Flash存儲器的工作過程需嚴格遵循“擦除-編程-讀取”的順序，每個環(huán)節(jié)都依賴精密的電壓控制和時序管理。 

擦除操作是將浮柵中的電子釋放，使存儲單元恢復(fù)為“1”狀態(tài)。此時控制柵施加反向高電壓，襯底接地，浮柵中的電子通過隧道效應(yīng)回到襯底，整個過程針對“塊”進行（NAND Flash的塊大小通常為128KB-2MB）。擦除時間較長（毫秒級），這是因為需要確保塊內(nèi)所有單元的電荷完全釋放，否則會導(dǎo)致數(shù)據(jù)干擾。 

編程（寫入）操作是向浮柵注入電子的過程，針對“頁”進行（NAND Flash的頁大小通常為2KB-16KB）。編程前需確保對應(yīng)塊已完成擦除，然后通過地址信號定位目標(biāo)頁，施加編程電壓將數(shù)據(jù)寫入。為提高效率，現(xiàn)代NAND Flash支持“多頁編程”，可連續(xù)寫入多個頁數(shù)據(jù)，將單次編程的時間壓縮至微秒級。 

讀取操作則通過檢測晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)實現(xiàn)，支持隨機讀取單頁數(shù)據(jù)?？刂破靼l(fā)送頁地址后，存儲陣列通過行 decoder 選中目標(biāo)頁，列 decoder 輸出具體數(shù)據(jù)，整個過程耗時約幾十至幾百納秒。NAND Flash還會在讀取時進行“錯誤校驗”（如ECC校驗），通過算法修正少量位錯誤，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。 

這種按塊擦除、按頁編程的機制，是Flash平衡存儲密度與操作效率的結(jié)果，但也帶來了“寫入放大”等特殊問題——更新小量數(shù)據(jù)時，需先讀取整個塊、修改數(shù)據(jù)、擦除塊再重新寫入，導(dǎo)致實際寫入量遠大于理論數(shù)據(jù)量。