臺積電（TSMC）于2008年10月20日在橫浜舉行的技術(shù)研討會“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有關(guān)曝光技術(shù)的發(fā)展藍圖。

該公司首先公布了未來的發(fā)展方針，表示繼已量產(chǎn)的40nm工藝之后，預定2010年初開始量產(chǎn)的28nm工藝仍將采用193nm波長的液浸ArF曝光技術(shù)。而在接下來的22nm工藝中，將討論使用以下三個候選方案。（1）193nm波長的液浸ArF曝光技術(shù)，（2）EUV曝光技術(shù)（NA 0.25），（3）電子束直描技術(shù)。

不過，到15nm工藝時，將無法使用193nm波長的液浸ArF曝光技術(shù)。TSMC表示，15nm工藝將考慮選用電子束直描或EUV曝光技術(shù)（NA 0.35）。