日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）宣布，其已開始批量生產(chǎn)并向三星發(fā)送超高效功率放大器以支持其備受期待的下一代 Galaxy S3 4G LTE 智能手機(jī)。

RFMD 預(yù)期今年將為三星的最高產(chǎn)量智能手機(jī)提供大量 3G 和 4G 功率放大器。RFMD 以其廣泛的產(chǎn)品為三星的多功能手機(jī)、智能手機(jī)和平板電腦提供支持，包括 PowerSmart功率平臺、超高效功率放大器和其他關(guān)鍵的高性能組件等。RFMD 近期支持的這款 4G LTE 智能手機(jī)具有一個(gè)雙核多模式 3G/LTE 調(diào)制調(diào)解器。

RFMD 蜂窩產(chǎn)品組總裁 Eric Creviston 指出：“向三星發(fā)送 RFMD 超高效 3G/4G 功率放大器突出了我們在下一代移動設(shè)備方面強(qiáng)勁的設(shè)計(jì)發(fā)展勢頭和在快速增長的 LTE 市場的早期市場領(lǐng)導(dǎo)地位。目前，我們可以預(yù)測 LTE 將于 2012 年實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的增長，LTE 設(shè)備將從 2011 年的約 2 千萬件增長到 2012 年的超過 1 億件。”

RFMD 的超高效 3G 和 4G LTE 功率放大器有助于延長智能手機(jī)中電池的使用壽命，同時(shí)還可降低網(wǎng)上沖浪、視頻電話和互聯(lián)網(wǎng)無線電服務(wù)等先進(jìn)的基于數(shù)據(jù)的應(yīng)用中的熱影響。該產(chǎn)品系列覆蓋了 WCDMA 頻帶 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 頻帶 3、4、7、11、13、17、20 和 21，因此涉及了最常用的 UMTS/HSPA+ 頻帶與 LTE 頻帶及頻帶組合。

RFMD 可提供業(yè)內(nèi)最廣泛的 3G 和 4G LTE 功率放大器解決方案，涵蓋單模式∕單頻帶組件到完整的多模式∕多頻帶前端參考設(shè)計(jì)等。RFMD 的 3G 和 4G LTE 產(chǎn)品系列符合世界領(lǐng)先的基帶芯片集供應(yīng)商的要求。