近日，浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院趙毅教授課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲器。這項基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝的工作，將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度，降低網(wǎng)絡(luò)芯片的制造成本，進而從理論上為“萬物互聯(lián)”打下基礎(chǔ)。同時，還可為數(shù)據(jù)“打上”標(biāo)簽，為未來物聯(lián)網(wǎng)社會增添更多想象。

這項研究第一作者為浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院碩士研究生張依，通訊作者為青年千人計劃入選者趙毅教授。

存儲器，顧名思義就是存儲信息的器件，內(nèi)容尋址存儲器是其中特殊的一種。早期的芯片中當(dāng)輸入一個網(wǎng)絡(luò)地址時，需要通過大量搜索找到對應(yīng)的接口，方可進行數(shù)據(jù)訪問。這一系列“小蝌蚪找媽媽”式的匹配過程中，效率是很低的;而內(nèi)容尋址存儲器就像讓存儲在其中的大量被尋找的“青蛙媽媽”喊出名字，實現(xiàn)快速的搜索與配對。

如何讓尋找這一過程的效率更高、時間更短，這是科學(xué)家們聚焦的重要問題。

研制“記憶二極管”

要讓尋找的時間短，首先要做到記得多、記得巧。

而常見的憶阻器就是一種典型的非易失性存儲，但問題在于普通的憶阻器數(shù)據(jù)輸入輸出不分端口，因此使得電路容易形成紊亂和干擾。如何能夠讓電流路徑單向?研究人員從生物的神經(jīng)突觸單向傳導(dǎo)中來防止信息干擾的特點尋找到靈感;希望基于已普遍應(yīng)用的二極管這種有相類似的單向傳遞特性的電子器件來實現(xiàn)相應(yīng)功能。

那么如何將無法單向的憶阻器和能夠單項的二極管合二為一?課題組通過大量實驗，找到鍺這一半導(dǎo)體材料。在之前的很多年里，趙毅課題組已對鍺在邏輯器件中的應(yīng)用有著深入的研究和探索。這次，他們利用鍺獨特的表面性質(zhì)，在鍺表面生長憶阻器材料，形成一種新的器件，趙毅課題組稱之為 “記憶二極管”。

趙毅說：“我們課題組研發(fā)的這個新器件，將原來需要一個電路才能做到的工藝，用一個器件就能實現(xiàn)其功能。”這種新器件大量縮小了芯片面積，在手機等小型化電子設(shè)備中，這樣的縮小可以為其他功能的實現(xiàn)“騰出”大量空間。趙毅課題組只需兩個記憶二極管就可構(gòu)成一個存儲單元，使用面積縮小幾十分之一。

實現(xiàn)了多和小，如何實現(xiàn)快呢?

常見的ip地址由多個字段組成，傳統(tǒng)“兩態(tài)對比”從0、1兩個維度開展一對一的搜索和比對。這種兩態(tài)對比，在小規(guī)模的數(shù)據(jù)中顯示不出劣勢，但當(dāng)數(shù)據(jù)達到一定量級就顯示出“手工”一般的低效。

而三態(tài)比對就顯示出其優(yōu)勢，通過0、1、X三個維度增強對比覆蓋率，“x相當(dāng)于是對相同字段的‘打包’，通過這種模糊處理可以縮短比對字段。”這三種狀態(tài)，則由記憶二極管的“開”“關(guān)”兩種狀態(tài)來組合實現(xiàn)，進而加快數(shù)據(jù)流通，有助于實現(xiàn)整體上網(wǎng)速度的加快。趙毅介紹，這種加速或許對例如一個區(qū)域內(nèi)只有一兩臺手機上網(wǎng)的情況無法顯現(xiàn)得那么明顯，但當(dāng)人口稠密時，其優(yōu)勢就可以得到顯現(xiàn)。

在物聯(lián)網(wǎng)社會“打標(biāo)簽”

目前芯片存儲技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機的內(nèi)存，但是斷電后數(shù)據(jù)會立即消失;第二類是非易失性存儲，例如U盤，寫入數(shù)據(jù)后無需額外的能量也可保存10年。

浙大研制出的記憶二極管陣列構(gòu)成的三態(tài)尋址存儲器，因為原始憶阻器就具有非易失性，因此整個尋址存儲器在休眠狀態(tài)中對能量幾乎無消耗。而由于較為簡單的構(gòu)造方式，其生產(chǎn)成本也較原先大大降低。

科學(xué)家應(yīng)用這兩大優(yōu)勢，對他們研制的新器件在未來的應(yīng)用展開了設(shè)想。

如這項存儲器技術(shù)還可以提高計算機領(lǐng)域科學(xué)家對“大數(shù)據(jù)”的處理能力，通過對數(shù)據(jù)“打標(biāo)簽”，這樣讓搜索變得更為便捷。“ 現(xiàn)有的ip地址實際上就是一種標(biāo)簽，可以選擇通過ip將某個數(shù)據(jù)傳遞到某處。”趙毅介紹，“如果僅僅是引用現(xiàn)在的技術(shù)，要給每個數(shù)據(jù)打標(biāo)簽還有成本的門檻要過，而研制出的記憶二極管陣列構(gòu)成的三態(tài)尋址存儲器就完全不用考慮成本。”

這項研究的論文被國際超大規(guī)模集成電路峰會(2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits)接收。這個會議是集成電路領(lǐng)域的頂級國際會議，在國際集成電路學(xué)術(shù)界以及工業(yè)界均享有很高的學(xué)術(shù)地位和廣泛影響。這也是浙大學(xué)者首次在Symposia on VLSI Technology and Circuits上發(fā)表論文。

該研究受到國家重點研發(fā)計劃與國家自然科學(xué)基金的支持。