芯片廠商計劃到2007年晚些時候開始生產0.045微米工藝的芯片，他們接著將在兩年后將生產工藝推進到0.032 

　　微米。生產出來的這種芯片速度將更快、能耗量會更低、集成的晶體管更多、而且制造成本會也更低些。

　　盡管采用0.045微米工藝的手機芯片在性能提高30%的情況下，能耗量反而會降40%，而且消費者不需要擔心電池使用時間，可以在手機上玩游戲或看電視節(jié)目。然而，生產這種芯片將會是困難重重，而且廠商們不得不修改它們目前使用的基本材料和工藝。若有失誤就會意味著將落后于其競爭對手們幾個季度的時間。據德州儀器生產工藝部門的主管彼特表示，在向0.045微米工藝的過渡中會存在幾種使過渡比較艱難的因素，但對我們來說，這不是第一次首次遇到這樣的困難。

　　各大芯片廠商以及大學的研究人員將于本周出席IEEE贊助的2006 Symposium on VLSI Circuits。英特爾公司將在這次會議期間闡述由它開發(fā)的三柵極晶體管。據英特爾公司組件研究部門的主管邁克表示，在能耗量相同的情況下，三柵極晶體管的性能將提高35%。雖然這樣的原型產品已經被開發(fā)出來，但三柵極晶體管不會被應用在英特爾公司的0.045微米工藝中。他表示，我們認為0.032微米和0.022微米工藝用上三柵極晶體管還是很有機會的。但他對英特爾公司是否將會在0.045微米工藝中用金屬取代多晶硅方面拒絕發(fā)表評論。

　　同時，德州儀器公司將展示一個僅僅占用0.24 平方微米的0.045微米工藝的SRAM內存單元，到目前為止，它的這一尺寸與其它廠商的類似產品相比較小大約30%。它能夠減小SRAM單元尺寸的原因就在于它采用了浸沒光刻技術。另外，德州儀器公司還對其生產工藝中的許多別的方面進行了改進。它在采用浸沒光刻技術方面搶先于其競爭對手。IBM公司計劃在2、3年后的0.032微米工藝中采用其Nemo浸沒光刻技術；盡管計劃在0.045微米工藝中采用，但英特爾可能在0.032微米工藝中采用浸沒光刻技術。它計劃在2007年晚些時候向廠商交付0.045微米工藝芯片，它是第一批批在2005年末交付0.065微米工藝芯片的廠商之一；而德州儀器公司計劃在2007年晚些時候生產0.045微米工藝芯片樣品，商業(yè)化生產則需要等到2008年。Freescale公司計劃在這次會議上展示其據說可將芯片能耗量降低30%的硅絕緣技術。但它沒有表示是否會將這一技術應用于0.045微米工藝。AMD公司則計劃在2008年年中開始生產0.045微米工藝芯片。

　　據業(yè)界人士認為，摩爾定律將在0.022微米工藝芯片于2012或2014年問世后不再有效。到那時芯片廠商不得不采用晶體管之外的新結構傳輸信號，這由于繼續(xù)縮小晶體管在經濟上已經不再可行了。但也有許多人士認為，納米技術將使晶體管的壽命再次延長幾年時間。