“這就是我們的可實際開展工作的14nm工藝”。美國英特爾首席執(zhí)行官（CEO）布萊恩·克蘭尼克（Brian Krzanich）在2013年9月10日于美國舊金山舉行的“Intel Developer Forum（IDF）”主題演講中，現(xiàn)場演示了配備新一代14nm級微處理器“Broadwell”（開發(fā)代碼）的個人電腦（Ultrabook）。

“將在2013年內(nèi)開始量產(chǎn)采用14nm級工藝技術(shù)的處理器”?？颂m尼克在主題演講中宣布，將按照計劃使工藝技術(shù)微細(xì)化至14nm。配備Broadwell的產(chǎn)品估計可在2014年提供給廠商。


英特爾首席執(zhí)行官（CEO）布萊恩·克蘭尼克手拿配備14nm級微處理器“Broadwell”的Ultrabook（點擊放大）

14nm工藝的芯片（點擊放大）

每兩年進(jìn)行一次微細(xì)化，2017年將微細(xì)化至7nm工藝（點擊放大）

英特爾已經(jīng)量產(chǎn)的high-k（高介電常數(shù)）柵極絕緣膜和Tri-Gate晶體管原以為很難制造（點擊放大）
據(jù)介紹，當(dāng)處理器的工藝技術(shù)微細(xì)化至14nm后，與現(xiàn)有的基于22nm級“Haswell”（開發(fā)代碼）的處理器相比，可將耗電量降低30％。英特爾堅持推進(jìn)每兩年進(jìn)行一次微細(xì)化的技術(shù)戰(zhàn)略，計劃2013年量產(chǎn)14nm工藝技術(shù)、2015年量產(chǎn)10nm工藝技術(shù)、2017年量產(chǎn)7nm工藝技術(shù)。在此次的主題演講中，該公司強調(diào)最新的14nm工藝技術(shù)正在順利推進(jìn)研發(fā)。

英特爾將在14nm工藝中繼續(xù)采用22nm工藝中導(dǎo)入的立體溝道構(gòu)造Tri-Gate晶體管（FinFET）技術(shù)。在克蘭尼克之后亮相的該公司總裁雷內(nèi)·詹姆斯（Renee James）表示，利用以Tri-Gate為代表的技術(shù)突破，“摩爾法則”能夠繼續(xù)擁有生命力。（記者：木村 雅秀，日經(jīng)BP半導(dǎo)體調(diào)查）