紫光宏茂企業(yè)級3D NAND封測成功進入量產
1月7日,紫光集團官方微信公眾號發(fā)文,宣布旗下紫光宏ï微電子(上海)有限公司宣布成功實現大容量企業(yè)級3D NAND芯片封測的規(guī)模量產。
資料顯示,紫光宏ï的前身宏ï微電子(上海)有限公司原為臺灣南ï科技的全資子公司,2017年6月紫光集團通過旗下全資子公司西藏紫光國微出資收購其48%股權,成為其最大股東并實際主導經營。
2018年7月4日,宏ï微電子正式完成工商登記變更,公司名稱由“宏ï微電子(上海)有限公司”變更為“紫光宏ï微電子(上海)有限公司”。經過一系列戰(zhàn)略調整和轉型,紫光宏ï重點發(fā)展存儲器的封裝與測試。
根據紫光集團存儲芯片戰(zhàn)略規(guī)劃,紫光宏ï自2018年4月起開始建設全新3D NAND封裝測試產線,組建團隊、研發(fā)先進封測技術;2018年5月完成無塵室建置;2018年6月開始投片實驗;2018年9月完成產品初期驗證;2018年11月產品通過客戶內部驗證;2019年1月順利實現量產,正式交付紫光存儲用于企業(yè)級SSD的3D NAND芯片顆粒。
至此,紫光宏ï成為全系列存儲器封測的一站式服務提供商,產品包括3D NAND(Raw NAND,eMMC,UFS,eMCP,TF card)、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存儲器產品的封裝和測試。紫光集團表示,紫光宏ï企業(yè)級3D NAND芯片封測成功量產,標志著內資封測產業(yè)在3D NAND先進封裝測試技術實現從無到有的重大突破,也為紫光集團完整存儲器產業(yè)鏈布局落下關鍵一步棋。
目前,紫光集團在存儲器領域擁有長江存儲、西安紫光國芯、紫光存儲等系列子公司,涵蓋NAND Flash、DRAM等存儲產品的研發(fā)、制造、封測及模組等產業(yè)鏈布局。
2018年8月6日,長江存儲公開發(fā)布其突破性技術XtackingTM,該技術將為3D NAND閃存帶來前所δ有的I/O高性能,更高的存儲密度以及更短的產品上市周期,據悉長江存儲已成功將Xtacking技術應用于其第二代3D NAND產品的開發(fā)。
根據規(guī)劃,長江存儲將于2019年大規(guī)模量產64層堆棧的3D NAND閃存,傳聞2020年將跳過96層堆棧的3D閃存,直接量產128層堆棧的3D閃存。業(yè)界認為,紫光宏ï企業(yè)級3D NAND芯片封測的成功量產為長江存儲芯片規(guī)模上市做好最后的準備。