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臺(tái)積電承認(rèn)40nm工藝遭遇障礙明年上28nm

時(shí)間：2009-05-04 11:41:48

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 BORDER 制造工藝 CE

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[導(dǎo)讀]在公布最新季度財(cái)報(bào)的同時(shí)，臺(tái)積電也第一次公開(kāi)承認(rèn)，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。臺(tái)積電在去年底基本準(zhǔn)時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線，并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1％的收入，高于預(yù)期水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)今年第二季度會(huì)達(dá)到2％

在公布最新季度財(cái)報(bào)的同時(shí)，臺(tái)積電也第一次公開(kāi)承認(rèn)，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。

臺(tái)積電在去年底基本準(zhǔn)時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線，并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1％的收入，高于預(yù)期水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)今年第二季度會(huì)達(dá)到2％左右。

臺(tái)積電CEO蔡力行在回答分析師的提問(wèn)時(shí)說(shuō)：“良品率是有些問(wèn)題。對(duì)制造商而言40nm是一項(xiàng)非常困難的技術(shù)。(不過(guò))我們已經(jīng)找到了問(wèn)題的根源，并且已經(jīng)或正在解決?！?/FONT>

結(jié)合此前消息，臺(tái)積電40nm工藝可能無(wú)法很好地控制漏電率，難以制造高性能GPU芯片，不過(guò)蔡力行并未詳加說(shuō)明，只是聲稱臺(tái)積電已經(jīng)完成了基于28nm工藝的可用SRAM單元，預(yù)計(jì)2010年第一季度開(kāi)始啟用這種新工藝，屆時(shí)會(huì)帶來(lái)高K介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)。

蔡力行還在會(huì)議期間對(duì)今年的多個(gè)行業(yè)進(jìn)行了展望：IC產(chǎn)業(yè)跌20％、代工產(chǎn)業(yè)跌25-30％、PC出貨量跌8％、手機(jī)出貨量跌12％、消費(fèi)電子產(chǎn)品出貨量跌7％。

今年第一季度臺(tái)積電收入395.00億新臺(tái)幣(￥81.26億元)，環(huán)比減少38.8％、同比減少54.8％，凈利15.59億新臺(tái)幣(￥3.21億元)，環(huán)比減少87.5％、同比減少94.5％。臺(tái)積電將此糟糕業(yè)績(jī)歸咎于全球經(jīng)濟(jì)低迷導(dǎo)致客戶調(diào)整庫(kù)存，半導(dǎo)體行業(yè)需求全面銳減。

就生產(chǎn)工藝而言，0.13微米依然撐起了臺(tái)積電總收入的65％，其次是90nm 25％、65nm 23％、45/40nm 1％。

競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手聯(lián)電一季度虧損81.6億新臺(tái)幣，相比上季度的235.1億新臺(tái)幣大為減少，并預(yù)計(jì)今年第二季度即可重新盈利，同時(shí)生產(chǎn)線開(kāi)工率已從30％升至75％。

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