數(shù)據(jù)的數(shù)量、速度?種類與價值，持續(xù)在大數(shù)據(jù) (Big Data)、快數(shù)據(jù) (Fast Data) 與個人數(shù)據(jù)之中倍數(shù)成長并持續(xù)演化，而全球各地為數(shù)眾多的消費者，都將透過智能型手機體驗這一波數(shù)據(jù)匯流風(fēng)潮。 面對這樣的需求，Western Digital也推出iNAND嵌入式閃存 (EFD) 產(chǎn)品系列，讓智能型手機用戶能夠享受現(xiàn)今由數(shù)據(jù)驅(qū)動的各種應(yīng)用與體驗。

新推出的iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式閃存，采用Western Digital 64層3D NAND技術(shù)以及UFS與e.MMC接口技術(shù)，提供數(shù)據(jù)效能與儲存容量。 用于智能型手機與輕薄運算裝置時，這兩款產(chǎn)品能加速實現(xiàn)以數(shù)據(jù)為中心的各式應(yīng)用需求，包括擴增實境 (AR)、高解析視訊的擷取、豐富的社群媒體體驗，以及近期崛起的人工智能 (AI) 與物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 「邊際」(edge) 體驗。

WD嵌入式與整合解決方案行動和運算產(chǎn)品線市場管理總監(jiān)包繼紅指出，除了360度影片及多鏡頭相機，行動應(yīng)用程序也開始采用人工智能技術(shù)提供更佳的體驗，推動智能型手機數(shù)據(jù)為中心的本質(zhì)至全新境界。 WD的iNAND解決方案，為現(xiàn)今密集的行動應(yīng)用程序及體驗，打造出最合適的數(shù)據(jù)環(huán)境，并支持其蓬勃發(fā)展。 結(jié)合Western Digital的X3 3D NAND技術(shù)，以及具備應(yīng)用感知(application-aware)的SmartSLC技術(shù)的全面提升，得以提供用戶更智能化的iNAND裝置。

iNAND 8521為旗艦行動裝置設(shè)計 展現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)效能

iNAND 8521嵌入式閃存專為對數(shù)據(jù)應(yīng)用有強度需求的用戶設(shè)計，采用UFS 2.1接口以及Western Digital最新的第五代SmartSLC技術(shù)，與前一代針對旗艦智能型手機所推出的iNAND 7232嵌入式閃存相比，連續(xù)寫入速度最高為其兩倍，隨機寫入速度最高可達10倍。 iNAND 8521嵌入式閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度，讓行動用戶能夠利用最新Wi-Fi速度，并在電信服務(wù)供貨商提供5G網(wǎng)絡(luò)時可以使用網(wǎng)絡(luò)增強技術(shù)。

iNAND 7550專為主流智能型手機所設(shè)計

iNAND 7550嵌入式閃存讓行動裝置制造商生產(chǎn)符合成本效益的智能型手機與運算裝置，提供充足的儲存空間，滿足消費者持續(xù)增加的數(shù)據(jù)需求，并同時提供快速的應(yīng)用程序體驗。 其采用e. MMC 5.1規(guī)格，連續(xù)寫入效能最高260 MB/s，隨機讀寫效能則分別為20K IOPS和15K IOPS3，讓iNAND 7550得以增強開機與應(yīng)用程序開啟時間。