兩項(xiàng)常見的電應(yīng)力測(cè)試，靜電和浪涌，本節(jié)開始介紹應(yīng)對(duì)這兩項(xiàng)測(cè)試的無源保護(hù)器件TVS，有源器件保護(hù)器件請(qǐng)?zhí)D(zhuǎn)查看防護(hù)器件系列。
測(cè)量時(shí)選擇的耦合方式為直流，邊沿類型為下降沿，所測(cè)串口的電平為TTL 電平，該電平的串口在不傳輸數(shù)據(jù)時(shí)電平為高，靠拉低判斷起始位。
世界上只有兩種電子工程師：經(jīng)歷過電磁干擾的和沒有經(jīng)歷過電磁干擾的。伴隨著PCB信號(hào)頻率的提升，電磁兼容設(shè)計(jì)是我們電子工程師不得不考慮的問題。
廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。它可以隔離控制信號(hào)與被控信號(hào)，起到保護(hù)電路的作用，同時(shí)還具有隔離電氣噪聲、防止電氣干擾等作用。
光耦作為一種光電轉(zhuǎn)換器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。它可以隔離控制信號(hào)與被控信號(hào)，起到保護(hù)電路的作用，同時(shí)還具有隔離電氣噪聲、防止電氣干擾等作用。
電壓比較器是一種電子電路，用于比較兩個(gè)輸入電壓的大小關(guān)系，并根據(jù)比較結(jié)果輸出高電平或低電平信號(hào)。它通常由電源、兩個(gè)輸入端(一個(gè)為參考輸入端，另一個(gè)為信號(hào)輸入端)和一個(gè)輸出端組成。
本文中，小編將對(duì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
以下內(nèi)容中，小編將基于NMOS管和PMOS管制作一款開關(guān)控制電路，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)NMOS管和PMOS管以及開關(guān)控制電路的了解，和小編一起來看看吧。
可編程振蕩器構(gòu)建方法將是本文的主要介紹內(nèi)容，通過這篇文章，小編希望大家可以對(duì)可編程振蕩器構(gòu)建方法的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
在這篇文章中，小編將對(duì)運(yùn)算放大器需具備的真正跨越失真電源的晶體管設(shè)計(jì)予以介紹，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
上篇文章中，小編對(duì)基于FIFO實(shí)現(xiàn)超聲測(cè)厚系統(tǒng)的硬件選擇和接口設(shè)計(jì)有所介紹。在這篇文章中，我們接著來看該系統(tǒng)的時(shí)序設(shè)計(jì)。
在下述的內(nèi)容中，小編將基于用FIFO實(shí)現(xiàn)超聲測(cè)厚系統(tǒng)A/D與ARM接口設(shè)計(jì)。如果這是您想要了解的內(nèi)容之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET驅(qū)動(dòng)電路的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
SiC功率元器件中浪涌抑制電路設(shè)計(jì)將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過這篇文章，小編希望大家可以對(duì)它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
在這篇文章中，小編將對(duì)差分電路的電路構(gòu)型與計(jì)算的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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