諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus)日前宣布，已經(jīng)在VECTOR PECVD平臺(tái)上開發(fā)出具有晶圓對(duì)晶圓間膜厚變異小于2埃的精密抗反射層薄膜(ARL)。新制程采用VECTOR特有的多重平臺(tái)序列式沉積工藝技術(shù)架構(gòu)(MSSP)，沉積出的ARL薄膜具有格外均勻的薄膜厚度、折射率(n)和消光系數(shù)(K)。這種新薄膜已超越了次32nm微顯影的要求，且優(yōu)于由平行式單平臺(tái)沉積技術(shù)所制造出來的薄膜。
成功控制關(guān)鍵尺寸(CD)的變化量是對(duì)32及次32奈米微顯影不可或缺的一環(huán)。2009年國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)中建議總關(guān)鍵尺寸(CD)的變異量應(yīng)控制在小于1nm，以確保超高性能電路的功能性。如高端相位偏移遮蔽復(fù)合光學(xué)近端校正的先進(jìn)的微顯影CD控制設(shè)備，已成為極其昂貴的投資，以便達(dá)到32奈米組件制造的嚴(yán)格CD控制需求。
另外有一個(gè)有效且較不昂貴被稱為「劑量補(bǔ)償」的技術(shù)被應(yīng)用來控制微顯影技術(shù)的變異量，晶圓上特定區(qū)域的照射劑量被軟件運(yùn)算所補(bǔ)償調(diào)整，為了確保適當(dāng)?shù)膭┝垦a(bǔ)償，這個(gè)技術(shù)成功的關(guān)鍵在于需要在每一片晶圓上應(yīng)用可精密控制膜厚及光學(xué)特性的抗反射層薄膜。
諾發(fā)公司的工程師已經(jīng)在VECTOR機(jī)臺(tái)上開發(fā)出一種新的ARL制程技術(shù)，且提供了這些需要使用光譜吸收劑量補(bǔ)償控制策略的晶圓間有著更一致的效果。新的制程技術(shù)，還連結(jié)了VECTOR機(jī)臺(tái)本身角度精準(zhǔn)度小于0.3毫米，以確保預(yù)期的薄膜性質(zhì)符合32奈米微影技術(shù)的需求。
VECTOR的ARL薄膜無論是在晶圓本身或是晶圓與晶圓之間都有較低的差異性，且擁有著晶圓分布的可預(yù)測(cè)性。相較之下，使用單站機(jī)臺(tái)沉積的ARL薄膜會(huì)有極大的晶圓間差異，它將會(huì)危及光譜吸收補(bǔ)償控制策略的制程。
此外，諾發(fā)公司的ARL制程只有1.6A的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)厚度變化，或0.34%的厚度差異。而類似雙單站沉積ARL薄膜的厚度差異卻達(dá)到了7.3A(或是1.5% 厚度差異)，誤差超過了諾發(fā)公司的制程4倍之大。在這本來就已經(jīng)是雙單站沉積形式的機(jī)臺(tái)因素中，這種變化可能過于懸殊去影響到光譜吸收補(bǔ)償制程的CD控制。