然而，這一標準發(fā)展到今天，走過了一條艱難曲折的道路。這其中有技術的攻關，也有不同標準之間的激烈斗爭，更有產業(yè)化的艱難推進。在這一過程中，人們逐漸認識了技術標準以及技術標準中所包含的知識產權對一個國家的重要意義。

我們也看到，在TD的試商用過程中，終端暴露出一些問題。在手機終端方面，主要存在芯片集成度較低，功耗較大待機時間短，個體穩(wěn)定性等不成熟表現。與TD-SCDMA相比，CDMA2000EVDO和WCDMA兩大制式有著更好的“群眾基礎”。其中，CDMA2000EVDO主要有韓系的三星、LG屯兵應對；WCDMA主要有諾基亞、摩托羅拉、索尼愛立信、三星、LG等。據不完全統計，目前這兩種3G制式全球市場有上千款的廉價終端，TD面臨強勁的競爭對手。

TD終端反映出來的一些問題比較復雜，有與基帶芯片的配合問題、基帶芯片本身的問題和射頻芯片本身的問題。另外，還有許多是與芯片封裝廠有關的問題。通過TD市場應用及檢驗，我們廣晟微電子對射頻芯片的性能作了一些改進，如直流偏移校準的響應時間，發(fā)射機步進控制都作了較大的改進。此外，我們與封裝廠合作，對封裝的工藝也作了技術改進，進一步提高了封裝后芯片的良率。我們相信，只要國家堅定不移地推動TD向前發(fā)展，TD目前存在的問題必定會隨之而解決。

2008年12月31日國務院常務會議和工信部專題會議，明確TD-SCDMA是我國科技自主創(chuàng)新的重要標志。2009年1月22日，為進一步支持自主創(chuàng)新、鼓勵TD-SCDMA加快發(fā)展，工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委、財政部、國資委、科技部等部門制定了一系列支持TD-SCDMA發(fā)展的財政支持、項目支持、網絡建設、產品研發(fā)、業(yè)務應用、產業(yè)發(fā)展等扶持政策。因此，積極完善和落實各項扶持政策措施，加快TD-SCDMA發(fā)展，繼續(xù)支持研發(fā)、產業(yè)化和應用推廣，促進產業(yè)鏈成熟，實現大規(guī)模商用，刻不容緩。

保持TD領先 重視超前研發(fā)

按照移動通信技術每10年產生一代新體制的發(fā)展規(guī)律，移動通信業(yè)界提出了新的市場需求，要求進一步改進3G技術，提供更強大的數據業(yè)務能力。2008年11月下旬，在英國倫敦LTE峰會上，T-Mobile、Vodafone、Orange、AT&T Wireless、NTT DoCoMo等國際運營商紛紛宣布將直接在2010年上LTE。曾一向反對LTE的高通（Qualcomn）宣布停止UMB研發(fā)，改為專注于LTE的研發(fā)。根據Analysys Research預測，到2015年LTE用戶數能夠預計LTE達到4億，是目前WCDMA/HSPA用戶數的兩倍，將帶給運營商超過1500億歐元的收入。在2015年LTE用戶的收入將占到總運營商1萬億歐元收入的15%。當前非話音業(yè)務占發(fā)達市場運營商收入的15%左右，到2015年LTE能夠幫助這一比例提升至36%。市場對于高速互動服務的需求，和由此產生的諸多移動市場的ARPU的增長，將促發(fā)新一輪的UMTS投資。這意味著誰掌握了標準，誰就率先掌控未來的移動通信市場。

2009年1月7日我國3G牌照的發(fā)放正式拉開了我國3G商用的序幕。我國擁有完全自主知識產權的3G標準TD－SCDMA已經從一個技術標準，經過10年的發(fā)展歷程，由中國移動正式運營，預計在2009年將實現TD-SCDMA網絡覆蓋238個城市。要想在LTE方面繼續(xù)保持領先，我們需要在TD-SCDMA基礎上，再次提出擁有自主知識產權TD-SCDMA LTE標準。超前的研發(fā)投入將能避免今后落后于其他3G標準，才能讓國內已經投入TD-SCDMA的眾多企業(yè)能夠保持一定優(yōu)勢。

設計和制作TD射頻芯片的難度非常大。目前全球只有少數頂級半導體廠家同時具有研發(fā)設計能力，其他的廠家大部分因經濟效益原因，或破產倒閉或轉向其他領域發(fā)展。目前，生產基帶芯片的公司除了臺灣MTK(聯發(fā)科）、臺灣SUNPLUS(凌陽)之外，還包括國內的聯芯科技、T3G、展訊、中興、重郵信科、傲世通、杰脈通信等。國內外專注于TD射頻芯片研發(fā)的僅為有限的幾家公司，而能夠致力于研發(fā)TD頻射頻芯片的RFIC設計公司更是寥寥無幾。

廣晟微電子一直致力TD射頻芯片的研發(fā)。至今，公司在TD射頻芯片的總投入已超過5000萬元，主要是設計軟件的購置、測試設備的采購、MPW投片及人工成本等，特別是投片方面耗費了大量資金，因為有些設計難度較高的模塊，需要多次投片驗證、修改，才能達到TD-SCDMA終端的要求，比如14比特高性能低功耗ADC，14比特用于AFC控制的DAC，大功耗，低噪聲，高輸出功率發(fā)射驅動器都是經過幾次MPW投片才能達到的設計要求。

昂貴的研發(fā)費用往往使得集成電路設計企業(yè)離不開大量資金的支持。與歐美國家相比，我國在射頻集成電路領域的投入還是相對偏少，需要國家在資金及產業(yè)政策方面給予進一步的支持。目前，3G賺錢仍要有較長之路，TD產品的更新換代往往無法收回成本，廣晟微電子有限公司一方面依靠有實力雄厚的廣東省廣晟資產經營公司，另一方面也特別希望得到政府專項資金支持。