張忠謀臺(tái)積電:28nm營(yíng)收三級(jí)跳
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示,由于使用者對(duì)于諸如智慧型手機(jī)或平板電腦等行動(dòng)裝置產(chǎn)品的功耗與效能要求日益嚴(yán)苛,因此促使28nm制程的需求量有增無減;臺(tái)積電透過中科十五廠產(chǎn)能調(diào)節(jié)后,已可較上半年提供客戶更多28nm產(chǎn)能,并同時(shí)加速擴(kuò)大此一產(chǎn)品線的營(yíng)收。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀指出,為進(jìn)一步拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的領(lǐng)先差距,臺(tái)積電明年的資本支出規(guī)畫目標(biāo)將著重于20奈米產(chǎn)品線。
張忠謀進(jìn)一步指出,與上一季相比,臺(tái)積電第二季整體營(yíng)收成長(zhǎng)近24.4%,合并營(yíng)收為新臺(tái)幣1,280.61億元;其中,28nm制程的營(yíng)收貢獻(xiàn)達(dá)7%,且可望于第三季時(shí)倍增至14%,第四季則一舉攀升為20%以上,并于2013年超越40nm產(chǎn)品線,成為公司新的營(yíng)收主力。
盡管臺(tái)積電戮力調(diào)節(jié)28nm產(chǎn)能已獲成效,但該公司主要客戶高通(Qualcomm)近日仍琵琶別抱,紛紛與三星(Samsung)、聯(lián)電、格羅方德(GlobalFoundries)等晶圓廠進(jìn)行產(chǎn)能合作,擴(kuò)大其28奈米晶片的供貨來源。
事實(shí)上,挹注臺(tái)積電28nm產(chǎn)品營(yíng)收成長(zhǎng)不光只單靠行動(dòng)裝置晶片,亦包含現(xiàn)場(chǎng)可編程閘陣列(FPGA)業(yè)者。其中,賽靈思(Xilinx)于7月19日宣布旗下首批采用臺(tái)積電高效能/低功耗(HPL)技術(shù)的Artix-7元件已開始正式出貨,此一28奈米系列產(chǎn)品將應(yīng)用于可攜式醫(yī)療設(shè)備、掌上型無線電設(shè)備與小型基地臺(tái)(SmallCell)等裝置,預(yù)計(jì)2013年第一季開始量產(chǎn),預(yù)期可為臺(tái)積電挹注相當(dāng)可觀的代工業(yè)務(wù)營(yíng)收。
此外,臺(tái)積電20nm制程則預(yù)計(jì)年底時(shí),產(chǎn)能準(zhǔn)備即可到位,并將在2013年開始量產(chǎn)。
張忠謀強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電在20奈米系統(tǒng)單晶片(SoC)的品質(zhì)遙遙領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,對(duì)于專注于行動(dòng)裝置市場(chǎng)的客戶而言,此一制程技術(shù)將可大幅降低終端產(chǎn)品的功耗,并且進(jìn)一步提升整體效能。而明年的設(shè)備資本支出目標(biāo)規(guī)畫的重點(diǎn)則將從今年的28奈米轉(zhuǎn)為20奈米產(chǎn)品線,預(yù)估將于20132014年開始大量出貨。
至于16nm方面,預(yù)估在2015年開始量產(chǎn),目前正積極發(fā)展16奈米鰭式電晶體(FinFET)技術(shù),并且已與安謀國(guó)際(ARM)攜手合作研發(fā),雙方將進(jìn)行技術(shù)資訊共享與反饋,共同努力克服此一技術(shù)電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn),以因應(yīng)未來應(yīng)用處理器客戶的需求。
據(jù)了解,臺(tái)積電第二季先進(jìn)制程晶圓銷售的營(yíng)收占比為61%,其中40奈米產(chǎn)品線占28%,為目前的營(yíng)收主力;其次65奈米產(chǎn)品線則占26%,第三則是占7%的28奈米產(chǎn)品線。而其他包括90奈米0.35微米等成熟制程產(chǎn)品則是瓜分剩余的39%營(yíng)收比重。