臺積電（2330）與微影設備大廠荷商艾司摩爾（ASML）昨（22）日共同宣布，臺積電將取得ASML的TWINSCAN NXE：3100極紫外光（Extreme Ultra-Violet，EUV）微影設備。這是臺積電在布局多重電子束的無光罩（maskless）、雙重曝影（double patterning）浸潤式等微影技術之外，首度宣示將跨入極紫外光微影技術領域。

臺積電在目前量產中的40奈米，及年底即將進行風險試產的28奈米，均采用雙重曝影的浸潤式微影技術，但現階段投入研發(fā)的22奈米，過去一年來鎖定的微影技術，較傾向采用多重電子束的無光罩技術，對于由ASML主導的EUV技術較少著墨。不過，由于三星、東芝、海力士等業(yè)者，已成功利用EUV發(fā)展30奈米及20奈米世代的內存微影技術，臺積電昨日宣布，開始跨入EUV微影技術的研發(fā)。

臺積電及ASML昨日宣布，臺積電將取得ASML的EUV微影設備，并安裝在竹科12吋廠Fab12這座超大晶圓廠（GigaFab）中，用以發(fā)展新世代的制程技術。臺積電也將成為全球第一個可在自有晶圓廠發(fā)展EUV微影技術的晶圓代工廠。

臺積電指出，相較于現行浸潤式微影技術以193奈米波長當作光源，EUV微影技術導入更短波長的光源，將有機會降低生產成本，而成為集成電路制造更先進技術世代一個有潛力的選擇。臺積電目前正在對EUV及其他微影技術的最佳成本效益的潛力進行評估。

臺積電研究發(fā)展資深副總經理蔣尚義表示，臺積電利用ASML的TWINSCAN NXE：3100設備，進行更先進世代制程技術的研發(fā)。EUV微影技術是臺積電正在研究的次世代微影技術之一，而導入此項設備，不但切合臺積電保持先進技術領先的目標，更強化了臺積電不斷投資于歐洲半導體業(yè)創(chuàng)新的一貫承諾。

由于EUV設備仍然十分昂貴，相對應的光罩投資金額也十分驚人，22奈米世代的研發(fā)投資幾乎是上一世代28奈米的一倍，所以連芯片龍頭大廠英特爾，至今對于EUV導入量產仍持保留態(tài)度。不過，一旦全球主要微影設備廠開始將EUV視為未來重點發(fā)展方向，EUV仍有機會在22奈米及更次世代的15奈米，成為微影技術的重要解決方案。