TMS3.0VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低價(jià)位、低功耗數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了 50%。它的應(yīng)用對(duì)象大多是要求能脫機(jī)運(yùn)行的內(nèi)嵌式系統(tǒng)，如機(jī)頂盒（STB）、個(gè)人數(shù)字助理（PDA）和數(shù)字無(wú)線(xiàn)通信等。閃爍存儲(chǔ)器（FLASH MEMORY）是可以在線(xiàn)電擦寫(xiě)、掉電后信息不丟失的存儲(chǔ)器。FLASH與EPROM相比，具有更高的性能價(jià)格比，而且體積小、功耗低、擦寫(xiě)速度快、使用比較方便。因此，采用FLASH存儲(chǔ)程序和固定數(shù)據(jù)是一種比較好的選擇。AMD公司的Am29LV400B FLASH可以直接與DSP相接。

　　1 Am29LV400B的主要特點(diǎn)及編程方法

　　Am29AL400B是AMD公司新推出的256K×16位產(chǎn)品，具有以下主要特點(diǎn)：

　?。?）支持單電源操作，可分為滿(mǎn)負(fù)荷電壓供電（2.7V～3.6V）和電壓范圍可調(diào)節(jié)（3.0V～3.6V）和電壓范圍可調(diào)節(jié)（3.0V～3.6V）供電兩種方式。滿(mǎn)幅度電壓供電壓供電方式主要用于電池供電的應(yīng)用中，而電壓范圍可調(diào)節(jié)供電方式直接與3.3V的高性能DSP接口，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的電源要求。

　?。?）最快的存取速度高達(dá)55ns，CMOS工藝，具有100000次寫(xiě)入/擦寫(xiě)壽命。

　?。?）低功耗（200nA的自動(dòng)休眠電流，200nA的待命電流，7mA的讀電流，15mA的編程/擦除電流）。

　　（4）靈活的塊結(jié)構(gòu)支持整片擦除、塊擦除。整片分為11個(gè)塊（1塊8K字、2塊4K字、1塊16K字、7塊32K字）。

　?。?）塊保護(hù)功能，具有防止對(duì)任何區(qū)段進(jìn)行編程或擦除的硬件保護(hù)機(jī)制。

　　（6）與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)兼容，引腳分布和命令集與單電源FLASH相兼容，具有優(yōu)越的防止意外編程的保護(hù)功能。

　　（7）數(shù)據(jù)查詢(xún)位和數(shù)據(jù)切換位，可以通過(guò)軟件方法檢測(cè)編程/擦除操作的狀態(tài)。

　?。?）Ready/Busy#管腳，可以通過(guò)硬件方法檢測(cè)編程/擦除操作的狀態(tài)。

　?。?）具有擦除暫停/擦除恢復(fù)功能。在暫停擦除操作過(guò)程中，支持讀寫(xiě)不處于擦除狀態(tài)的塊。

　?。?0）內(nèi)嵌的擦除/編程算法能自動(dòng)對(duì)整個(gè)芯片或某幾個(gè)塊進(jìn)行擦除編程操作。

　　Am29LV400B編程和擦除算法的命令定義如表1所示。

　　表1 Am29LV400B命令定義

　　表中，RA為要讀的存儲(chǔ)器地址；RD為從存儲(chǔ)器地址RA處讀出的數(shù)據(jù)；SA為要擦除的段地址；PA為要寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器地址；PD為要在地址PA處寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。根據(jù)表中的命令定久可編制FLASH的“燒寫(xiě)”和“擦除”程序（用C語(yǔ)言和匯編語(yǔ)言混合編程實(shí)現(xiàn)）。根據(jù)需要，我們編制了“燒寫(xiě)”單字和“燒寫(xiě)”多字的程序。[!--empirenews.page--]

　　2 硬件電路組成

　　DSP 存儲(chǔ)區(qū)硬件接口電路如圖1所示。主要由5部分組成：DSP處理器-TMS320VC5409、系統(tǒng)邏輯控制電路（采用CPLD-EPM7128實(shí)現(xiàn)）、閃存FLASH-Am29LV400B（256K字的FLASH用來(lái)存儲(chǔ)應(yīng)用程序和初始化數(shù)據(jù)）、程序存儲(chǔ)器SRAM1-IDT71V416S12PH（容量為256K字）、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器SRAM2-IDT71V016S12PH（容量為64K字）。邏輯控制電路主要由3個(gè)模塊組成：FLASH頁(yè)選控制模塊、讀/寫(xiě)控制模塊、程序空間/數(shù)據(jù)空間/FLASH切換控制模塊。圖中，CPLD的輸出FMSEL為FLASH的片選腳；PMSEL為程序空間的片選腳； DMSEL為數(shù)據(jù)空間的片選腳。

　　FLASH分為8頁(yè)，每頁(yè)32K，通過(guò)CPLD中的FLASH頁(yè)選控制模塊（Page0～Paeg2）實(shí)現(xiàn)FLASH翻頁(yè)功能。為實(shí)現(xiàn)FLASH引導(dǎo)裝載，F(xiàn)LASH物理空間的前32K映射到TMS320VC5409的數(shù)據(jù)空間0x8000h～0xFFFFh上，即TMS320VC5409的數(shù)據(jù)空間 0x8000h～0xFFFFh為FLASH的前32K空間。為了重點(diǎn)說(shuō)明FLASH的引導(dǎo)裝載過(guò)程，本文只談及DSP片內(nèi)程序存儲(chǔ)空間以及FLASH前 32K字的使用情況。

　　3 TMS320VC5409 DSP的引導(dǎo)裝載方式

　　TMS320VC5409芯片具有兩種引導(dǎo)方式：片內(nèi)引導(dǎo)方式和片外執(zhí)行方式。片內(nèi)引導(dǎo)方式就是利用片內(nèi)ROM中的引導(dǎo)程序?qū)⒊绦驈耐獠考虞d到程序存儲(chǔ)器中運(yùn)行。由于FLASH的速度較低，難以與DSP相匹配，因此，本文采用片內(nèi)引導(dǎo)方式。

　　TMS320VC5409 片內(nèi)掩模ROM中固化的引導(dǎo)裝載（Bootloader）程序用于在上電復(fù)位時(shí)把用戶(hù)程序從外部引導(dǎo)到高速RAM中，以保證其全速運(yùn)行。 TMS320VC4509提供的片內(nèi)引導(dǎo)方法有：有機(jī)口HPI方法、8位或16位并行EPROM方法、8位或16位并行I/O方法和8位或16位串行口方法等。TMS320VC5409片內(nèi)引導(dǎo)裝載源程序可以在TI網(wǎng)絡(luò)下載得到，讀者可以自行分析。下面通過(guò)圖2所示的引導(dǎo)過(guò)程框圖，闡述一下本文選用的并行引導(dǎo)方式過(guò)程。

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　　上電復(fù)位后，TMS320VC5409檢測(cè)其MP/MC引腳，如果MP/MC="0"，DSP從0xFF80h處開(kāi)始執(zhí)行片內(nèi)引導(dǎo)裝載程序。進(jìn)入引導(dǎo)程序后，如有INT2請(qǐng)求中斷，則進(jìn)入HPI 引導(dǎo)方式；如有INT3請(qǐng)求中斷，則進(jìn)入EEPROM串行口引導(dǎo)方式；否則就進(jìn)入并行引導(dǎo)方式。其詳細(xì)引導(dǎo)過(guò)程如圖3所示。

　　片內(nèi)并行引導(dǎo)方式前半部件是I/O空間并行引導(dǎo)方式，我們不采用此方式，程序繼續(xù)運(yùn)行直到從數(shù)據(jù)空間0xFFFFh地址讀入一個(gè)地址數(shù)據(jù)，此數(shù)據(jù)為用戶(hù)自舉表的入口地址。這時(shí)片內(nèi)引導(dǎo)程序就開(kāi)始執(zhí)行FLASH中的用戶(hù)自舉表，若自舉表的第一個(gè)字是0x10AA,則表示是16位并行引導(dǎo)模式。

　　4 FLASH中自舉表（Boottable）的存儲(chǔ)格式

　　為了實(shí)現(xiàn)DSP加電自舉，F(xiàn)LASH的數(shù)據(jù)必須按照自舉表的格式“燒寫(xiě)”。自舉表的作用是：DSP運(yùn)行此表時(shí)，首先根據(jù)自舉表中前部分用戶(hù)起始地址把后面的用戶(hù)程序代碼加載到DSP片內(nèi)程序空間中相應(yīng)的用戶(hù)地址區(qū)域（由于FLASH與DSP時(shí)間不匹配，要設(shè)置好SWWR和BSCR寄存器），然后根據(jù)自舉表中的程序入口址，在程序空間相應(yīng)的地址開(kāi)始運(yùn)行程序。表2為16位并行自舉的代碼結(jié)構(gòu)（自舉表在空間允許的情況下可以放幾個(gè)程序代碼段，為便于說(shuō)明，在此只說(shuō)明一個(gè)程序代碼段的情況）。

　　表2 并行自舉表的代碼結(jié)構(gòu)

　　下面結(jié)合一個(gè)實(shí)例，說(shuō)明利用hex500命令生成二進(jìn)制數(shù)據(jù)自舉表的方法。

　?。?）所編寫(xiě)的一個(gè)用戶(hù)程序名為myblink.C，在編譯鏈接成功后生成的輸出文件名為myblink.out；程序空間的開(kāi)始地址為0x1400h,程序執(zhí)行的入口地址為0x144Fh。利用hex500工具，生成文件名為myblink.hex的二進(jìn)制數(shù)據(jù)，hex500命令后添加如下條件：

　　mybilink.out ；要轉(zhuǎn)換的.out文件[!--empirenews.page--]

　　-a ;生成ASCII碼的形式

　　-e 0x144Fh ;程序空間中程序運(yùn)行的開(kāi)始

　　地址

　　-boot ；轉(zhuǎn)換成自舉表的形式

　　-bootorg PARALLEL ;并行格式

　　-byte ;按字節(jié)分配地址

　　-memwidth 16 ;系統(tǒng)存儲(chǔ)器字寬度為16位

　　-romwidth 16 ;ROM物理寬度為16位

　　-swwsr 0x7FFFh ;SWWSR設(shè)置軟件等待周期

　　-bscr 0xF800h ;BSCR設(shè)置段開(kāi)關(guān)控制寄存器值0xF800

　　-o myblink.hex ；輸出的二進(jìn)制數(shù)據(jù)文件名

　?。?）生成的進(jìn)制數(shù)據(jù)文件myblink.hex的數(shù)據(jù)為：

　　0x10AA 0x7FFF 0xF800 0x0000 0x144F 0x00D1 0x0000 0x1400 …（用戶(hù)程序代碼）… 0x0000；

　　前8個(gè)數(shù)據(jù)解釋分別為：

　　0x10AAh：16位并行尋址格式；

　　0x7FFFh：SWWSR初始值為0x7FFFh，因?yàn)镕LASH的運(yùn)行速度比DSP慢，等待7個(gè)周期；

　　0xF8000h:BSCR初始值為0xF800h;

　　0x0000h：自舉表程序入口的XPC=0；

　　0x144Fh:自舉表程序入口的地址=0x144Fh;

　　0x00D1h:自舉表程序的長(zhǎng)度=0xD1h；

　　0x0000h：自舉表起始地址XPC=0;

　　0x1400h：自舉表的起始地址=0x1400h。

　?。?）編寫(xiě)一個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換程序，把二進(jìn)制數(shù)據(jù)文件myblink.hex轉(zhuǎn)換為數(shù)組頭文件myblink.h。在CCS環(huán)境下，F(xiàn)LASH的“燒寫(xiě)”主程序包含此頭文件，編譯鏈接后通過(guò)仿真器下載到DSP中，運(yùn)行DSP，用戶(hù)程序就被“燒入”FLASH中了。

　　實(shí)際應(yīng)用是：在數(shù)據(jù)空間地址0xFFFFh（也就是FLASH的空間0xFFFFh）中“燒寫(xiě)”數(shù)據(jù)0x9000h(FLASH中存放的自舉表起始地址)，在FLASH的地址0x9000h開(kāi)始“燒入”用戶(hù)自舉表數(shù)據(jù)即myblink.h中的數(shù)組數(shù)據(jù)。

　　DSP 運(yùn)行情況是：依據(jù)第3節(jié)所述的引導(dǎo)裝載過(guò)程，經(jīng)過(guò)一系列的設(shè)置，使DSP尋址到數(shù)據(jù)空間地址0xFFFFh,得到自舉表的起始地址0x9000h,PC指針指向0x9000h,執(zhí)行自舉表的數(shù)據(jù)，根據(jù)自舉表寫(xiě)入信息，把后面的程序裝載入程序空間起始地址0x1400h(XPC=0)（這時(shí)通過(guò)仿真器查看程序空間0x1400h開(kāi)始的數(shù)據(jù)，與仿真器下載的myblink.out文件數(shù)據(jù)是一致的）。然后，DSP的PC指針指向程序入口地址0x144Fh (XPC=0)開(kāi)始執(zhí)行用戶(hù)程序，從而完成了DSP利用FLASH實(shí)現(xiàn)16位并行引導(dǎo)裝載的過(guò)程。