(nèi)存廠全部都挨悶棍。
內(nèi)存業(yè)者認為，三星宣布的資本支出計劃出爐后，基本上已達到重挫對手的目的，是否真的全部如期執(zhí)行，則是其次問題，惟現(xiàn)在大家關(guān)心韓朝戰(zhàn)略情勢升溫，不確定性大幅增加，但業(yè)者認為，這種牽扯到政治和戰(zhàn)爭之事，只能用假設和推測去分析。
業(yè)者認為，由于三星在韓國的廠房接近朝鮮地區(qū)，如果真的有戰(zhàn)事發(fā)生，導致三星廠房有損失，最大受惠者當然是臺美日DRAM廠，以及美日陣營的 NAND Flash大廠，如果南北韓戰(zhàn)事擴大，恐削弱三星長期的產(chǎn)業(yè)競爭力，會是臺美日等各廠擊倒三星的最佳機會點。
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