3D IC趨勢(shì)已成型，生產(chǎn)制程設(shè)備廠志圣(2467)推出2.5D/3D IC真空晶圓壓膜制程以及一系列其他3D IC相關(guān)的制程設(shè)備配套的解決方案，志圣表示，相較于現(xiàn)有干式制程輪壓合的方法，干式真空晶圓壓膜制程徹底解決該法產(chǎn)生破片、氣泡、壓合不足、良率不佳及產(chǎn)生污染等缺點(diǎn)，在制作光阻層的應(yīng)用上，志圣真空晶圓壓膜制程更具備能將10微米到30微米的高厚度的光阻層制作1次完成，且對(duì)于光阻材料的利用率高達(dá)60% 的巨大優(yōu)點(diǎn)。
另外，志圣表示，相較于現(xiàn)有濕式制程，志圣工業(yè)真空晶圓壓膜制程制作光阻層的速度是濕式制程的3倍，大幅提升生產(chǎn)效率，于光阻材料使用上相較于濕式制程10%的低光阻使用率，更節(jié)省50%以上的用量，大幅提高半導(dǎo)體業(yè)界使用者在成本上的競(jìng)爭(zhēng)能力。除此之外,，志圣的真空晶圓壓膜制程可減少一個(gè)EBR(晶邊清洗)的制程，而省去了EBR的制程及時(shí)間，也意味著產(chǎn)品不良率的進(jìn)一步降低。

3D IC為將晶片立體堆疊化的整合模式，以達(dá)到尺寸精簡(jiǎn)的最佳效益，其最大特點(diǎn)在于可將不同功能、性質(zhì)或基板的晶片，各自采用最合適的制程分別制作后，再利用矽穿孔(Through-Si Via, TSV)技術(shù)進(jìn)行立體堆疊整合，以有效縮短金屬導(dǎo)線長(zhǎng)度及連線電阻，進(jìn)而減少晶片面積，具有小體積、高整合度、高效率、低耗電量及成本之優(yōu)勢(shì)，并同時(shí)符合數(shù)位電子輕薄短小發(fā)展趨勢(shì)要求。
志圣專精在熱制程(Thermal Transfer)、紫外線制程(UV Light Treatment)、電漿制程(Plasma)、濕制程(Wet Process)與壓膜涂布制程(Lamination & Coating)等各大制程；目前在兩岸擁有6個(gè)生產(chǎn)基地，并于臺(tái)北、新竹、臺(tái)中、廣州、昆山、千燈等地設(shè)立三十個(gè)「大中華」生產(chǎn)及服務(wù)據(jù)點(diǎn)。
志圣主要專注生產(chǎn)制程設(shè)備，市場(chǎng)廣泛應(yīng)用在主要電子產(chǎn)業(yè)(PCB、FPD、SEMI、PV、LED等)，提供各式客制化制程生產(chǎn)設(shè)備，產(chǎn)品包括 TSV/MEMS深蝕刻設(shè)備、LED/PV干蝕刻設(shè)備、晶圓壓膜機(jī)、AMHS/CIM自動(dòng)化設(shè)備整合及無(wú)氧無(wú)塵烘箱；主要客戶包含聯(lián)電(2303)、臺(tái)積電(2330)、日月光(2311)、敦南(5305)、矽品(2325)等知名大廠。