嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存廠商力旺電子日前宣布，正式推出全新反熔絲架構之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術NeoFuse，此技術瞄準先進工藝平臺，具備硅智財組件尺寸小與保存能力佳等特點，可滿足客戶產(chǎn)品在先進工藝產(chǎn)品之進階需求。

目前NeoFuse技術已在多家國際級晶圓代工廠之65奈米、55奈米、40奈米與28奈米等低功耗與高壓先進工藝通過組件技術驗證，預計將于今年Q3通過可靠性驗證并在Q4進入量產(chǎn)。延續(xù)在NeoBit技術開發(fā)的成功經(jīng)驗，NeoFuse技術的推出意味著力旺電子已將其單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術的布局版圖從成熟工藝進一步推展至先進工藝。

NeoFuse為全新反熔絲(antifuse)架構之單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術，利用編程過程中的阻抗改變(impedance change)實現(xiàn)數(shù)據(jù)儲存功能，并藉由外圍電路的巧妙設計使NeoFuse IP具備低功耗、高可靠度與安全保密等特色。NeoFuse技術的特殊組件架構有效地降低工藝變異的影響，使得各內(nèi)存位的一致性大幅提高。相較于代工廠所提供的傳統(tǒng)eFuse，NeoFuse技術提供更小的組件與硅智財線路尺寸，無需以大電流熔燒，且在數(shù)據(jù)寫入后不會留下熔燒的痕跡，此外及資料留存能力高，故特別適合面積小、高儲存容量之應用，如(STB)、數(shù)字電視(DTV)與影像感測芯片(CIS ICs)等應用領域。

力旺電子之NeoFuse技術與標準制程完全兼容，無需加額外光罩，不會受限于傳統(tǒng)eFuse不易轉廠的限制，可協(xié)助客戶大幅減少制造成本。秉持著與NeoBit IP相同的設計概念，在先進制程上的NeoFuse IP不僅提供友善的操作界面，降低IP使用上的難度與電路復雜度，同時具備高度靈活的使用彈性，使客戶在系統(tǒng)上及產(chǎn)品應用階段均能進行數(shù)據(jù)寫入的動作。無論是提供程序代碼儲存( storage)、加解密碼儲存(encryption )、身份識別()或是電路調(diào)校( trimming)等，NeoFuse所提供的多樣化，完全符合客戶在芯片上的多元化需求。而針對相同編程內(nèi)容且需大量出貨的產(chǎn)品應用，力旺電子亦延續(xù)了建置在NeoBit平臺上的NeoROM方案，提供給客戶自NeoFuse轉成ROM的彈性空間。

力旺電子持續(xù)投入創(chuàng)新研發(fā)能量，積極布局嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術版圖，目前已有NeoBit、NeoFlash、NeoEE、NeoMTP與NeoFuse等涵蓋單次可程序與多次可程序之產(chǎn)品線，從成熟量產(chǎn)的工藝到先進工藝均具備最適合的，將能為客戶提供更完整且全方位的硅智財導入服務。迄今力旺電子已擁有國內(nèi)外專利超過330件，內(nèi)嵌力旺電子硅智財之量產(chǎn)晶圓片數(shù)已超過550萬片，是全球最被廣泛使用之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術之領導廠商。