臺(tái)積電28nm工藝仍將采用液浸ArF曝光 EUV將用于22nm以下工藝
[導(dǎo)讀] 臺(tái)積電（TSMC）于2008年10月20日在橫浜舉行的技術(shù)研討會(huì)“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有關(guān)曝光技術(shù)的發(fā)展藍(lán)圖。
該公司首先公布了未來(lái)的發(fā)展方針，表示繼已量產(chǎn)的40nm工藝之后，預(yù)定2010年初開(kāi)始
臺(tái)積電（TSMC）于2008年10月20日在橫浜舉行的技術(shù)研討會(huì)“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有關(guān)曝光技術(shù)的發(fā)展藍(lán)圖。
該公司首先公布了未來(lái)的發(fā)展方針，表示繼已量產(chǎn)的40nm工藝之后，預(yù)定2010年初開(kāi)始量產(chǎn)的28nm工藝仍將采用193nm波長(zhǎng)的液浸ArF曝光技術(shù)。而在接下來(lái)的22nm工藝中，將討論使用以下三個(gè)候選方案。（1）193nm波長(zhǎng)的液浸ArF曝光技術(shù)，（2）EUV曝光技術(shù)（NA 0.25），（3）電子束直描技術(shù)。
不過(guò)，到15nm工藝時(shí)，將無(wú)法使用193nm波長(zhǎng)的液浸ArF曝光技術(shù)。TSMC表示，15nm工藝將考慮選用電子束直描或EUV曝光技術(shù)（NA 0.35）。
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