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[導讀]今年2月份美國國際貿(mào)易委員會發(fā)起投票決定正式對部分LED產(chǎn)品及其同類組件啟動337調查,涉案產(chǎn)品包括LED燈泡以及LED芯片等。一時間業(yè)界嘩然,LED領域的專利戰(zhàn)一觸即發(fā)。對LE

今年2月份美國國際貿(mào)易委員會發(fā)起投票決定正式對部分LED產(chǎn)品及其同類組件啟動337調查,涉案產(chǎn)品包括LED燈泡以及LED芯片等。一時間業(yè)界嘩然,LED領域的專利戰(zhàn)一觸即發(fā)。對LED芯片來說,藍寶石襯底技術被日亞掌控,美國科銳獨霸碳化硅襯底技術,在硅襯底技術上我國走出了一條具有核心知識產(chǎn)權的國產(chǎn)化芯片道路,逐漸打破了日本和歐美LED廠商形成的堅固專利壁壘。所以在最近的“兩會”上,江西代表團提出將硅襯底LED產(chǎn)業(yè)化上升為國家戰(zhàn)略予以重點推進。

硅襯底LED制造技術是不同于藍寶石和碳化硅襯底的第三條LED芯片制造技術路線,與其他兩種方法相比,具有四大優(yōu)勢。一是硅材料比藍寶石和碳化硅價格便宜,而且生產(chǎn)效率更高,因此成本低廉,能使LED芯片成本比藍寶石襯底芯片大幅降低;二是器件具有優(yōu)良的性能,芯片的抗靜電性能好,壽命長,可承受的電流密度高;三是芯片封裝工藝簡單,芯片為上下電極,單引線垂直結構,在器件封裝時只需要單電極引線,簡化了封裝工藝,節(jié)約封裝成本;四是具有自主知識產(chǎn)權,產(chǎn)品可銷往國際市場,不受國際專利的限制。

雖然硅襯底技術有較好的發(fā)展前景,但是在產(chǎn)業(yè)化的過程中也存在一些技術難點。由于GaN外延材料與硅襯底之間存在巨大的晶格失配和熱失配,因而會導致外延材料缺陷多、裂紋多,最終使得器件成品率低、發(fā)光效率低和可靠性差等問題。

由于硅襯底的諸多優(yōu)勢,國際上許多單位或研究機構均加大了對其技術研發(fā)的步伐。從2011年起,美國普瑞光電將研發(fā)重心轉向硅襯底技術;韓國三星、LG、日本三墾電氣、劍橋大學、馬德伯格大學等一大批知名企業(yè)和研究機構也紛紛“進軍”硅襯底技術;2012年東芝公司投入巨資并收購了美國的普瑞公司的硅技術部門;近日,晶電取得ALLOS Semiconductors硅基LED授權,并成功完成第一階段的技術轉移。面對國際企業(yè)的競爭壓力,我國應保持先發(fā)優(yōu)勢,提升自主品牌的國際競爭力。

加強產(chǎn)業(yè)鏈良性互動 推動硅襯底技術協(xié)同創(chuàng)新

一是引導上下游企業(yè)聯(lián)合攻關,實現(xiàn)硅襯底芯片的整體配套。由于硅襯底芯片封裝的特殊性,封裝形式和方法與藍寶石襯底的芯片有些差別。目前國內(nèi)大部分LED 封裝企業(yè)為藍寶石襯底芯片配套,制約了硅襯底的大規(guī)模推廣。應加強引導和集中支持硅襯底上下游骨干企業(yè)開展戰(zhàn)略協(xié)作,進行聯(lián)合攻關,實現(xiàn)關鍵技術的集中突破。

二是推進硅襯底技術創(chuàng)新,提升芯片競爭力。硅襯底芯片和藍寶石襯底相比,在大功率芯片方面光效水平已經(jīng)接近,但是需要進一步優(yōu)化一致性、均勻性和可靠性等。同時,硅襯底的優(yōu)勢之一就是襯底面積不受限制,應加快襯底尺寸向6英寸甚至8英寸產(chǎn)業(yè)化推進,進一步降低制造成本,提升價格優(yōu)勢。

三是加強國產(chǎn)設備的應用推廣,實現(xiàn)硅襯底芯片的國產(chǎn)化滲透。支持硅襯底研發(fā)過程中關鍵成套國產(chǎn)設備的驗證與開發(fā),包括MOCVD設備、光刻機、刻蝕機、封裝設備等硅襯底各環(huán)節(jié)使用設備的配套研發(fā),集聚多方資源,有序推進國產(chǎn)硅襯底LED芯片的推廣應用,提升市場占有率。

加大應用市場拓展力度 開展硅襯底差異化品牌建設

一是挖掘細分市場,避免同質化競爭。硅襯底芯片主要應用在“一大一小”,即在大功率芯片和小尺寸芯片應用領域極具優(yōu)勢。大功率芯片方面應拓展室外特種 LED照明市場,鼓勵企業(yè)進一步找準隧道照明、路燈照明、景觀照明等不同細分應用領域的發(fā)展方向;小尺寸芯片方面應面向背光和顯示應用需求,發(fā)展液晶背光源和小間距顯示屏市場的應用。細化硅襯底芯片應用領域,避免和藍寶石芯片在相同應用上的低價惡性競爭。

二是瞄準新興應用,搶占發(fā)展先機。開拓硅襯底LED芯片在智能照明系統(tǒng)、生態(tài)農(nóng)業(yè)、醫(yī)療保健、汽車照明等領域的研發(fā)工作,鼓勵企業(yè)瞄準新型應用領域開展技術創(chuàng)新,搶占發(fā)展先機。支持舉辦硅襯底技術相關論壇,面向用戶需求,加大宣傳力度,增強使用者對硅襯底芯片的認知度和普及率。

三是創(chuàng)新商業(yè)模式,打造自主品牌。鼓勵硅襯底LED企業(yè)探索新型盈利模式,發(fā)揮互聯(lián)網(wǎng)的優(yōu)勢,線上銷售,線下體驗和服務,增強產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的合作。引導企業(yè)找準市場定位,從思想意識、制度建設和資金投入等幾方面入手,以創(chuàng)新為核心、以質量為生命、以市場為試金石、以政策為支撐,綜合采用多種方式,積極推進硅襯底芯片的品牌建設工作。

注重硅襯底知識產(chǎn)權保護 健全LED芯片質量檢測體系

一是創(chuàng)新驅動技術研發(fā),加強核心專利布局。

我國已經(jīng)擁有硅基LED芯片相關專利200多項,主要是發(fā)明專利。應進一步以創(chuàng)新驅動技術創(chuàng)新,申請專利,培育商業(yè)標志,完善自主知識產(chǎn)權。鼓勵企業(yè)重視專利布局,以硅襯底LED技術為核心,在外延生長、芯片制造、封裝及應用領域等多個方面布局專利網(wǎng),提升對國外的專利壁壘。

二是制定知識產(chǎn)權戰(zhàn)略,增強預警意識。

LED領域的專利戰(zhàn)一觸即發(fā),知識產(chǎn)權已經(jīng)成為一種競爭手段。應鼓勵企業(yè)有效利用知識產(chǎn)權,制定戰(zhàn)略體系,建立知識產(chǎn)權預警機制,監(jiān)測國外重點競爭對手的專利動態(tài)信息,降低企業(yè)研發(fā)前、中、后整個過程中的知識產(chǎn)權風險。

三是加強產(chǎn)品質量監(jiān)督,完善LED芯片檢測指標。

可以說目前市場上LED芯片質量良莠不齊,我們應依托于國家和地方質量監(jiān)督檢驗中心,加強市場規(guī)范與監(jiān)督,定期對LED芯片進行安全、節(jié)能、環(huán)保等方面指標檢查,對不達標企業(yè)進行公開曝光和處罰,督促企業(yè)加強自身管理和技術,提升產(chǎn)品質量。進一步建立具備國際先進水平的第三方檢測平臺,提升檢測能力和水平。

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