臺DRAM產(chǎn)業(yè)技術自主露曙光網(wǎng)羅奇夢達團隊
[導讀]存儲器大廠華邦電在2010年初宣示投入40奈米制程大戰(zhàn)后，曾傳出加入爾必達(Elpida)45奈米陣營，然近期華邦內(nèi)部已悄悄網(wǎng)羅一組奇夢達(Qimonda)技術團隊，借用埋入式閘極字元線連結(BuriedWordline)技術自行開發(fā)46奈米制
存儲器大廠華邦電在2010年初宣示投入40奈米制程大戰(zhàn)后，曾傳出加入爾必達(Elpida)45奈米陣營，然近期華邦內(nèi)部已悄悄網(wǎng)羅一組奇夢達(Qimonda)技術團隊，借用埋入式閘極字元線連結(BuriedWordline)技術自行開發(fā)46奈米制程，可望成為臺灣第1家自己擁有40奈米世代DRAM技術存儲器大廠，未來華邦在標準型DRAM技術恐將與爾必達漸行漸遠。
臺系DRAM廠陸續(xù)揭示40奈米制程計畫藍圖，華邦在2010年初亦對外宣布將建立40奈米制程自有團隊，且已先就當前最缺貨的浸潤式微影機器設備(ImmersionScanner)下訂單，充分展現(xiàn)卡位40奈米市場的決心。
原本業(yè)界認為華邦與爾必達合作關系，將從繪圖卡存儲器(GDDR)代工，延伸至標準型DRAM45奈米技術，然近期華邦已悄悄網(wǎng)羅之前合作伙伴奇夢達技術團隊，計劃憑借既有65奈米技術基礎，自行研發(fā)奇夢達已開發(fā)完成的46奈米BuriedWordline技術，成為臺灣第1家在40奈米世代走上技術開發(fā)自主之路的DRAM廠。
存儲器業(yè)者表示，奇夢達BuriedWordline技術系當初試圖從溝槽式(Trench)技術轉(zhuǎn)型至堆疊式(Stack)技術的代表作，2008年底BuriedWordline技術已成功試產(chǎn)65奈米制程，并完成46奈米產(chǎn)品開發(fā)，原計劃在2009年中量產(chǎn)，但奇夢達財務狀況持續(xù)惡化，2009年3月就宣布破產(chǎn)。
存儲器業(yè)者認為，奇夢達BuriedWordline技術其實相當有競爭力，生產(chǎn)出來的晶圓尺寸非常小，若順利進入量產(chǎn)階段，成本結構競爭力不輸同業(yè)，當時連爾必達都被奇夢達該技術所吸引，雙方一度想要合作，但奇夢達終究因為財務赤字，而淹沒在DRAM大崩盤洪流中。
這次華邦借著過去與奇夢達合作65奈米技術基礎，加上延攬奇夢達部分設計團隊，以及融合手上奇夢達GDDR專利和技術，自行開發(fā)46奈米制程，將走出一條有別于目前臺灣DRAM技術陣營除美光(Micron)和爾必達外的第3條路。
事實上，華邦走向自己開發(fā)DRAM制程技術之路，主要系因華邦營運重心已逐漸從標準型DRAM轉(zhuǎn)向，專注于SDRAM和NORFlash，因此，40奈米世代技術對于華邦而言，雖然一定要參與，但沒有急迫性，目前SDRAM采65奈米制程生產(chǎn)，直到2010年底都還相當具競爭力，不像南亞科、華亞科、力晶等標準型DRAM廠追求低成本，急著在2010年下半轉(zhuǎn)進40奈米世代，華邦轉(zhuǎn)進40奈米系為SDRAM下世代技術鋪路，并不急于導入。
存儲器業(yè)者指出，華邦沒有與爾必達合作45奈米制程另一個考量，系因爾必達在輸出技術時會要求以產(chǎn)能交換，但華邦旗下12寸晶圓產(chǎn)能只有3.2萬片，2010年下半NORFlash產(chǎn)能占掉1萬片，加上SDRAM和MobileRAM產(chǎn)能排擠，標準型DRAM產(chǎn)能已降至3,000~4,000片，實在沒有產(chǎn)能可與爾必達談判，因而未能成局。
另外，爾必達過去輸出技術除保障產(chǎn)能外，亦會要求技術授權費用，產(chǎn)能越大的DRAM廠，每片晶圓所分攤技術授權費越低，以華邦3.2萬片產(chǎn)能來看，就算全部都拿來做DRAM，算下來每片晶圓成本還是很高，與爾必達合作未必占便宜。
DRAM業(yè)者認為，原本爾必達在臺廠布局中，華邦是繼力晶、瑞晶、茂德之后下一個囊中物，但現(xiàn)在華邦走上自有技術開發(fā)之路，未來爾必達與既有合作伙伴力晶、瑞晶、茂德之間互動，勢必會更緊密。爾必達陣營中的力晶和瑞晶，計劃于2010年下半導入45奈米制程，美光陣營的南亞科和華亞科則將導入42奈米，如今加上華邦46奈米技術加入戰(zhàn)局，DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)熱鬧可期。
臺系DRAM廠陸續(xù)揭示40奈米制程計畫藍圖，華邦在2010年初亦對外宣布將建立40奈米制程自有團隊，且已先就當前最缺貨的浸潤式微影機器設備(ImmersionScanner)下訂單，充分展現(xiàn)卡位40奈米市場的決心。
原本業(yè)界認為華邦與爾必達合作關系，將從繪圖卡存儲器(GDDR)代工，延伸至標準型DRAM45奈米技術，然近期華邦已悄悄網(wǎng)羅之前合作伙伴奇夢達技術團隊，計劃憑借既有65奈米技術基礎，自行研發(fā)奇夢達已開發(fā)完成的46奈米BuriedWordline技術，成為臺灣第1家在40奈米世代走上技術開發(fā)自主之路的DRAM廠。
存儲器業(yè)者表示，奇夢達BuriedWordline技術系當初試圖從溝槽式(Trench)技術轉(zhuǎn)型至堆疊式(Stack)技術的代表作，2008年底BuriedWordline技術已成功試產(chǎn)65奈米制程，并完成46奈米產(chǎn)品開發(fā)，原計劃在2009年中量產(chǎn)，但奇夢達財務狀況持續(xù)惡化，2009年3月就宣布破產(chǎn)。
存儲器業(yè)者認為，奇夢達BuriedWordline技術其實相當有競爭力，生產(chǎn)出來的晶圓尺寸非常小，若順利進入量產(chǎn)階段，成本結構競爭力不輸同業(yè)，當時連爾必達都被奇夢達該技術所吸引，雙方一度想要合作，但奇夢達終究因為財務赤字，而淹沒在DRAM大崩盤洪流中。
這次華邦借著過去與奇夢達合作65奈米技術基礎，加上延攬奇夢達部分設計團隊，以及融合手上奇夢達GDDR專利和技術，自行開發(fā)46奈米制程，將走出一條有別于目前臺灣DRAM技術陣營除美光(Micron)和爾必達外的第3條路。
事實上，華邦走向自己開發(fā)DRAM制程技術之路，主要系因華邦營運重心已逐漸從標準型DRAM轉(zhuǎn)向，專注于SDRAM和NORFlash，因此，40奈米世代技術對于華邦而言，雖然一定要參與，但沒有急迫性，目前SDRAM采65奈米制程生產(chǎn)，直到2010年底都還相當具競爭力，不像南亞科、華亞科、力晶等標準型DRAM廠追求低成本，急著在2010年下半轉(zhuǎn)進40奈米世代，華邦轉(zhuǎn)進40奈米系為SDRAM下世代技術鋪路，并不急于導入。
存儲器業(yè)者指出，華邦沒有與爾必達合作45奈米制程另一個考量，系因爾必達在輸出技術時會要求以產(chǎn)能交換，但華邦旗下12寸晶圓產(chǎn)能只有3.2萬片，2010年下半NORFlash產(chǎn)能占掉1萬片，加上SDRAM和MobileRAM產(chǎn)能排擠，標準型DRAM產(chǎn)能已降至3,000~4,000片，實在沒有產(chǎn)能可與爾必達談判，因而未能成局。
另外，爾必達過去輸出技術除保障產(chǎn)能外，亦會要求技術授權費用，產(chǎn)能越大的DRAM廠，每片晶圓所分攤技術授權費越低，以華邦3.2萬片產(chǎn)能來看，就算全部都拿來做DRAM，算下來每片晶圓成本還是很高，與爾必達合作未必占便宜。
DRAM業(yè)者認為，原本爾必達在臺廠布局中，華邦是繼力晶、瑞晶、茂德之后下一個囊中物，但現(xiàn)在華邦走上自有技術開發(fā)之路，未來爾必達與既有合作伙伴力晶、瑞晶、茂德之間互動，勢必會更緊密。爾必達陣營中的力晶和瑞晶，計劃于2010年下半導入45奈米制程，美光陣營的南亞科和華亞科則將導入42奈米，如今加上華邦46奈米技術加入戰(zhàn)局，DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)熱鬧可期。
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