Hynix開(kāi)始量產(chǎn)54納米制程1GB DDR3節(jié)省30%耗電量
[導(dǎo)讀]Yonhap News報(bào)導(dǎo)，南韓內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，將開(kāi)始量產(chǎn)一款采用54納米制程技術(shù)的1GB DDR3 DRAM，其耗電量將節(jié)省30%，運(yùn)算速度則較DDR2增加近1倍。
Hynix表示，該公司計(jì)劃將能源節(jié)省技術(shù)應(yīng)
Yonhap News報(bào)導(dǎo)，南韓內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，將開(kāi)始量產(chǎn)一款采用54納米制程技術(shù)的1GB DDR3 DRAM，其耗電量將節(jié)省30%，運(yùn)算速度則較DDR2增加近1倍。
Hynix表示，該公司計(jì)劃將能源節(jié)省技術(shù)應(yīng)用于未來(lái)推出的產(chǎn)品，包括即將在本季稍晚量產(chǎn)的44納米制程2GB DDR3。此外，Hynix并計(jì)劃在09年底前將DDR3產(chǎn)能比重由目前的30%提升至超過(guò)50%。
根據(jù)科技市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli統(tǒng)計(jì)，1GB DDR3 DRAM占總體DDR3市場(chǎng)的比重目前已達(dá)87%。
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