量測(cè)設(shè)備儀器廠科磊(KLA-Tencor)指出，隨著40奈米以下先進(jìn)制程對(duì)于良率提升需求，科磊已陸續(xù)推出多樣系列產(chǎn)品，并已跨入20奈米、10奈米級(jí)等先進(jìn)制程，預(yù)期2010年將有22樣新產(chǎn)品問世，帶動(dòng)業(yè)績成長。

目前科磊在全球已安裝2.3萬部機(jī)臺(tái)，全球員工超過5,100人，過去4年來投入逾15億美元的研發(fā)經(jīng)費(fèi)。科磊第2季凈利1.13億美元，每股稅后盈余0.66美元，與2009年同期相比，順利轉(zhuǎn)虧為盈，科磊也預(yù)期，2010全年?duì)I收將達(dá)18億美元。

科磊營銷長Brian Trafas指出，2010年由于內(nèi)存廠與晶圓代工廠大舉投資，帶動(dòng)機(jī)臺(tái)接單暢旺，其中62%訂單來自于亞太地區(qū)，20%來自于北美地區(qū)，11%來自于日本，另外7%來自歐洲地區(qū)。

科磊臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理張水榮指出，隨著芯片走向40奈米以下先進(jìn)制程，芯片設(shè)計(jì)空間更小，光罩也需要做更多，另一方面，材料應(yīng)用門坎也更高，芯片裝置設(shè)計(jì)復(fù)雜化，皆使得芯片瑕疵檢測(cè)難度更高。

拿40奈米制程與90奈米相較，90奈米制程步驟約550道，4x奈米則需要約1000道工序。在光罩方面，90奈米需要31道工序，40奈米則需要50道;在新材料方面，90奈米約15種，40奈米則超過45種，顯示40奈米制程困難度大幅提升。

Br! ian Trafas表示，為因應(yīng)大量40奈米以下先進(jìn)制程的檢測(cè)需求，科磊在2010年推出多樣新品，包括Aleris8330系列晶圓檢測(cè)機(jī)臺(tái)，大幅提升在32奈米制程的競(jìng)爭(zhēng)力;另外，針對(duì)2x奈米節(jié)點(diǎn)以下微影覆蓋控制需求，也推出Archer 300CLM迭對(duì)(overlay)量測(cè)系統(tǒng)。

另一方面，針對(duì)光罩檢測(cè)，也推出TeraFabHT系列產(chǎn)品，搭配eDR-5210S電子束檢測(cè)機(jī)臺(tái)，協(xié)助客戶提升光罩制程速度，進(jìn)一步加速量產(chǎn)速度。另外也推出新的服務(wù)模式KlearPoint，能夠加速實(shí)時(shí)在線檢測(cè)，減少制= 中需要停機(jī)進(jìn)行檢測(cè)的損耗。

Brian Trafas指出，與2009年相較，核心產(chǎn)品(晶圓檢測(cè)、光罩檢測(cè)、量測(cè)設(shè)備與太陽能/LED后段檢測(cè)設(shè)備)訂單成長207%，非半導(dǎo)體類產(chǎn)品訂單成長86%，服務(wù)則成長13%。相較于2006年推出14樣新產(chǎn)品，2010年科磊將推出22件新產(chǎn)品。

Brian Trafas進(jìn)一步指出，公司預(yù)期未來10年，在產(chǎn)能需求與制程技術(shù)提升等驅(qū)力之下核心產(chǎn)品銷售將成長8%，伴隨安裝的設(shè)備增加，服務(wù)營收預(yù)期將成長11~14%，至于太陽能與LED由于基期較低，市場(chǎng)成長潛力強(qiáng)勁，可望成長超過2成。

在臺(tái)灣布局方面，張水榮表示，目前科磊在臺(tái)灣約341位員工，分布于桃園、新竹、臺(tái)中及臺(tái)南等4個(gè)據(jù)點(diǎn)。張水榮指出，過去一段時(shí)間，許多科技廠關(guān)閉位于臺(tái)中的生產(chǎn)基地，不過科磊并未跟進(jìn)，因此2010年也順利接到臺(tái)積電中科晶圓15廠訂單。

在太陽能產(chǎn)品方面，科磊指出，歸功于過去幾年的購并策略，使科磊獲得許多新的技術(shù)支持，目前ICOS系統(tǒng)出貨已超過1000臺(tái)，具有里程碑意義。

Brian Trafas指出，有鑒于自2006年起進(jìn)行的8件購并與策略聯(lián)盟的成功案例，未來科磊也將持續(xù)積極進(jìn)行購并策略。