射頻技術(shù)(RF)是Radio Frequency的縮寫(xiě)。較常見(jiàn)的應(yīng)用有無(wú)線射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification，RFID)，常稱為感應(yīng)式電子晶片或近接卡、感應(yīng)卡、非接觸卡、電子標(biāo)簽、電子條碼等。其原理為由掃描器發(fā)射一特定頻率之無(wú)線電波能量給接收器，用以驅(qū)動(dòng)接收器電路將內(nèi)部的代碼送出，此時(shí)掃描器便接收此代碼。
RFID直接繼承了雷達(dá)的概念，并由此發(fā)展出一種生機(jī)勃勃的AIDC新技術(shù)——RFID技術(shù)。
射頻技術(shù)(RF)是Radio Frequency的縮寫(xiě)。較常見(jiàn)的應(yīng)用有無(wú)線射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification，RFID)，常稱為感應(yīng)式電子晶片或近接卡、感應(yīng)卡、非接觸卡、電子標(biāo)簽、電子條碼等。其原理為由掃描器發(fā)射一特定頻率之無(wú)線電波能量給接收器，用以驅(qū)動(dòng)接收器電路將內(nèi)部的代碼送出，此時(shí)掃描器便接收此代碼。
高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導(dǎo)體
晶圓分為無(wú)圖案晶圓(Bare Wafer)和圖案晶圓(Patterned wafer)?？紤]兩種晶圓的缺陷類型的出發(fā)點(diǎn)有些不同。晶圓表面的缺陷類型很多，既有可能是工藝產(chǎn)生也有可能材質(zhì)本身的缺陷。
半導(dǎo)體工業(yè)對(duì)于晶圓表面缺陷檢測(cè)的要求，一般是要求高效準(zhǔn)確，能夠捕捉有效缺陷，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)檢測(cè)。
隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片特征尺寸越來(lái)越小，互連層數(shù)越來(lái)越多，晶圓直徑也不斷增大。要實(shí)現(xiàn)多層布線，晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，而化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術(shù)，它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD / CVD 一起被稱為 IC 制造最核心的五大關(guān)鍵技術(shù)。
硅晶圓和硅太陽(yáng)能電池分別是半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件的典型代表。半導(dǎo)體特性參數(shù)衡量和表征材料及其器件的性能。
從20世紀(jì)30年代開(kāi)始，元素周期表中的化學(xué)元素中的半導(dǎo)體被研究者如貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利(William Shockley)認(rèn)為是固態(tài)真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀(jì)40到50年代被系統(tǒng)的研究。盡管元素周期表的一些III-V價(jià)化合物如砷化鎵應(yīng)用于特殊用途如：發(fā)光二極管、激光、太陽(yáng)能電池和最高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無(wú)缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時(shí)間。
集成電路英語(yǔ)：integrated circuit，縮寫(xiě)作 IC;或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學(xué)中是一種將電路(主要包括半導(dǎo)體設(shè)備，也包括被動(dòng)組件等)小型化的方式，并時(shí)常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。
最先進(jìn)的集成電路是微處理器或多核處理器的核心，可以控制計(jì)算機(jī)到手機(jī)到數(shù)字微波爐的一切。
以5G為代表的新一代信息通信技術(shù)與工業(yè)經(jīng)濟(jì)深度融合，為工業(yè)乃至產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化發(fā)展提供了新的實(shí)現(xiàn)途徑。
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