全球主要晶圓代工廠不約而同大舉擴張產(chǎn)能，讓供過于求的疑慮升溫，尤其在40奈米以下先進制程市場，由于客戶群高度集中，且技術(shù)與資本門坎極高，因此，需求規(guī)模相對較小，讓先進制程的產(chǎn)能利用率恐難達到預(yù)期水平。全球半導(dǎo)體市場脫離2009年經(jīng)濟風(fēng)暴后迅速復(fù)蘇，晶圓代工大廠紛紛增加資本支出，并向先進制程靠攏，今年除推展40奈米(nm)制程外，28和20奈米制程規(guī)畫也如火如荼展開。分析師預(yù)測，隨著新產(chǎn)能陸續(xù)開出，2011年全球晶圓代工市場將面臨供需失衡的危機。
今年上半年，半導(dǎo)體市場可謂欣欣向榮。市場需求的大幅成長，不僅讓晶圓廠上半年營收表現(xiàn)亮麗，也造成晶圓供給呈現(xiàn)緊張狀態(tài)，包括臺積電、聯(lián)電、三星(Samsung)、中芯國際與全球晶圓(GlobalFoundries)無不加碼擴充新產(chǎn)能，紓解產(chǎn)能緊繃情形。
以臺積電來看，2010年第二季營收再創(chuàng)新高，達新臺幣1,049億6,000萬元，較上一季成長14%，而與去年同期相比，營收則增加41%。其中，0.13微米及其以下先進制程的營收比重已高達72%。 圖1 臺積電董事長兼總執(zhí)行長張忠謀表示，2010年該公司在65奈米及其以下先進制程的資本支出比重將上看八成。臺積電董事長兼總執(zhí)行長張忠謀(圖1)于2010年第二季法人說明會上表示，目前臺積電整體產(chǎn)能尚處于吃緊狀態(tài)，因此，今年資本支出的主要重點是增加 Fab12及Fab14兩座既有超大型晶圓廠(GigaFab)的產(chǎn)能，預(yù)估峻工后，每座廠產(chǎn)能將可達每月十五萬片晶圓，是一般晶圓廠產(chǎn)能的三至四倍。此外，位于臺中的第三座GigaFab也已于日前開始動工。
據(jù)了解，臺積電第二季總產(chǎn)能為二百七十四萬九千片8吋約當晶圓，已較第一季成長7.1%，預(yù)估第三季產(chǎn)能將較第二季提高7%，而第四季則比第三季微幅攀升3.5%。整體而言，2010年總產(chǎn)能將較去年增長14%，其中，12吋廠產(chǎn)能更勁揚36%，均較原先預(yù)期提高。
下半年需求仍強晶圓雙雄上調(diào)CAPEX
有鑒于下半年客戶需求仍舊相當強勁，臺積電也宣布將再上調(diào)今年的資本支出(CAPEX)，由原先預(yù)定的48億美元增加至59億美元，其中有約1億美元將用于發(fā)光二極管(LED)與太陽能等新事業(yè)投資。
張忠謀指出，自今年1月以來，客戶對今年全年及明年的需求預(yù)估均上升，因此臺積電自年初開始即擴大資本支出。他強調(diào)，臺積電產(chǎn)能擴充的計劃系根據(jù)客戶需求而定訂，絕非靠臆測而來。換言之，臺積電不會先徑自擴產(chǎn)后，再去尋找客戶。
張忠謀進一步透露，用于晶圓制造廠的58億美元資本支出中，79%的比例將用于28、40及65奈米制程技術(shù)，13%將投入超越摩爾(More than Moore)的相關(guān)技術(shù)，而8%則用來購買研發(fā)用的工具與設(shè)備。
在LED與太陽能等新事業(yè)方面，張忠謀也寄予厚望。他指出，在太陽能方面，臺積電日前已與美商Stion簽訂技術(shù)與生產(chǎn)供應(yīng)協(xié)議，未來會將主要研發(fā)資源投入銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能技術(shù)，而先前入股茂迪，則有助臺積電在進入太陽能市場的初期，獲得可靠的合作伙伴，從而縮短學(xué)習(xí)曲線，但并不會投入這方面的技術(shù)研究。至于LED的布局也大有進展，已在3月底動土興建的LED照明技術(shù)研發(fā)中心暨量產(chǎn)廠房，將于下半年開始進駐相關(guān)機臺。
另一方面，聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉也對今年下半年景氣看法相當樂觀，并透露包括6吋、8吋及12吋晶圓廠產(chǎn)能都將持續(xù)滿載，預(yù)估下半年整體表現(xiàn)將可優(yōu)于上半年。不僅如此，聯(lián)電也同樣宣布將上修今年的資本支出，由原先約15億美元增加至18億美元，投入65奈米及其以下制程的擴建，以滿足客戶對高階產(chǎn)能的需求。
目前，聯(lián)電位于臺南科學(xué)園區(qū)的Fab12A廠第三期工程已經(jīng)完成，預(yù)計年底前即可上線運作，對2011年40奈米產(chǎn)線的營收將大有幫助。而位于新加坡的Fab12i廠，也已啟動65/55奈米制程的建置工作。
此外，包括全球晶圓、中芯國際和三星也都將產(chǎn)能擴充視為今年首要的營運重心(表1)，資本支出的金額也較往年大幅提升。表1 2010年全球主要晶圓代工業(yè)者資本支出與擴充計劃
先進制程客戶集中產(chǎn)能供需局面生變
值得注意的是，由于各大晶圓廠的產(chǎn)能擴充計劃，大多以65奈米及其以下先進制程為主，因此，相較于90與130奈米，客戶群將更趨集中，尤其在40奈米以下，有能力負擔(dān)高昂研發(fā)費用的半導(dǎo)體商將大幅縮減。 圖2 資策會MIC的資深產(chǎn)業(yè)分析師潘建光表示，隨著日本IDM積極走向輕資產(chǎn)化經(jīng)營與中國大陸IC設(shè)計自制率增加，將成晶圓代工市場未來的成長主力。資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)資深產(chǎn)業(yè)分析師潘建光(圖2)指出，半導(dǎo)體市場于今年恢復(fù)榮景，整體規(guī)模再攀新高，這股成長趨勢推動主要晶圓代工廠投入大量資本擴充產(chǎn)能，預(yù)估2010年包括臺積電、聯(lián)電、全球晶圓和中芯國際等前四大晶圓代工業(yè)者的合計產(chǎn)能，將較2009年增長15～20%，而這股產(chǎn)能擴充的成效，將導(dǎo)致晶圓代工產(chǎn)能在2011年呈現(xiàn)供需失衡狀態(tài)。
另一方面，由于主要晶圓代工業(yè)者積極導(dǎo)入40奈米及其以下高階制程，將使全球晶圓代工市場版圖在2012年風(fēng)貌丕變。潘建光分析，臺積電、全球晶圓、三星與聯(lián)電的40奈米制程均已陸續(xù)到位，前三者更將于2011年開出28奈米產(chǎn)能；此外，臺積電與全球晶圓更已展開20/22奈米布局。也因此，一旦產(chǎn)能開出，勢將使得先進制程訂單的供需關(guān)系發(fā)生轉(zhuǎn)變。舉例來說，賽靈思(Xilinx)的28奈米FPGA訂單恐將分別落到臺積電與三星手中。
此外，日前瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布進行組織調(diào)整時也明確表示，未來28奈米技術(shù)將分別委由臺積電及全球晶圓制造。顯見在先進制程世代，無晶圓廠 (Fabless)IC設(shè)計公司與整合組件制造商(IDM)將傾向同時與兩家以上晶圓廠合作，以避免產(chǎn)品開發(fā)的風(fēng)險。
瑞薩電子總裁Yasushi Akao在2011年會計年度第一季(截至6月30日)法說會上指出，為強化組織結(jié)構(gòu)并因應(yīng)市場環(huán)境的轉(zhuǎn)變，該公司將建立一個晶圓廠網(wǎng)絡(luò)(Fab Network)，并將28奈米及其以下先進制程的產(chǎn)品委由外部專業(yè)晶圓代工廠制造，其中，臺積電與全球晶圓(GlobalFoundries)將是主要的策略合作伙伴。
IDM委外趨勢成形晶圓代工前景看俏
這種分散下單的策略，除印證先進制程的技術(shù)與資本門坎均相當高外，亦突顯IDM委外的商業(yè)模式將更趨成形。 [!--empirenews.page--]
事實上，由于臺積電第二季營收中，由IDM委外而來的比例自第一季的23%下滑至21%，讓不少法人對于IDM委外釋單的前景有所疑慮。對此，張忠謀指出，雖然本季IDM委外的營收比重下降，但并不代表該項業(yè)務(wù)出現(xiàn)萎縮，而是無晶圓廠(Fabless)業(yè)務(wù)成長更為快速所致(表2)。他強調(diào)，IDM委外的趨勢將持續(xù)不衰，未來10年內(nèi)，幾乎所有IDM都將轉(zhuǎn)型成為無晶圓廠或極輕晶圓廠(Fab Very Lite)，其中，超越摩爾的相關(guān)技術(shù)，更是IDM委外最主要的產(chǎn)品領(lǐng)域，而臺積電也已投入可觀的資本支出著手布局，因此，對于IDM委外業(yè)務(wù)的成長前景信心滿滿。
針對瑞薩電子同時將與全球晶圓合作28奈米技術(shù)，張忠謀則表示，在瑞薩與NEC電子尚未合并之前，臺積電就與瑞薩擁有密切的合作關(guān)系，而當時NEC電子則隸屬IBM技術(shù)聯(lián)盟。未來，臺積電仍將積極與瑞薩電子進行合作，對于雙方關(guān)系的進展相當樂觀。
潘建光分析，隨著瑞薩電子與富士通更為積極落實輕晶圓廠的發(fā)展策略，未來日本IDM對全球晶圓代工市場產(chǎn)值的貢獻比重將逐年增加。此外，由于中國大陸IC設(shè)計自制率已明顯提升，亦將成為推動晶圓代工市場成長的另一股重要動能。