IBM技術(shù)聯(lián)盟成員GlobalFoundries和Samsung否認了近期聯(lián)盟在高k/金屬柵技術(shù)上遇到了麻煩。

在高k/金屬柵上IBM集團采用Gate-first工藝，而Intel和臺積電等大廠則采用Gate-last工藝。

Barclay銀行分析師Andrew Lu稱，IBM集團在采用Gate-first工藝的過程中遇到了熱穩(wěn)定性、閾值電壓漂移和柵堆疊層再生長等問題，這對于PMOS來說是非常嚴重的問題。

Lu還表示，預(yù)計臺積電有望憑借Gate-last工藝在28nm轉(zhuǎn)移戰(zhàn)中占得先機。

但IBM集團成員否認這一說法。GlobalFoundries稱，在Gate-first問題上存在著一些誤區(qū)?！拔覀兒徒鹑诜治鰩煹穆?lián)系不是很緊密，因為我們不是一家上市公司，所以他們得到的并非最新信息?！比莿t稱：“大家都知道我們在6月就認證了32nm高k/金屬柵工藝，并未遇到這種問題?！?/p>

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