法國研究機(jī)構(gòu) CEA-Leti 表示，已成功使用直寫電子束微影(direct-write e-beam lithography)技術(shù)制作出 22nm線與空間(lines and spaces)，而且所展示的分辨率可符合 14nm與10nm 邏輯制程節(jié)點(diǎn)的需求。

除此之外，開發(fā)多電子束(multibeam)設(shè)備原型、目前正獲得 CEA-Leti 采用的荷蘭廠商 Mapper Lithography，與CEA-Leti共同宣布雙方擴(kuò)張伙伴關(guān)系，將其合作研發(fā)計劃“Imagine”期限展延三年；其內(nèi)容包括為CEA-Leti安裝第一套Matrix試產(chǎn)(pre-production)工具。

Mapper的試產(chǎn)平臺已經(jīng)在2009年中安裝于CEA-Leti 的無塵室；包括意法(ST)與臺積電(TSMC)都是Imagine研究案的原始參與者，來自13家公司的50位代表則在2012年1月份參與了一場研究項目的營運(yùn)審查。

意法、臺積電與Mapper、Nissan Chemical、TOK、Dow、JSR Micro、Synopsys、Mentor Graphics、 Sokudo與 Tokyo Electron、Aselta也參與了該項研究項目，目標(biāo)是在商業(yè)化制造環(huán)境提供無光照微影技術(shù)。

“Mapper將在2012年完成Matrix試產(chǎn)平臺，初始吞吐量為每小時1片晶圓，未來將可提升至每小時10片晶圓；”Mapper執(zhí)行長Bert Jan Kampherbeek表示。CEA-Leti執(zhí)行長Laurent Malier則指出：“透過將Imagine研究項目展延三年，我們將持續(xù)為產(chǎn)業(yè)界對電子束微影技術(shù)越來越濃厚的興趣提供解答?！?/p>