以下內(nèi)容中，小編將基于NMOS管和PMOS管制作一款開關(guān)控制電路，希望本文能幫您增進對NMOS管和PMOS管以及開關(guān)控制電路的了解，和小編一起來看看吧。

一、NMOS管和PMOS管

NMOS管是N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負電荷的數(shù)量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數(shù)值越大。

二、基于NMOS管和PMOS管制作開關(guān)控制電路

01 MOS管導通截止原理

NMOS管的主回路電流方向為D—>S，導通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。

PMOS管的主回路電流方向為S—>D，導通條件為VGS有一定的壓差，如 -5V（S電位比G電位高）。

02 MOS管做上管和下管

1）NMOS當下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導通或截止，因為MOS管導通的條件取決于VGS的壓差。

2）NMOS當上管，D極（漏極）接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導通的G極電壓，因為S極對地的電壓有兩種狀態(tài)，NMOS關(guān)截止時為低電平，導通時接近高電平VCC。

3）PMOS當上管或下管原理一樣。

4）通常使用PMOS做上管，NMOS做下管。

03 NMOS管應(yīng)用

使用NMOS當下管，S極直接接地，只需將G極電壓固定值為5V即可導通（該5V視MOS管型號而定）

04 PMOS管應(yīng)用

使用PMOS當上管，S極直接接電源VCC（5V），只需將G極電壓固定值為0V即可導通。

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)淼乃薪榻B，如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容，不妨在我們網(wǎng)站進行探索哦。