功耗只有EEPROM千分之一的F-RAM,為何難言替代?
FM25P16典型主動(dòng)電流只有約3微安。通過采用Ramtron的低功耗F-RAM存儲(chǔ)器,對(duì)功耗敏感的應(yīng)用如無線傳感器節(jié)點(diǎn)、遠(yuǎn)程儀表、保健產(chǎn)品以及新興的能量收集應(yīng)用等,能夠更頻繁地寫入數(shù)量級(jí)的數(shù)據(jù),并同時(shí)降低系統(tǒng)功耗。
Ramtron 低功耗存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)隨系統(tǒng)寫入數(shù)據(jù)的次數(shù)更加頻繁而大大增加,與串口EEPROM不同,F(xiàn)M25P16能夠以總線速率執(zhí)行寫入操作而無寫入延遲。這些能力使得FM25P16適用于同時(shí)要求極低功耗與頻繁或快速寫入特性的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。
Ramtron是F-RAM技術(shù)專利擁有者,另僅有Fujitsu取得了這項(xiàng)技術(shù)的專利授權(quán),成為市面上僅有的兩家F-RAM提供商。Ramtron亞太區(qū)銷售總監(jiān)劉勝強(qiáng)《國際電子商情》記者介紹,Ramtron現(xiàn)已更新為0.18微米工藝生產(chǎn),比Fujitsu采用的較老工藝更具成本上的優(yōu)勢。Ramtron現(xiàn)已取得了IBM的一條生產(chǎn)線,與此前靠TI、Fujitsu等代工的情形相比,產(chǎn)能有了更大保障,已能滿足市場需求。
F-RAM在通往更大容量、更快讀寫方面還有空間,Ramtron也在努力發(fā)展技術(shù)對(duì)應(yīng)不同的新應(yīng)用,劉勝強(qiáng)透露,F(xiàn)-RAM最高容量已達(dá)2M。大容量F-RAM下個(gè)意圖可能在取代SRAM。
因?yàn)橥婕也欢啵?strong>F-RAM整體上價(jià)格沒有太大壓力,但取得更大市場是每個(gè)半導(dǎo)體廠商的目標(biāo),降價(jià)也是必然趨勢,這也是Ramtron花四年時(shí)間取得IBM生產(chǎn)線的原因。