20V P溝道器件具有低導通電阻和超薄PowerPAK® 1212-8S封裝

MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎" />

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的首款器件。

《今日電子》的編輯根據(jù)創(chuàng)新的設計、在技術或應用方面取得顯著進步，以及性價比的卓越表現(xiàn)，從前一年推出的數(shù)百款產(chǎn)品中進行評選。Vishay的Si7655DN MOSFET因其創(chuàng)新，以及在適配器、電池、負載開關和電源管理應用中取得的成功而入選。

《今日電子》Top-10電源產(chǎn)品獎在9月12日北京國賓酒店舉行的電源技術研討會上頒發(fā)。Vishay北京辦事處的銷售客戶經(jīng)理Alice Wei代表Vishay領獎。

普通中文版的獲獎產(chǎn)品名單見下面的網(wǎng)址：

http://m.dunminwenhua.com/wz/CRXDQWHFA/20130901/20130901.htm

Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領先P溝道Gen III技術，最大導通電阻為3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5 V)。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件高17%或更多。

Si7655DN的低導通電阻使設計者能夠在電路中實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，讓電池運行的時間更長。器件的PowerPAK 1212-8S封裝標稱高度只有0.75mm，比PowerPAK 1212封裝薄28%，可節(jié)省寶貴的電路板空間，同時保持相同的PCB布版樣式。