全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)應(yīng)用材料全球副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理余定陸5日表示，2013年行動(dòng)裝置正以強(qiáng)大成長(zhǎng)力道主導(dǎo)未來(lái)科技市場(chǎng)，也帶動(dòng)半導(dǎo)體廠(chǎng)的制程升級(jí)及產(chǎn)能投資，其中，晶圓代工廠(chǎng)及NAND Flash廠(chǎng)的制程升級(jí)，將為設(shè)備市場(chǎng)帶來(lái)25~35%的成長(zhǎng)動(dòng)能。
根據(jù)應(yīng)用材料的預(yù)估，2006~2008年間全球前段晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)年度平均規(guī)模約300億美元，最大的投資者為DRAM廠(chǎng)，但至2010~2012年間，市場(chǎng)年度平均規(guī)模上升至325億美元，晶圓代工廠(chǎng)已躍升為最大投資者，而此一趨勢(shì)將持續(xù)延續(xù)到2013~2016年，市場(chǎng)年度平均規(guī)模將達(dá)320~350億美元。
余定陸表示，2006年時(shí)行動(dòng)裝置出貨量只占PC出貨量的三分之一，但隨著智能型手機(jī)銷(xiāo)售在2010年后呈現(xiàn)爆炸性成長(zhǎng)，2012年時(shí)行動(dòng)裝置出貨量已是PC的2.3倍，隨著各大系統(tǒng)廠(chǎng)在未來(lái)幾年將再推出包括智能手表或智能眼鏡等更多種類(lèi)的行動(dòng)裝置，預(yù)估至2016年時(shí)行動(dòng)裝置的出貨量將高達(dá)20億支，是PC市場(chǎng)的5.7倍。
行動(dòng)裝置及PC采用的芯片最大不同，在于行動(dòng)裝置對(duì)低功耗的要求特別高，但卻要求更高的運(yùn)算速度，加上行動(dòng)裝置帶來(lái)的巨量資料(big data)龐大商機(jī)，余定陸指出，未來(lái)2年內(nèi)資料使用量及生產(chǎn)量還會(huì)再增1倍，而且智能穿戴裝置的推出及人機(jī)接口的持續(xù)進(jìn)步，控制功能也會(huì)由觸控延伸到語(yǔ)音、手勢(shì)等感測(cè)功能，需要更大的運(yùn)算能力，也會(huì)推動(dòng)芯片制程的快速演進(jìn)。
隨著制程微縮到28納米，提升晶體管效能的關(guān)鍵，已經(jīng)由過(guò)去的微縮(litho-scaling)，轉(zhuǎn)變?yōu)椴牧吓c結(jié)構(gòu)上的創(chuàng)新，如晶圓代工廠(chǎng)28納米開(kāi)始采用高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，16/14納米將進(jìn)入3D晶體管架構(gòu)，而NAND Flash則已經(jīng)在今年先走上3D架構(gòu)。
余定陸指出，晶圓代工廠(chǎng)及NAND Flash廠(chǎng)的升級(jí)需求，將會(huì)是未來(lái)幾年設(shè)備市場(chǎng)主要成長(zhǎng)動(dòng)能，如晶圓代工廠(chǎng)由32/28納米升級(jí)到16/14納米的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)，及NAND Flash廠(chǎng)由2D轉(zhuǎn)為3D，均將為設(shè)備市場(chǎng)帶來(lái)25~35%的成長(zhǎng)動(dòng)能。