[導讀]瑞薩電子于2010年7月29日公布了2010財年第一季度（2010年4～6月）的結算報告。銷售額為與上年同期相比增加24％的2920億日元，半導體銷售額為同比增加25％的2615億日元，營業(yè)虧損為同比改善436億日元的3億日元，凈虧損
瑞薩電子于2010年7月29日公布了2010財年第一季度（2010年4～6月）的結算報告。銷售額為與上年同期相比增加24％的2920億日元，半導體銷售額為同比增加25％的2615億日元，營業(yè)虧損為同比改善436億日元的3億日元，凈虧損為同比改善114億日元的331億日元。
凈虧損331億日元是因為計入了331億日元的生產(chǎn)線減值損失。具體為分別對山形的300mm生產(chǎn)線和美國羅斯維爾（Roseville）的200mm生產(chǎn)線進行了減值處理。不同業(yè)務的銷售額方面，SoC為同比減少3％的777億日元，微處理器為同比增加42％的993億日元，模擬及功率半導體為同比增加45％的826億日元。
2010財年的全財年業(yè)績預期方面，預計銷售額為較上財年增加12％的1萬億1900億日元，比2010年5月11日發(fā)布的數(shù)值上調(diào)了200億日元。預計營業(yè)損益為比上財年改善1202億日元的盈利70億日元，凈虧損為比上財年改善577億日元的虧損800億日元。凈虧損800億日元是因為計入了合計約770億日元的特別虧損，其中因生產(chǎn)結構調(diào)整對策計入約530億日元、因提高人力效率的對策（人員削減和再配置）計入約240億日元。另外，不同業(yè)務的銷售額相對于上財年的增長率方面，SoC為10％～15％，微控制器為15％～20％，模擬及功率半導體為15％～20％。
2010年4月1日由瑞薩科技與NEC電子經(jīng)營合并而成的瑞薩電子，在公司上下推進了合并100天內(nèi)決定業(yè)務構造改革框架的“百日計劃”。此次，瑞薩電子報告了該計劃的推進結果。結果如下。
首先，銷售額方面，將把2010～2012財年的年平均增長率提高至7～10％。為此，瑞薩電子將業(yè)務領域分為“擴大及增長業(yè)務”、“現(xiàn)行及核心業(yè)務”以及“縮小業(yè)務”三部分，把經(jīng)營資源集中到擴大及增長業(yè)務中。另外，2012財年的海外銷售額比例將由2010財年的50％增至60％以上。
在SoC業(yè)務中，將面向通信基礎設施、多媒體基礎設施以及產(chǎn)業(yè)基礎設施的業(yè)務定位為擴大及增長業(yè)務。面向通信基礎設施的業(yè)務方面，計劃通過收購芬蘭諾基亞的通信調(diào)制解調(diào)器部門加以強化。反之，“市場增長性較低的產(chǎn)品、低收益產(chǎn)品以及風險較高的部分尖端ASIC等業(yè)務將縮小”（瑞薩電子代表董事社長赤尾秦氏）。
在微控制器業(yè)務方面，將產(chǎn)品分為“高端”、“中端”以及“低端”三部分，對五種處理器內(nèi)核進行了分類。高端包括“V850”和“SuperH”，中端包括“RX”，低端包括“78K”和“R8C”。均定位為增長領域，沒有縮小業(yè)務的計劃。另外，為了強化在中國的微控制器業(yè)務，將任用中國當?shù)芈殕T為負責人，于2010年10月1日在中國的當?shù)劁N售法人內(nèi)成立全面負責從市場營銷到設計、銷售和生產(chǎn)（后工序）的組織。
在模擬及功率半導體業(yè)務中，將電源領域和汽車領域定位為擴大及增長領域，還將致力于與微處理器組合使用的套件解決方案（KitSolution）等。
因經(jīng)營合并而帶來的協(xié)同效應方面，預計2010～2012財年將累計實現(xiàn)約400億日元的成本削減效應。這得益于對開發(fā)環(huán)境、技術平臺以及各種基礎設施進行合并而帶來的效應。銷售渠道方面，將把日本國內(nèi)的代理店減少一半實現(xiàn)優(yōu)化。
得益于2010財年計入770億日元的特別虧損后實施的結構改革，以及經(jīng)營合并帶來的協(xié)同效應這兩方面因素，預計2010～2012財年累計將實現(xiàn)約1100億日元的成本削減效應。在結構改革方面，將主要在2010財年實施5000人規(guī)模的人力效率化對策。5000人中的1000人為內(nèi)部調(diào)動，因此實際將削減4000人。另外，收購諾基亞的通信調(diào)制解調(diào)器部門后將增加1100人，因此實際裁員數(shù)量相當于3000人。
尖端工藝方面，山形及那珂300mm生產(chǎn)線所支持的技術工藝只到40nm工藝，將凍結之后的微細化開發(fā)和量產(chǎn)。32/28nm工藝以后尖端工藝產(chǎn)品的量產(chǎn)，將全面委托給臺灣臺積電（TSMC）和美國GLOBALFOUNDRIES。另外，新一代半導體工藝的研發(fā)，將整合到與美國IBM之間的共同研究中。
凈虧損331億日元是因為計入了331億日元的生產(chǎn)線減值損失。具體為分別對山形的300mm生產(chǎn)線和美國羅斯維爾（Roseville）的200mm生產(chǎn)線進行了減值處理。不同業(yè)務的銷售額方面，SoC為同比減少3％的777億日元，微處理器為同比增加42％的993億日元，模擬及功率半導體為同比增加45％的826億日元。
2010財年的全財年業(yè)績預期方面，預計銷售額為較上財年增加12％的1萬億1900億日元，比2010年5月11日發(fā)布的數(shù)值上調(diào)了200億日元。預計營業(yè)損益為比上財年改善1202億日元的盈利70億日元，凈虧損為比上財年改善577億日元的虧損800億日元。凈虧損800億日元是因為計入了合計約770億日元的特別虧損，其中因生產(chǎn)結構調(diào)整對策計入約530億日元、因提高人力效率的對策（人員削減和再配置）計入約240億日元。另外，不同業(yè)務的銷售額相對于上財年的增長率方面，SoC為10％～15％，微控制器為15％～20％，模擬及功率半導體為15％～20％。
2010年4月1日由瑞薩科技與NEC電子經(jīng)營合并而成的瑞薩電子，在公司上下推進了合并100天內(nèi)決定業(yè)務構造改革框架的“百日計劃”。此次，瑞薩電子報告了該計劃的推進結果。結果如下。
首先，銷售額方面，將把2010～2012財年的年平均增長率提高至7～10％。為此，瑞薩電子將業(yè)務領域分為“擴大及增長業(yè)務”、“現(xiàn)行及核心業(yè)務”以及“縮小業(yè)務”三部分，把經(jīng)營資源集中到擴大及增長業(yè)務中。另外，2012財年的海外銷售額比例將由2010財年的50％增至60％以上。
在SoC業(yè)務中，將面向通信基礎設施、多媒體基礎設施以及產(chǎn)業(yè)基礎設施的業(yè)務定位為擴大及增長業(yè)務。面向通信基礎設施的業(yè)務方面，計劃通過收購芬蘭諾基亞的通信調(diào)制解調(diào)器部門加以強化。反之，“市場增長性較低的產(chǎn)品、低收益產(chǎn)品以及風險較高的部分尖端ASIC等業(yè)務將縮小”（瑞薩電子代表董事社長赤尾秦氏）。
在微控制器業(yè)務方面，將產(chǎn)品分為“高端”、“中端”以及“低端”三部分，對五種處理器內(nèi)核進行了分類。高端包括“V850”和“SuperH”，中端包括“RX”，低端包括“78K”和“R8C”。均定位為增長領域，沒有縮小業(yè)務的計劃。另外，為了強化在中國的微控制器業(yè)務，將任用中國當?shù)芈殕T為負責人，于2010年10月1日在中國的當?shù)劁N售法人內(nèi)成立全面負責從市場營銷到設計、銷售和生產(chǎn)（后工序）的組織。
在模擬及功率半導體業(yè)務中，將電源領域和汽車領域定位為擴大及增長領域，還將致力于與微處理器組合使用的套件解決方案（KitSolution）等。
因經(jīng)營合并而帶來的協(xié)同效應方面，預計2010～2012財年將累計實現(xiàn)約400億日元的成本削減效應。這得益于對開發(fā)環(huán)境、技術平臺以及各種基礎設施進行合并而帶來的效應。銷售渠道方面，將把日本國內(nèi)的代理店減少一半實現(xiàn)優(yōu)化。
得益于2010財年計入770億日元的特別虧損后實施的結構改革，以及經(jīng)營合并帶來的協(xié)同效應這兩方面因素，預計2010～2012財年累計將實現(xiàn)約1100億日元的成本削減效應。在結構改革方面，將主要在2010財年實施5000人規(guī)模的人力效率化對策。5000人中的1000人為內(nèi)部調(diào)動，因此實際將削減4000人。另外，收購諾基亞的通信調(diào)制解調(diào)器部門后將增加1100人，因此實際裁員數(shù)量相當于3000人。
尖端工藝方面，山形及那珂300mm生產(chǎn)線所支持的技術工藝只到40nm工藝，將凍結之后的微細化開發(fā)和量產(chǎn)。32/28nm工藝以后尖端工藝產(chǎn)品的量產(chǎn)，將全面委托給臺灣臺積電（TSMC）和美國GLOBALFOUNDRIES。另外，新一代半導體工藝的研發(fā)，將整合到與美國IBM之間的共同研究中。
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