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[導(dǎo)讀]根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查,全球DRAM產(chǎn)業(yè)2011年第三季營收總計(jì)為約65.66億美元,由于整體經(jīng)濟(jì)持續(xù)疲弱、供過于求情況加劇,導(dǎo)致第三季DDR32Gb合約價(jià)均價(jià)下跌35%,第三季總營收與上季相較

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查,全球DRAM產(chǎn)業(yè)2011年第三季營收總計(jì)為約65.66億美元,由于整體經(jīng)濟(jì)持續(xù)疲弱、供過于求情況加劇,導(dǎo)致第三季DDR32Gb合約價(jià)均價(jià)下跌35%,第三季總營收與上季相較大幅衰退19.4%,除了三星半導(dǎo)體(Samsung)外,其余記憶體廠商皆繳出赤字財(cái)報(bào),DRAM產(chǎn)業(yè)正式邁入另一波市場黑暗期。

從供給面來看,部份DRAM廠由于第三季顆粒價(jià)格跌破現(xiàn)金成本而陸續(xù)宣布減產(chǎn),故第三季整體顆粒產(chǎn)出量較上季僅有約5%成長,不若往年于第三季10%以上的成長率。但一線DRAM廠仍積極轉(zhuǎn)進(jìn)30nm40nm制程,如兩家韓大廠30nm的比重已經(jīng)達(dá)到產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)出的21%,爾必達(dá)(Elpida)亦在子公司瑞晶的加持下,預(yù)計(jì)在明年上半年福增加30nm產(chǎn)出。

然而其余臺系廠商制程仍以40nm50nm制程為主軸,與韓系DRAM廠至少相差1.5個(gè)世代以上,若衡量目前低迷的市況,短期之內(nèi)DRAM廠轉(zhuǎn)虧為盈的機(jī)率相當(dāng)渺茫。

在需求面,由于總體經(jīng)濟(jì)疲弱造成歐美區(qū)域消費(fèi)信心不足,往年第三季的10%需求位元成長已不復(fù)見,本季較上季相比僅有7.6%的需求成長,且PC主要成長的動能仍來自于中國及其他開發(fā)中國家。再者,第三季整體PC單機(jī)記憶體搭載量未見顯著提升,目前NB(不含Netbook)于第三季的DRAM單機(jī)搭載量僅達(dá)到3.5GB,季成長1.1%小幅提升。

所幸受惠于9月份PCOEM為了旺季所做的備貨效應(yīng),DRAM庫存水位已有大幅度的消化,就連現(xiàn)貨市場于9月上旬也短暫出現(xiàn)跌勢的終止,對于DRAM顆粒庫存的消化有明顯挹注,亦使10月份的合約價(jià)除4GB出現(xiàn)小幅下跌2.33%外,其余皆維持持平報(bào)價(jià),但泰國洪災(zāi)所導(dǎo)致的硬碟機(jī)(HDD)缺貨是否影響PC最終出貨,將牽動第四季后續(xù)DRAM價(jià)格走勢。

從全球DRAM廠自有品牌記憶體營收排名分析,韓系廠仍盤踞前兩名,以三星而言,第三季DRAM營收較上季衰退12.8%,衰退幅度小于同業(yè)下,市占率反增3.4%,達(dá)到44.5%,第三季DRAM平均銷售單價(jià)(AS{)較上季相較下降了約15%,受惠于35nm產(chǎn)出比重超過30%及積極轉(zhuǎn)進(jìn)伺服器記憶體與行動式記憶體,第三季位元成長率仍有7%的成長,營業(yè)利益達(dá)20%以上,算是繳出亮眼的獲利成績。

海力士半導(dǎo)體(Hynix)方面,DRAM營收較上季衰退23.9%,整體市占則微幅下滑至21.6%,由于第三季DRAM價(jià)格跌幅過劇,讓連續(xù)九季獲利的海力士首度繳出赤字財(cái)報(bào),DRAM的營業(yè)利益呈現(xiàn)負(fù)25%。展望第四季,由于38nm制程良率穩(wěn)定,目前正積極提高投片比例,于第四季末預(yù)計(jì)可占總產(chǎn)出的40%左右,加上成本持續(xù)降低,海力士半導(dǎo)體的營業(yè)利益預(yù)計(jì)將獲得改善。

日商爾必達(dá)由于在現(xiàn)貨市場的出貨比例較高,受到現(xiàn)貨價(jià)格影響最為顯著,加上第三季DDR32Gb現(xiàn)貨顆粒價(jià)跌幅達(dá)37%,爾必達(dá)自8月份起就已大幅減少力晶的采購量,PCDRAM產(chǎn)出僅仰賴子公司瑞晶生產(chǎn),整體品牌顆粒產(chǎn)出量較上季減少4%,總計(jì)第三季營收僅達(dá)8.25億美元,較上季衰退29.7%,第三季市占率約在12.6%。

美光(Micron)方面,法說公布第三季位元成長為22%,但由于記憶體價(jià)格于該季跌幅達(dá)超過28%,導(dǎo)致營收較上季衰退11.9%,市占在11.8%,財(cái)報(bào)亦從獲利轉(zhuǎn)為虧損。在制程轉(zhuǎn)進(jìn)方面,第三季末42nm制程占產(chǎn)出比來到50%,年底可望達(dá)到70%。然而,由于42nm制程顆粒仍屬虧損的成本結(jié)構(gòu),美光若冀望由虧轉(zhuǎn)盈,必須致力于30nm的轉(zhuǎn)進(jìn),否則與韓系廠約一個(gè)世代以上的差距將會嚴(yán)重影響后續(xù)獲利表現(xiàn)。

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臺系DRAM廠方面,南科(Nanya)由于制程技術(shù)落后大廠一個(gè)世代以上,且產(chǎn)出比重多集中在PC-DRAM,受到第三季DRAM價(jià)格大幅下跌影響,營收僅2.43億美元,季衰退達(dá)36.9%,市占率由第二季的4.7%降至3.7%。若DRAM價(jià)格持續(xù)下探,營收進(jìn)一步衰減的可能性仍高;在37nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)上,目前于廠內(nèi)小量試產(chǎn)當(dāng)中,預(yù)計(jì)明年上半年量產(chǎn)。

華邦(Winbond)方面,受惠于完全退出標(biāo)準(zhǔn)型記憶體市場、僅專注于毛利高的利基型記憶體產(chǎn)出,受到DRAM跌價(jià)的影響較小,唯第三季仍因市況不佳,所以營收與上季相較有12.2%衰退,市占2.2%,行動式記憶體占營收大幅衰退為其主因,由上季占總營收的25%到第三季的16%。茂德(ProMOS)仍因?yàn)樨?cái)務(wù)問題而導(dǎo)致購買原料的現(xiàn)金不足,投片量維持每月約10K的低檔,營收持續(xù)下滑,市占已經(jīng)正式跌破1%。

以各區(qū)域市占率的版圖來分析,韓系廠商主要受惠于三星的強(qiáng)勁成長,合計(jì)市占率高達(dá)67.9%,持續(xù)增加趨勢不變;美系DRAM廠的營收市占小幅成長到12.1%,其余日系與臺系廠商的營收皆呈現(xiàn)下滑態(tài)勢,各為12.9%以及7.1%。某部分臺系廠商正陸續(xù)退出DRAM產(chǎn)能,所以臺系廠的市占衰退尤其明顯。整體而言,韓國廠商占整體營收市占的比例持續(xù)擴(kuò)大,大者恒大的態(tài)勢確立。

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