7月15日，匯豐駐韓國半導(dǎo)體及OLED產(chǎn)業(yè)分析師Ricky Seo表示，日韓貿(mào)易戰(zhàn)對存儲器產(chǎn)業(yè)的影響是好是壞，取決于僵局的延續(xù)時間。

Ricky Seo指出，若日韓貿(mào)易戰(zhàn)止于短期，那么存儲器廠在4到6個月內(nèi)庫存就會消耗完畢，缺貨可能導(dǎo)致價格急漲，這將對廠商有利。但若戰(zhàn)線被拉長，存儲器廠可能將會承受損失，因為終端需求將無法承受高漲的價格，進(jìn)而導(dǎo)致反向走弱。

近段時間以來，日韓貿(mào)易戰(zhàn)和旺季帶來了NAND Flash的漲價效應(yīng)。DRAM方面，南亞科總經(jīng)理李琣瑛曾表示，第三季度雖然銷售量以及需求有較第二季再回升，但目前原廠供應(yīng)商的庫存仍高，第三季度DRAM價格跌勢難止，但跌幅可能比第二季度的15%要小。

然而，據(jù)DRAMeXchange數(shù)據(jù)指出，7月10日為基準(zhǔn)，市面上的DDR4 8Gb(Gigabit)均價為3美元，和前一天相比上漲1.2%。

這是近十個月以來DRAM價格首次上漲，其本季度價格表現(xiàn)將與日韓貿(mào)易戰(zhàn)緊密關(guān)聯(lián)。所以，目前來看，整個存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)開始隨著庫存去化而回暖。