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幾款不錯(cuò)的電路圖

 

幾款不錯(cuò)的場效應(yīng)管功放電路圖

 

傳輸文件進(jìn)行 [薄膜開關(guān)] 打樣

場效應(yīng)管多管并聯(lián)輸出,500W。

 

幾款不錯(cuò)的場效應(yīng)管功放電路圖

 

傳輸文件進(jìn)行 [薄膜開關(guān)] 打樣

場管跟普功率最大不同就是場管是用電壓驅(qū)動,在驅(qū)動級上有些不一樣,沒弄過場管功放,音質(zhì)怎要看你設(shè)計(jì)和工藝!

 

幾款不錯(cuò)的場效應(yīng)管功放電路圖

 

IRFB33N15D是一顆非常好的MOS管,其導(dǎo)通內(nèi)阻低達(dá)56mΩ,最大電流為33A,耐壓卻有150V,常用于DC/DC的變換器中,當(dāng)然,在數(shù)字功放中,也經(jīng)常應(yīng)用。

其也有不足的地方,其輸入電容為2020pF,和常見的MOS管一樣,在驅(qū)動它時(shí),就要采用特殊電路來驅(qū)動,如同你的電路中的R29和D3并聯(lián)電路,也是業(yè)界慣用手法,其作用是:

當(dāng)沒有R29時(shí),Q7的柵極直接接前面的IC引腳,其內(nèi)部都是圖騰柱電路,由于是容性負(fù)載,都會有振蕩產(chǎn)生,從而使驅(qū)動波形出現(xiàn)振鈴現(xiàn)象,產(chǎn)生的后時(shí)是,MOS管開啟不夠,內(nèi)阻大,效率低。 串入R29可以消除這種振蕩,其和后續(xù)的MOS管輸入電容(Ciss)的時(shí)間常數(shù)要遠(yuǎn)小于MOS管的開啟時(shí)間13ns,而4.7Ω的2020pF的時(shí)間常數(shù)為9.5nS,滿足要求。

IRFB33N15D用標(biāo)準(zhǔn)電路(相當(dāng)于R29為3.6Ω)驅(qū)動時(shí),其恢復(fù)時(shí)間長達(dá)130nS,這也是MOS管的通病,為了加快關(guān)斷(爭取這9.5nS的時(shí)間),在關(guān)斷時(shí),希望柵級電阻為0,所以會在R29上反向并聯(lián)肖特基二極管D3(其工作頻率可以近GHz),來加速放電。

IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V這間,實(shí)際驅(qū)動時(shí),取決于IRS2902S的工作電壓,實(shí)際都在10V左右,肖特基二極管D3的正向壓降只有1.2V左右(電流1A,但其ΔV/ΔI約為0,動態(tài)內(nèi)阻極低),已經(jīng)可以確保Q7和柵極處于低于VGS以下,對關(guān)斷沒有影響。 另外,你要學(xué)習(xí)動態(tài)內(nèi)阻的含義,如同電源,其壓降可能是5V,但其內(nèi)阻可以低達(dá)十幾毫歐。

這個(gè)電路里的2顆場效應(yīng)管不能同時(shí)導(dǎo)通,所以,在它們工作的時(shí)候,要關(guān)斷優(yōu)先,導(dǎo)通稍緩。D3,D4二極管就能夠在驅(qū)動電壓下降的時(shí)候,迅速釋放場效應(yīng)管的柵極結(jié)電壓,從而使管子從導(dǎo)通狀態(tài)恢復(fù)到關(guān)斷狀態(tài)的時(shí)間大大縮短。而驅(qū)動電壓上升的時(shí)候,要通過R29,R27給管子的柵極結(jié)電容充電,從而延緩了管子的導(dǎo)通時(shí)間。 就這樣實(shí)現(xiàn)了關(guān)斷優(yōu)先,導(dǎo)通稍緩的功能,大大的避免了一個(gè)管子還沒退出導(dǎo)通,另一個(gè)管子已經(jīng)進(jìn)入導(dǎo)通的狀態(tài)。

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