據(jù)國外媒體報道，2011年，無線基礎(chǔ)設(shè)施市場中的RF功率半導(dǎo)體元件的支出出現(xiàn)顯著增長。而同期的其他市場尤其是軍用市場增長則較為溫和，主要是受到全球經(jīng)濟前景和政治因素的影響。
此外，一直以來被視為RF功率半導(dǎo)體元件大有前途的新型“材料選擇”的氮化鎵（GaN）繼續(xù)擴大其市場份額。
移動網(wǎng)絡(luò)研究部主任蘭斯·威爾遜（LanceWilson）指出：“氮化鎵的市場份額肯定會在2012年大幅增長，預(yù)計在2017年以前一直是一股重要的增長力量。它彌補了兩項原有技術(shù)之間的差距，展示了與硅LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）的功率處理能力相結(jié)合的砷化鎵的高頻性能。這是目前已經(jīng)獲得了一定市場份額的主流技術(shù)，預(yù)計這一技術(shù)的市場份額將在未來大幅提高?！?BR>垂直市場顯示，除無線基礎(chǔ)設(shè)施部分以外，RF功率半導(dǎo)體元件業(yè)務(wù)呈現(xiàn)強勁上揚勢頭的另一個領(lǐng)域是商業(yè)航空電子設(shè)備和空中交通管制市場威爾遜認(rèn)為該市場目前正成長為“一個重要的市場。”雖然這些芯片設(shè)備的生產(chǎn)商主要集中在工業(yè)化國家，但這一細(xì)分市場目前已經(jīng)全球化，終端設(shè)備買家遍布世界各地。