意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級的半導(dǎo)體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的FD-SOI（FullyDepletedSilicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消費(fèi)者對智能手機(jī)和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時(shí)又不能犧牲電池壽命。在設(shè)備廠商滿足消費(fèi)者這些需求的努力中，意法半導(dǎo)體的FD-SOI芯片的量產(chǎn)和上市將起到至關(guān)重要的作用。

多媒體融合應(yīng)用需要性能和能效兼?zhèn)涞?strong>半導(dǎo)體技術(shù)。隨著芯片外觀尺寸不斷縮小，傳統(tǒng)技術(shù)無法使晶體管的性能和電池壽命同時(shí)達(dá)到最高水準(zhǔn)，無法在實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能的同時(shí)確保溫度不超過安全限制。解決之道是采用FD-SOI技術(shù)，該技術(shù)兼?zhèn)渥罡咝阅堋⒌凸ぷ鞴模ㄔ诟鞣N應(yīng)用中，降低電源功率后還能保持良好的性能）和低待機(jī)功耗。

憑借其注重成本效益的平面型FD-SOI技術(shù)，意法半導(dǎo)體率先推出了28納米的全耗盡型器件，遙遙領(lǐng)先競爭對手。為FD-SOI貨源提供雙重保障，意法半導(dǎo)體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協(xié)議，以補(bǔ)充意法半導(dǎo)體位于法國Crolles工廠的產(chǎn)能。28n納米FD-SOI器件目前已商用化，預(yù)計(jì)于2012年7月前投入原型設(shè)計(jì)；而20納米FD-SOI器件目前處于研發(fā)階段，預(yù)計(jì)2013年第三季度投入原型設(shè)計(jì)。

意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)已被ST-Ericsson用于下一代移動(dòng)平臺，這項(xiàng)技術(shù)將使ST-Ericsson的NovaThor平臺具有更高的性能和更低的功耗，在發(fā)揮最高性能的時(shí)候可降低功耗達(dá)35%。

意法半導(dǎo)體計(jì)劃向GLOBALFOUNDRIES的其它客戶開放FD-SOI技術(shù)，讓他們能夠使用目前最先進(jìn)的28納米和20納米技術(shù)研發(fā)產(chǎn)品。