2011年DRAM市場(chǎng)五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)
[導(dǎo)讀]2011年DRAM市場(chǎng)將會(huì)是什么景況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)：1.DRAM市場(chǎng)走下坡Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫?
2011年DRAM市場(chǎng)將會(huì)是什么景況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)：
1.DRAM市場(chǎng)走下坡
Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫娔X開(kāi)始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場(chǎng)，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺(tái)約2GB，卻被代換成平板電腦每臺(tái)僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應(yīng)過(guò)剩。
2.轉(zhuǎn)向3x納米制程
整體看來(lái)，所有的DRAM供貨商都開(kāi)始轉(zhuǎn)向3x納米制程，包括三星(Samsung)與海力士(Hynix)；日本爾必達(dá)(Elpida)也在試圖從65或6x納米直接跳到3x納米，期望能因此大幅縮減成本。
3.韓廠雙強(qiáng)獨(dú)大
DRAM市場(chǎng)不同于NAND市場(chǎng)仍存在眾多一線廠商，已開(kāi)始呈現(xiàn)韓國(guó)兩大廠商獨(dú)霸的狀況，目前僅有三星與海力士能稱為DRAM市場(chǎng)的一線供貨商(以技術(shù)水準(zhǔn)與獲利表現(xiàn)來(lái)看)，美光(Micron)、南亞科(Nanya)、華亞(Inotera)則是二線廠商(財(cái)務(wù)狀況與技術(shù)水準(zhǔn)稍遜)，至于爾必達(dá)、力晶(powerchip)、瑞晶(Rexchip)則排第三線(技術(shù)水準(zhǔn)與財(cái)務(wù)狀況都有很大的進(jìn)步空間)。
三星是DRAM市場(chǎng)最受關(guān)注的焦點(diǎn)，目前該公司也壟斷了30納米制程DRAM生產(chǎn)所必需的NXT微影工具訂單；今年度，三星最成功之處在于提高了DRAM市場(chǎng)占有率，估計(jì)2010年全球DRAM市場(chǎng)成長(zhǎng)率在45~50%之間，該公司的DRAM業(yè)務(wù)成長(zhǎng)率可高達(dá)70%。
緊追于三星之后的另一家一線廠商海力士，目前唯一的問(wèn)題是負(fù)債與管理階層，而這些狀況可望在2011年獲得解決；海力士在中國(guó)無(wú)錫廠生產(chǎn)4x納米與3x納米的DRAM，在其產(chǎn)品架構(gòu)于明年由8F2轉(zhuǎn)進(jìn)6F2之后，可望取得更進(jìn)一步成長(zhǎng)動(dòng)力。
4.美光陣營(yíng)面臨艱困時(shí)刻
美光(Micron)在2009年曾有一度可名列一線廠商，但其前景取決于溝槽式制程轉(zhuǎn)換至堆棧式制程的順利與否；雖然該公司在2010年初曾出現(xiàn)訂單量大增，但良率表現(xiàn)不太令人滿意，整年度的位成長(zhǎng)率表現(xiàn)也不佳。
由于制程轉(zhuǎn)換不順，美光的合作伙伴南亞科與華亞的50納米制程良率問(wèn)題也未解決，因此美光要轉(zhuǎn)進(jìn)40納米與30納米，恐怕會(huì)很艱難；但Muse預(yù)期，明年也許會(huì)有一些轉(zhuǎn)機(jī)。
5.爾必達(dá)的豪賭
爾必達(dá)目前正盡全力想成為領(lǐng)導(dǎo)級(jí)廠商，在日本與臺(tái)灣兩地積極募資；此外在技術(shù)部分，該公司開(kāi)發(fā)出65納米微縮制程65納米XS，搶在DRAM價(jià)格仍不錯(cuò)的時(shí)候多賺一些利潤(rùn)；同時(shí)也試圖躍進(jìn)40納米與30納米制程。
1.DRAM市場(chǎng)走下坡
Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫娔X開(kāi)始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場(chǎng)，在這種情況下，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量，平均每臺(tái)約2GB，卻被代換成平板電腦每臺(tái)僅256Mb、也就是只有1/8的平均搭載量，意味著DRAM將供應(yīng)過(guò)剩。
2.轉(zhuǎn)向3x納米制程
整體看來(lái)，所有的DRAM供貨商都開(kāi)始轉(zhuǎn)向3x納米制程，包括三星(Samsung)與海力士(Hynix)；日本爾必達(dá)(Elpida)也在試圖從65或6x納米直接跳到3x納米，期望能因此大幅縮減成本。
3.韓廠雙強(qiáng)獨(dú)大
DRAM市場(chǎng)不同于NAND市場(chǎng)仍存在眾多一線廠商，已開(kāi)始呈現(xiàn)韓國(guó)兩大廠商獨(dú)霸的狀況，目前僅有三星與海力士能稱為DRAM市場(chǎng)的一線供貨商(以技術(shù)水準(zhǔn)與獲利表現(xiàn)來(lái)看)，美光(Micron)、南亞科(Nanya)、華亞(Inotera)則是二線廠商(財(cái)務(wù)狀況與技術(shù)水準(zhǔn)稍遜)，至于爾必達(dá)、力晶(powerchip)、瑞晶(Rexchip)則排第三線(技術(shù)水準(zhǔn)與財(cái)務(wù)狀況都有很大的進(jìn)步空間)。
三星是DRAM市場(chǎng)最受關(guān)注的焦點(diǎn)，目前該公司也壟斷了30納米制程DRAM生產(chǎn)所必需的NXT微影工具訂單；今年度，三星最成功之處在于提高了DRAM市場(chǎng)占有率，估計(jì)2010年全球DRAM市場(chǎng)成長(zhǎng)率在45~50%之間，該公司的DRAM業(yè)務(wù)成長(zhǎng)率可高達(dá)70%。
緊追于三星之后的另一家一線廠商海力士，目前唯一的問(wèn)題是負(fù)債與管理階層，而這些狀況可望在2011年獲得解決；海力士在中國(guó)無(wú)錫廠生產(chǎn)4x納米與3x納米的DRAM，在其產(chǎn)品架構(gòu)于明年由8F2轉(zhuǎn)進(jìn)6F2之后，可望取得更進(jìn)一步成長(zhǎng)動(dòng)力。
4.美光陣營(yíng)面臨艱困時(shí)刻
美光(Micron)在2009年曾有一度可名列一線廠商，但其前景取決于溝槽式制程轉(zhuǎn)換至堆棧式制程的順利與否；雖然該公司在2010年初曾出現(xiàn)訂單量大增，但良率表現(xiàn)不太令人滿意，整年度的位成長(zhǎng)率表現(xiàn)也不佳。
由于制程轉(zhuǎn)換不順，美光的合作伙伴南亞科與華亞的50納米制程良率問(wèn)題也未解決，因此美光要轉(zhuǎn)進(jìn)40納米與30納米，恐怕會(huì)很艱難；但Muse預(yù)期，明年也許會(huì)有一些轉(zhuǎn)機(jī)。
5.爾必達(dá)的豪賭
爾必達(dá)目前正盡全力想成為領(lǐng)導(dǎo)級(jí)廠商，在日本與臺(tái)灣兩地積極募資；此外在技術(shù)部分，該公司開(kāi)發(fā)出65納米微縮制程65納米XS，搶在DRAM價(jià)格仍不錯(cuò)的時(shí)候多賺一些利潤(rùn)；同時(shí)也試圖躍進(jìn)40納米與30納米制程。
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