臺積電(TSMC)于2008年10月20日在橫浜舉行的技術(shù)研討會“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有關(guān)曝光技術(shù)的發(fā)展藍(lán)圖。
該公司首先公布了未來的發(fā)展方針,表示繼已量產(chǎn)的40nm工藝之后,預(yù)定2010年初開始量產(chǎn)的28nm工藝仍將采用193nm波長的液浸ArF曝光技術(shù)。而在接下來的22nm工藝中,將討論使用以下三個候選方案。(1)193nm波長的液浸ArF曝光技術(shù),(2)EUV曝光技術(shù)(NA 0.25),(3)電子束直描技術(shù)。
不過,到15nm工藝時,將無法使用193nm波長的液浸ArF曝光技術(shù)。TSMC表示,15nm工藝將考慮選用電子束直描或EUV曝光技術(shù)(NA 0.35)。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息,近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對多個半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴,其中包含三星電子、高通公司、臺積電等。
關(guān)鍵字: 專利侵權(quán) 三星 臺積電 高通公司 337調(diào)查 USITC根據(jù)最新預(yù)測,由于明年新冠疫苗的交付量幾乎減半,有史以來最賺錢的一些醫(yī)藥產(chǎn)品制造商將面臨收入下滑的局面。健康數(shù)據(jù)分析集團(tuán)Airfinity表示,輝瑞(Pfizer)、BioNTech和莫德納(Moderna)已開始提高疫...
關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)分析 TE RF NI