歐洲投資百萬進(jìn)行量子點(diǎn)研究可望改寫內(nèi)存歷史

時間：2009-07-10 15:08:09

關(guān)鍵字：內(nèi)存量子點(diǎn) UNIVERSITY MEMORY

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[導(dǎo)讀]歐洲將投資一百萬歐元來進(jìn)行銻化物(antimonide)量子點(diǎn)在數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用上的研究。這個歐洲學(xué)術(shù)聯(lián)合研究計劃將于六月開跑，研究以三五族(III-V)量子點(diǎn)為基礎(chǔ)的組件，做為繼承閃存(flash memory)的選擇。這個為期三年的

歐洲將投資一百萬歐元來進(jìn)行銻化物(antimonide)量子點(diǎn)在數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用上的研究。這個歐洲學(xué)術(shù)聯(lián)合研究計劃將于六月開跑，研究以三五族(III-V)量子點(diǎn)為基礎(chǔ)的組件，做為繼承閃存(flash memory)的選擇。

這個為期三年的研究計劃是由德國杜伊斯堡艾深大學(xué)(University of Duisburg-Essen)主導(dǎo)，另外三個研究機(jī)構(gòu)分別為德國柏林工業(yè)大學(xué)(Technical University of Berlin)、荷蘭的恩荷芬科技大學(xué)(Technical University of Eindhoven)及英國的蘭開斯特大學(xué)(Lancaster University)。計劃名稱為“單量子點(diǎn)耦合到二維系統(tǒng)”(Coupling of single quantum dots to two-dimensional systems)，簡稱QD2D。

蘭開斯特大學(xué)的Manus Hayne表示，此計劃的目的是研究室溫下單量子點(diǎn)的詳細(xì)特性，以利了解電荷式內(nèi)存(charge-based memory)的最大存儲極限。僅管目前閃存十分熱門，但其數(shù)據(jù)寫入的速度太慢，而且最后會危害到它使用的硅芯片，因此科學(xué)家一直在尋找其它出路。

QD2D型的內(nèi)存發(fā)展的方向，是利用寬能隙的砷化鎵(GaAs)來包圍窄能隙的銻化鎵(GaSb)量子點(diǎn)。量子點(diǎn)的行為類似位能井，可以存儲電荷，數(shù)據(jù)存儲方式與硅閃存將電荷放在兩個相鄰氧化硅位障內(nèi)相似。

Hayne表示，此設(shè)計可以將寫入速度提升到閃存的1000倍以上，但數(shù)據(jù)刪除的速度仍然很慢，不過這點(diǎn)或許可借助芯片設(shè)計加以排除。QD2D計劃的合作伙伴也提出另一個目前主流內(nèi)存DRAM的取代方案，其速度約快10倍。

Hayne指出，閃存制造商不斷地將硅晶圓上的微影線寬變小，以提升數(shù)據(jù)的存儲量，然而摩爾定律的適用性預(yù)計會在2014年達(dá)到臨界點(diǎn)。這時候內(nèi)存制造商就真的需要一個新的解決方式。相變化內(nèi)存(Phase change memory)將是個熱門的方向，然而其相關(guān)問題仍待解決，而內(nèi)存制造商將繼續(xù)尋求更多的可能性。