意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST) 率先向小米(Mi1S)等中國(guó)新興智慧型手機(jī)制造商供應(yīng)LSM303D 加速度計(jì)和磁強(qiáng)計(jì)二合一模組。意法半導(dǎo)體的 LSM303 電子羅盤系列在2x2x1mm微型模組內(nèi)整合一個(gè)3軸加速度計(jì)和一個(gè)3軸磁場(chǎng)感測(cè)器。
該系列的 LSM303C 近期獲MEMS產(chǎn)業(yè)集團(tuán) (MEMS Industry Group，MIG)評(píng)選為「年度產(chǎn)品」。這些元件可精確地測(cè)量外部磁場(chǎng)的方向和強(qiáng)度，同時(shí)整合的加速度計(jì)可修正傾斜度對(duì)精確度的影響，即使在手持裝置傾斜時(shí)，仍能確保羅盤方向的精確度。這些功能可實(shí)現(xiàn)當(dāng)今所有行動(dòng)產(chǎn)品的重要核心功能之一：旋轉(zhuǎn)螢?zāi)还δ堋?br>
意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁暨類比、MEMS和感測(cè)器事業(yè)群總經(jīng)理Benedetto Vigna表示：「對(duì)于智慧型手機(jī)等行動(dòng)裝置，每一毫瓦(milliwatt)都很重要。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品均符合最低的尺寸限制要求，在不犧牲其它性能的前提下，大幅降低地功耗。這些優(yōu)勢(shì)有助于裝置/設(shè)備制造商研發(fā)更符合客戶預(yù)期的產(chǎn)品，同時(shí)大幅降低全球資源的浪費(fèi)?！?br>
LSM303的低功耗是利用一種叫做磁阻(Magneto Resistance，MR)的物理現(xiàn)象。相較于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品所用的技術(shù)，例如霍爾效應(yīng)(Hall effect)或磁通閘(fluxgate)，磁阻的能效更高。憑藉意法半導(dǎo)體工程團(tuán)隊(duì)的雄厚研發(fā)實(shí)力，新產(chǎn)品充分利用了磁阻技術(shù)固有的高能效優(yōu)勢(shì)，同時(shí)模組尺寸、全量程分辨率和雜訊表現(xiàn)均與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品媲美甚至更超越其競(jìng)爭(zhēng)廠商。

Vigna表示：「在功耗、性能、價(jià)格及尺寸方面，我們的MEMS技術(shù)持續(xù)全方位地提高產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，這讓像小米一樣的中國(guó)新創(chuàng)公司能夠提高他們所在市場(chǎng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)?！钩松頌槿蜃畲蟮腗EMS感測(cè)器供應(yīng)商外，意法半導(dǎo)體還是MEMS業(yè)界的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商，意法半導(dǎo)體在全球擁有900余項(xiàng)的MEMS相關(guān)專利(包括已獲準(zhǔn)及目前在審核階段)。