意法半導體(STMicroelectronics，ST)率先將矽穿孔技術(Through-Silicon Via，TSV)導入 MEMS 晶片量產(chǎn)。在意法半導體的多晶片 MEMS 產(chǎn)品(如智慧型感測器和多軸慣性模組)中，矽穿孔技術以短式垂直互連方式(short vertical interconnect)取代傳統(tǒng)的晶片連接，在尺寸更小的產(chǎn)品內實現(xiàn)更高的整合度和性能。
矽穿孔技術透過短式垂直結構連接同一個封裝內堆疊放置的多顆晶片，相較于傳統(tǒng)的打線接合(wire bonding)或覆晶堆疊(flip chip stacking)技術，矽穿孔技術擁有更高的空間使用效率和互連密度。意法半導體已取得矽穿孔技術專利，并將其用于大規(guī)模量產(chǎn)制造產(chǎn)品，此項技術有助于縮減 MEMS 晶片尺寸，同時可提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。

在大規(guī)模量產(chǎn)制造 MEMS 感測器和致動器方面，意法半導體成功研發(fā)出尺寸小巧、測量精確且價格實惠的動作感測器，并帶動消費性電子 MEMS 技術創(chuàng)新。截至今日，意法半導體的 MEMS 晶片出貨量已超過16億顆，主要用于消費性電子、電腦、汽車產(chǎn)品、工業(yè)控制以及醫(yī)療保健領域。