臺積電28納米制程再邁大步,預(yù)計最快2010年第1季底進入試產(chǎn),2011年明顯貢獻營收,臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單,目前28納米制程技術(shù)最大競爭對手,仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered),雙方競爭更趨激烈。
臺積電表示,已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍圖,預(yù)計2010年第3季進行試產(chǎn),至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進入試產(chǎn)。臺積電表示,自2008年9月正式發(fā)表28納米技術(shù)后,發(fā)展與量產(chǎn)時程皆按預(yù)期計畫如期進行。
目前臺積電28納米低功耗制程因延伸自氮氧化矽(SiON)制程,成本與功耗較低,主要鎖定行動電話、精巧型隨身易網(wǎng)機(smart netbook)、無線通訊、可攜式消費性電子等低耗電應(yīng)用市場;而在高效能制程上,則采用閘極后制(gate-last)技術(shù),鎖定中央處理器、繪圖處理器、芯片組與可程序化閘陣列(FPGA)、游戲主機等高效能芯片應(yīng)用。
值得一提的是,英特爾是閘極后制技術(shù)擁護者,而另一半導(dǎo)體陣營IBM則以閘極優(yōu)先(gate-first)為取向。臺積電研發(fā)副總孫元成指出,采用閘極后制方式發(fā)展28納米高效能制程,在晶體管特性、應(yīng)用優(yōu)勢及可制造性等方面,都比閘極優(yōu)先方法好。目前采取閘極優(yōu)先以IBM為主軸,包括策略伙伴Global Foundries與特許都已推出28納米制程,其中,Global Foundries預(yù)計2010年與客戶完成設(shè)計,2011年量產(chǎn),與臺積電時程幾乎不相上下。
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存儲業(yè)務(wù)是根據(jù)不同的應(yīng)用環(huán)境,運營商或業(yè)務(wù)提供商通過采取合理、安全、有效的方式將數(shù)據(jù)保存到某些介質(zhì)上并能保證有效訪問的業(yè)務(wù)。
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