除了英特爾有些難產(chǎn)之外，臺(tái)積電、三星早就量產(chǎn)了10nm工藝，目前正在爭(zhēng)奪7nm工藝制高點(diǎn)，再加上Globalfoundries，這四強(qiáng)代表了半導(dǎo)體制造工藝的巔峰。

最近幾天臺(tái)積電在南京建設(shè)的晶圓廠已經(jīng)開始出貨，使用的是16nm工藝，這是國(guó)內(nèi)技術(shù)水平最高的工藝，不過能代表大陸自主技術(shù)水平的還是中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體的28nm工藝。

來自中芯國(guó)際的消息稱，國(guó)產(chǎn)14nm工藝預(yù)計(jì)在2019年上半年量產(chǎn)，同時(shí)中芯國(guó)際力爭(zhēng)用10年時(shí)間進(jìn)入第一梯隊(duì)。

北京日?qǐng)?bào)日前報(bào)道了中芯國(guó)際，提到了中芯國(guó)際在晶圓廠、半導(dǎo)體裝備、制造工藝等方面的一些進(jìn)展。以半導(dǎo)體制造裝備為例，中國(guó)新建的晶圓廠絕大多數(shù)裝備都是進(jìn)口的，10塊錢的裝備有9.8元都進(jìn)入了國(guó)外廠商的口袋。

除了大家經(jīng)常聽到的光刻機(jī)之外，還有離子蝕刻機(jī)、離子注入機(jī)、光學(xué)拋光機(jī)、快速退火設(shè)備等等，在這方面中芯國(guó)際也積極支持國(guó)產(chǎn)裝備，過去七年中國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備的占有率從1%提高到了15%。

與此同時(shí)，中芯國(guó)際還在不斷縮小與國(guó)外先進(jìn)工藝的差距，按照原文的說法，中國(guó)集成電路先進(jìn)制造工藝已經(jīng)從之前落后國(guó)際4到5代縮小到了1-2代的差距，中芯國(guó)際的14nm工藝預(yù)計(jì)會(huì)在2019年上半年量產(chǎn)。

對(duì)于國(guó)產(chǎn)14nm工藝，這是2015年比利時(shí)國(guó)王訪華時(shí)中比雙方簽訂的一系列合作之一，比利時(shí)有全球著名的IMEC比利時(shí)微電子中心，在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上具備豐富的經(jīng)驗(yàn)，當(dāng)時(shí)中芯國(guó)際、華為以及高通聯(lián)合IMCE簽署了合作協(xié)議，研發(fā)14nm FinFET制造工藝，預(yù)定目標(biāo)是2020年之前量產(chǎn)，現(xiàn)在來看進(jìn)度還是OK的。

不過協(xié)議簽署時(shí)國(guó)內(nèi)還沒有28nm以下的先進(jìn)工藝，此后臺(tái)積電宣布在南京建設(shè)16nm工藝晶圓廠，2016年正式動(dòng)工，原本預(yù)計(jì)今年下半年量產(chǎn)，不過工程進(jìn)展很快，上半年就已經(jīng)正式量產(chǎn)了，所以中芯國(guó)際的14nm在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)也會(huì)遭遇臺(tái)積電的強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)，而且后者在量產(chǎn)時(shí)間、工藝成熟度上顯然更有優(yōu)勢(shì)。

盡管如此，在14nm量產(chǎn)之后，中國(guó)半導(dǎo)體工藝與世界先進(jìn)水平的差距確實(shí)大大縮小了，28nm、14nm以及未來的7nm都是高性能節(jié)點(diǎn)，會(huì)長(zhǎng)期存在，所以只要能量產(chǎn)出來，對(duì)發(fā)展國(guó)產(chǎn)高性能芯片都是有益的。

中芯國(guó)際CEO周子學(xué)此前在一次內(nèi)部會(huì)議上表示中芯國(guó)際將用10年時(shí)間爭(zhēng)取進(jìn)入世界第一梯隊(duì)。