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[導(dǎo)讀]摘要隨著便攜式終端產(chǎn)品處理能力的不斷提升以及功能的不斷豐富,終端產(chǎn)品的功耗也越來(lái)越大,因此待機(jī)時(shí)間就成為產(chǎn)品的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。由于便攜式終端設(shè)備受到體積的限制

摘要

隨著便攜式終端產(chǎn)品處理能力的不斷提升以及功能的不斷豐富,終端產(chǎn)品的功耗也越來(lái)越大,因此待機(jī)時(shí)間就成為產(chǎn)品的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。由于便攜式終端設(shè)備受到體積的限制,不能簡(jiǎn)單地通過(guò)不斷增加單節(jié)鋰電池容量來(lái)延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間,因此主電池+備電池的雙電池供電方案不啻成為延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間的優(yōu)選方案。本文介紹了基于充電管理芯片bq24161 以及ORing 控制芯片TPS2419 的雙電池供電方案的設(shè)計(jì),文中分析了雙電池供電方案的設(shè)計(jì)要求,給出了設(shè)計(jì)框圖以及原理圖,在此基礎(chǔ)上分析了充電管理電路、ORing 電路的具體設(shè)計(jì)方法,并且詳細(xì)分析了各部分電路的工作原理?;谒O(shè)計(jì)的電路,對(duì)其供電可靠性等性能指標(biāo)進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)試內(nèi)容包括在靜態(tài)負(fù)載電流以及動(dòng)態(tài)負(fù)載電流條件下,備電插入、拔出過(guò)程中對(duì)系統(tǒng)供電可靠性的測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明:該方案能夠在備電插入、拔出過(guò)程中保證系統(tǒng)供電的可靠性,并且能夠?qū)Τ潆姽芾黼娐愤M(jìn)行靈活管理,是一個(gè)適合于多種終端設(shè)備的雙電池供電解決方案。

1 概述

當(dāng)今智能手機(jī)、便攜式路由器等便攜式終端產(chǎn)品正朝著體積更小、厚度更薄以及重量更輕的趨勢(shì)發(fā)展。但是隨著便攜式終端產(chǎn)品處理能力的不斷提升以及功能的不斷豐富,其功耗卻越來(lái)越大。在電池技術(shù)沒(méi)有得到突破之前,主電池+備電池的雙電池解決方案就成為延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間較好的方案。主電池設(shè)計(jì)在機(jī)殼內(nèi)部,處于常在的狀態(tài),備電設(shè)計(jì)在機(jī)殼外部,可以隨意拔插?;谥麟姵?備電池的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),雙電供電方案的設(shè)計(jì)要求主要包括以下兩個(gè)方面:

1) 備電池在拔插過(guò)程中要保證系統(tǒng)供電的可靠性;

2) 備電池通路與主電池通路之間不會(huì)相互影響;

3) 對(duì)主電池以及備電池可以進(jìn)行靈活的充電管理。

圖1 給出了基于bq24161+TPS2419 的雙電池供電方案的設(shè)計(jì)框圖。主電池與備電池的充電管理分別由兩片充電管理芯片bq24161 進(jìn)行單獨(dú)控制。bq24161 是高集成度的帶有動(dòng)態(tài)路徑管理功能(DPPM)的單節(jié)鋰電池充電管理芯片。主處理器與 bq24161 通過(guò) 總線(xiàn)進(jìn)行通信,實(shí)現(xiàn)對(duì)主電池以及備電池的充電管理,其中包括對(duì)充電電流、充電電壓、狀態(tài)監(jiān)測(cè)與控制等功能的靈活控制。TPS2419 是適用于N+1 供電系統(tǒng)的ORing 電路控制器,它與低導(dǎo)通電阻N 溝道MOSFET 配合使用, 在獲得MOSFET 高效性能的同時(shí),也提供了ORing 二極管反向電流保護(hù)功能。TPS2419 通過(guò)對(duì)電源電壓以及系統(tǒng)電壓的檢測(cè)來(lái)打開(kāi)或者關(guān)斷對(duì)應(yīng)通路MOSFET。一方面TPS2419 及時(shí)打開(kāi)MOSFET 可以保證電源對(duì)系統(tǒng)供電的及時(shí)性和可靠性,另外一方面TPS2419迅速關(guān)斷MOSFET 可以防止及減小系統(tǒng)電壓到輸入端電源的反灌電流。ORing 電路冗余設(shè)計(jì)的特性保證了主電池與備電池電源通路互為備用的同時(shí),也保證了備電插拔過(guò)程中系統(tǒng)電壓的安全性及可靠性。

圖 1 基于bq24161+TPS2419 的雙電池供電方案框圖

2 電路設(shè)計(jì)方法分析

2.1 電路設(shè)計(jì)原理圖

圖2 基于bq24161+TPS2419 的雙電池供電方案原理圖

電路原理圖中U1、U2 是充電管理芯片bq24161,分別實(shí)現(xiàn)對(duì)主電池以及備電池的充電管理功能。U3、U4 是ORing 控制器TPS2419,實(shí)現(xiàn)主電池電源通路與備電池電源通路互為備用的雙電源供電結(jié)構(gòu)。

充電管理芯片bq24161 具有適配器檢測(cè)的功能,可以檢測(cè)到適配器的插入或者拔出。當(dāng)插入電源適配器或者USB 充電線(xiàn)后,bq24161 會(huì)有相應(yīng)的標(biāo)志寄存器置位,由于默認(rèn)配置下IN 輸入通道相對(duì)于USB 輸入通道享有更高的優(yōu)先級(jí),因此電流會(huì)從IN 輸入通道提供。Host 可以通過(guò)I2C 接口讀取U1、U2 充電管理芯片內(nèi)部寄存器的信息,并且通過(guò)I2C 接口實(shí)現(xiàn)對(duì)主電、備電充電管理的靈活控制。在使能充電之前需要配置的參數(shù)包括充電電壓、充電電流、充電終止電流、輸入限流、VIN-DPM的門(mén)檻值等。

Host 主機(jī)根據(jù)具體的需求控制U1、U2 充電使能或終止,可以同時(shí)使能主電、備電的充電,也可以控制主電、備電的充電優(yōu)先級(jí)。當(dāng)同時(shí)使能主電、備電的充電,如果適配器的輸入電流能力能夠同時(shí)滿(mǎn)足主電、備電充電的需求,那么U1、U2 可以按照配置的充電電流給主電、備電同時(shí)充電。如果電源適配器的電流不能同時(shí)滿(mǎn)足充電的需求,bq24161 的VIN-DPM功能就會(huì)被激活,會(huì)自動(dòng)減小輸入限流點(diǎn)以保證輸入電壓穩(wěn)定在所設(shè)置的VIN-DPM的門(mén)檻電壓,內(nèi)部寄存器DPM_STATUS 位也會(huì)置位,此時(shí)主、備電的充電電流都不能達(dá)到設(shè)定的值,此時(shí)Host 主機(jī)可以控制主電、備電的優(yōu)先級(jí),比如關(guān)斷備電充電讓主電先充電,主電充電完成后備電再開(kāi)始充電。

U3、U4 是ORing 控制器TPS2419,實(shí)現(xiàn)主電與備電互為備用的雙電源供電結(jié)構(gòu)。當(dāng)備電作為系統(tǒng)供電電源時(shí),在備電突然拔出的條件下,U3 能夠迅速打開(kāi)主電通路以保證系統(tǒng)電壓的可靠性。當(dāng)電壓較高的備電突然插入時(shí),U4 會(huì)打開(kāi)備電源通路,由備電提供系統(tǒng)供電。

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2.2 充電管理電路設(shè)計(jì)

bq24161 是高度集成的開(kāi)關(guān)型高效率單節(jié)鋰離子電池充電管理芯片,支持IN 和USB 雙通道輸入,最大充電電流可以達(dá)到2.5A。bq24161 具有基于輸入電壓的動(dòng)態(tài)功率管理功能(Vin-DPM)和動(dòng)態(tài)功率路徑管理功能(DPPM)。 其中VIN-DPM功能可以在充電器無(wú)法完全提供系統(tǒng)及充電電流能力的情況下, 自動(dòng)調(diào)整減小輸入電流門(mén)限值,使輸入端口電壓維持在一定的門(mén)檻值,防止適配器(或USB 電源)當(dāng)機(jī),另外Vin-DPM 的門(mén)檻值可以靈活地進(jìn)行編程設(shè)置。因此,bq24161 可與具有不同電流能力的適配器(USB 電源)配合使用。在DPPM 功能中,若SYS 電壓由于負(fù)載原因跌落到最小系統(tǒng)電壓(VMINSYS),bq24161 會(huì)自動(dòng)減小充電電流,以滿(mǎn)足系統(tǒng)的供電需求。如果充電電流減小停止充電后都滿(mǎn)足不了系統(tǒng)的供電需求,bq24161 會(huì)立即進(jìn)入補(bǔ)電模式,即電池向系統(tǒng)放電來(lái)滿(mǎn)足系統(tǒng)負(fù)載的需求,從而保證系統(tǒng)電壓的可靠性以及系統(tǒng)正常工作。因此,bq24161 能夠在保證系統(tǒng)供電可靠性的條件下,實(shí)現(xiàn)對(duì)電池的靈活充電管理,并且能夠在電池過(guò)放或者電池不在位的條件下保證系統(tǒng)的正常供電。

充電管理電路部分的線(xiàn)路設(shè)計(jì)主要包括U1 和U2。U1 實(shí)現(xiàn)對(duì)主電池的充電管理,U2 實(shí)現(xiàn)對(duì)備電池的充電管理,兩者充電管理部分設(shè)計(jì)參數(shù)基本相同,因此這里只對(duì)主電池管理電路即U1電路部分進(jìn)行討論。

當(dāng)前市場(chǎng)上的終端產(chǎn)品大多對(duì)外只設(shè)一個(gè)接口兼容USB 和適配器電源輸入。 因此本文設(shè)計(jì)中IN 和USB 輸入端口是連接在一起的,主處理器可以通過(guò)內(nèi)部寄存器來(lái)設(shè)置兩個(gè)電源輸入通道的優(yōu)先級(jí)來(lái)分別滿(mǎn)足適配器充電以及USB 充電的需求。由于bq24161 工作模式為開(kāi)關(guān)型, 因此需要在IN 端口以及USB 端口分別就近連接1uF 的輸入電容到地作旁路濾波作用。

對(duì)于功率電感的設(shè)計(jì),bq24161 推薦的功率電感的選擇范圍為1.5uH~2.2uH,為了盡量地減小紋波電流、提高效率,本設(shè)計(jì)選取2.2uH 的電感,其峰值電流計(jì)算如下:

      (1)

取VINMAX =10V ,VOUT = 4.2V , ILOAD(MAX ) = 2.5A計(jì)算峰值電流 IPEAK = 2.87A,因此選擇TDK LTF5022T-2R2N3R2 電感,其直流電流可以達(dá)到3.2A。

bq24161采用的是內(nèi)部補(bǔ)償方式,為了保證其工作穩(wěn)定性,要求輸出電容在10uF~200uF之間,本設(shè)計(jì)中選取10uF的陶瓷電容作為輸出電容。為了盡量減小開(kāi)關(guān)過(guò)程中高頻電流環(huán)路的面積,需要在PMIDI以及PMIDU引腳分別放置4.7uF的陶瓷電容。另外SYS引腳以及BAT引腳對(duì)地也需要放置1uF的陶瓷電容。另外如果設(shè)計(jì)場(chǎng)合對(duì)動(dòng)態(tài)響應(yīng)有要求,那么建議在SYS端對(duì)地增加容值至少為47uF的旁路電容,以提高充電管理電路動(dòng)態(tài)性能。

主處理器通過(guò) 總線(xiàn)與bq24161 之間進(jìn)行通信,實(shí)現(xiàn)對(duì)相關(guān)控制寄存器及狀態(tài)寄存器的配置和讀取。STAT 引腳是一個(gè)開(kāi)漏極輸出口,可以用來(lái)對(duì)bq24161 的工作狀態(tài)進(jìn)行顯示,設(shè)計(jì)中可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)LED 燈來(lái)顯示不同的工作狀態(tài),或者可以連接到主處理器的GPIO 口以供主處理器直接讀取。INT 引腳也是一個(gè)開(kāi)漏極輸出口,可以與主處理器的外部觸發(fā)中斷相連,當(dāng)報(bào)警發(fā)生時(shí)可以觸發(fā)主處理器的中斷,主處理器可以及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的報(bào)警處理。另外CD 引腳是硬件關(guān)斷控制,當(dāng)為“高”時(shí)bq24161 會(huì)設(shè)置在高阻抗模式下,主處理器可以根據(jù)需要對(duì)CD 引腳進(jìn)行靈活控制。

BGATE 引腳是用來(lái)提供PMOSFET Q1 的驅(qū)動(dòng)信號(hào),Q1 是可選擇性設(shè)計(jì),主要目的是為了在電池放電條件下優(yōu)化放電通路的性能。Q1 與bq24161 內(nèi)部的放電MOSFET 并聯(lián)使用,并聯(lián)后的導(dǎo)通阻抗更小,這樣就可以減小放電MOSFET 上的損耗,從而提高效率,延長(zhǎng)產(chǎn)品的續(xù)航時(shí)間。

本設(shè)計(jì)中,備電的充電管理電路硬件設(shè)計(jì)與主電相同,因此可以參考主電的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行設(shè)計(jì)。

2.3 ORing 電路設(shè)計(jì)

ORing 電路是通過(guò)兩片TPS2419 來(lái)實(shí)現(xiàn)的,TPS2419 是適用于N+1 供電系統(tǒng)的ORing 電路控制器,其精確的電壓檢測(cè)和可編程的關(guān)斷門(mén)限可以充分保證系統(tǒng)供電的靈活性和可靠性。其中A、C 引腳為電壓檢測(cè)輸入引腳,分別連接N-MOSFET 的源極和漏極,當(dāng)母線(xiàn)電壓VC 低于供電電壓VA,并且滿(mǎn)足V(A-C)>65mV 時(shí),TPS2419 會(huì)迅速打開(kāi)外部的N-MOSFET 管。當(dāng)母線(xiàn)電壓VC接近或者大于VA 供電電壓時(shí),TPS2419 會(huì)迅速關(guān)斷外部的N-MOSFET,切斷母線(xiàn)電壓 VC 與供電電壓VA 的通路。TPS2419 的關(guān)斷門(mén)檻電壓差V(A-C)可以由RSET 引腳電阻設(shè)置,默認(rèn)典型值為3mV(RSET 懸空)。

下面在備電突然插入或者拔出的情況下,針對(duì)不同的條件對(duì)TPS2419ORing 電路的工作原理進(jìn)行分析,圖3 是備電插入、拔出系統(tǒng)供電流程圖。

圖3 備電插入、拔出系統(tǒng)供電流程圖

1) 當(dāng)主電池給系統(tǒng)供電時(shí),插入備電,如果備電電壓滿(mǎn)足VBAT2_SYS-VSYS>65mV, 那么備電的TPS2419 會(huì)打開(kāi)外部的MOSFET,備電給系統(tǒng)供電,VSYS=VBAT2_SYS-Vdrop2,其中Vdrop2 是MOSFET 上的導(dǎo)通壓降。對(duì)于主電的通路來(lái)說(shuō),如果此時(shí)VBAT1_SYS-VSYS 滿(mǎn)足關(guān)斷條件,那么主電池通路的MOSFET 會(huì)關(guān)斷,由備電給系統(tǒng)供電,關(guān)斷過(guò)程中VSYS 電壓保持穩(wěn)定,能夠保證系統(tǒng)供電的可靠性。如果VBAT1_SYS-VSYS 不滿(mǎn)足關(guān)斷條件,那么主電的通路的MOSFET 仍然導(dǎo)通,此時(shí)主電備電的同時(shí)給系統(tǒng)供電。

2) 當(dāng)主電池給系統(tǒng)供電時(shí),拔出備電,因?yàn)榇藭r(shí)備電通路MOSFET 沒(méi)有打開(kāi),拔出備電對(duì)VSYS 沒(méi)有任何影響,VSYS 仍然由主電來(lái)提供。

3) 當(dāng)備電給系統(tǒng)供電時(shí),拔出備電。在拔出備電的過(guò)程中VSYS 電壓會(huì)有下降的趨勢(shì),當(dāng)VSYS 電壓跌落到主電通路VBAT1_SYS-VSYS>65mV 的導(dǎo)通門(mén)檻時(shí),主電回路的TPS2419會(huì)迅速打開(kāi)MOSFET,VSYS 電流由主電池來(lái)提供,由于TPS2419 能夠迅速打開(kāi),因此在整個(gè)切換過(guò)程中能夠保證VSYS 供電的可靠性。

綜合以上幾種條件下分析,表明本文中TPS2419 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的ORing 電路在備電突然插入或者拔出的情況下,能夠完全保證系統(tǒng)供電的可靠性。

下面先來(lái)分析討論一下主電通路TPS2419 電路的設(shè)計(jì),如圖3 所示。

圖4 主電池通路ORing 電路設(shè)計(jì)

TPS2419 的A、C 引腳電壓檢測(cè)輸入引腳,用來(lái)檢測(cè)外部MOSFET 上的壓降,分別連接MOSFET 的源極和漏極,分別連接470nF 的去耦電容。對(duì)于MOSFET 的選擇要考慮電壓等級(jí)、Rdson、尺寸、驅(qū)動(dòng)電壓等級(jí)以及成本等因素。本設(shè)計(jì)中采用CSD16412Q5A 型N-MOSFET,其VDS 電壓等級(jí)為25V,RDS(on) 只有13mΩ 。為了最大程度減小對(duì)TPS2419 內(nèi)部電源的干擾,BYP 引腳需要連接一個(gè)2.2nF 的去耦電容。GATE 引腳提供外部MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),其強(qiáng)健的驅(qū)動(dòng)能力可以使得TPS2419 在100-200ns 的時(shí)間里迅速的關(guān)斷外部MOSFET,為了防止過(guò)快的電流變化對(duì)電路的影響,需要GATE 引腳與MOSFET 的柵極之間串聯(lián)一個(gè)10 Ω ~200 Ω的電阻,本設(shè)計(jì)中選取30 Ω 電阻R13。RSET 引腳是用力設(shè)置MOSFET 的關(guān)斷門(mén)檻,如下式:

    (2)

負(fù)的關(guān)斷門(mén)檻可以防止由于總線(xiàn)上噪聲引起的誤關(guān)斷動(dòng)作,但也會(huì)造成大的反向電流;正的關(guān)斷門(mén)檻可以防止或減小反向電流,但是對(duì)噪聲的敏感度高, 易在輕載時(shí)不斷關(guān)斷、重起。由于本設(shè)計(jì)是針對(duì)電池的應(yīng)用,輸入電源噪聲很小,另外負(fù)載電流不太大,為了盡量防止反向電流引起的電池之間互充,可以設(shè)置關(guān)斷門(mén)檻為0mV,因此取 。

EN 引腳為T(mén)PS2419 的使能控制,為了最大限度的減小系統(tǒng)待機(jī)時(shí)候的靜態(tài)電流,當(dāng)系統(tǒng)處于待機(jī)條件下OREN1 信號(hào)拉低,TPS2419 處于不使能狀態(tài),靜態(tài)電流可以維持在最小,此時(shí)系統(tǒng)的供電經(jīng)過(guò)肖特基二極管D2 來(lái)提供。

圖4 是備電通路TPS2419 電路的設(shè)計(jì)

圖5 備電池通路ORing 電路設(shè)計(jì)

備電池通路與主電池通路TPS2419 電路設(shè)計(jì)基本相同,只是MOSFET 管的設(shè)計(jì)稍有區(qū)別。對(duì)于相同部分的電流這里不再贅述,只對(duì)MOSFET 部分進(jìn)行分析討論。如果在應(yīng)用中需要關(guān)斷備電池的放電,如果選用單MOSFET 的設(shè)計(jì),當(dāng)OREN2 設(shè)置TPS2419 處于不使能狀態(tài)時(shí),如果備電池電壓高于VSYS 時(shí),電流就會(huì)從外部MOSFET 的體二極管流向VSYS,從而不能斷開(kāi)備電的放電,因此這里需要采用對(duì)管的結(jié)構(gòu),這樣就可以完全切斷備電放電的通路。

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2.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析

測(cè)試電路在靜態(tài)負(fù)載以及動(dòng)態(tài)負(fù)載不同負(fù)載條件下,系統(tǒng)供電電壓VSYS 的穩(wěn)定性以及VBAT1_SYS 與VBAT2_SYS 之間是否相互影響:

1) 備電不在位,主電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS>VBAT2_SYS 條件下插入備電。過(guò)程中不存在主電、備電切換供電過(guò)程,測(cè)試VSYS 電壓的穩(wěn)定性以及備電對(duì)主電通路的影響;

2) 備電不在位,主電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS

3) 備電在位,主電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS>VBAT2_SYS,拔出備電。過(guò)程中不存在主電、備電切換供電過(guò)程,測(cè)試VSYS 的穩(wěn)定性以及備電對(duì)主電通路的影響;

4) 備電在位,備電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS

下面分為靜態(tài)負(fù)載電流以及動(dòng)態(tài)負(fù)載電流兩種情況,在不同工作條件下測(cè)試系統(tǒng)電壓VSYS的穩(wěn)定性以及VBAT1_SYS 與VBAT2_SYS 之間是否相互影響,其中:CH1-VSYS,CH2-VBAT1_SYS,CH3-VBAT2_SYS,CH4-ISYS。

1) 持續(xù)負(fù)載電流條件下測(cè)試

測(cè)試方法:VSYS 系統(tǒng)供電端上加恒定3A 靜態(tài)電流負(fù)載,在主電、備電供電條件下,測(cè)試備電插入、拔出過(guò)程中VSYS 電壓的穩(wěn)定性和穩(wěn)定性。

圖6 靜態(tài)負(fù)載備電插入 (VBAT1_SYS>VBAT2_SYS)

圖7 靜態(tài)負(fù)載備電插入 (VBAT1_SYS

圖8 靜態(tài)負(fù)載備電拔出( VBAT1_SYS>VBAT2_SYS)

圖9 靜態(tài)負(fù)載備電拔出( VBAT1_SYS

測(cè)試結(jié)果表明:在靜態(tài)電流負(fù)載條件下,備電的插入、拔出能夠保證系統(tǒng)電壓VSYS 電壓的穩(wěn)定性以及供電的可靠性,另外備電的插入、拔出不會(huì)對(duì)主電電源產(chǎn)生影響。

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2) 動(dòng)態(tài)負(fù)載電流條件下測(cè)試

VSYS 提供功率放大電路電源,功放工作在最大功率發(fā)射條件下,動(dòng)態(tài)負(fù)載電流在0~3A 之間持續(xù)變化,高低電流的持續(xù)時(shí)間均為500us,電流變化率為1A/us。測(cè)試備電插入、拔出過(guò)程中VSYS 供電的可靠性。

圖10 動(dòng)態(tài)負(fù)載備電插入 (VBAT1_SYS>VBAT2_SYS)

圖11 動(dòng)態(tài)負(fù)載備電插入 (VBAT1_SYS

圖12 動(dòng)態(tài)負(fù)載備電拔出 ( VBAT1_SYS>VBAT2_SYS)

圖13 動(dòng)態(tài)負(fù)載備電拔出 ( VBAT1_SYS

測(cè)試結(jié)果表明:在動(dòng)態(tài)電流負(fù)載條件下,備電的插入、拔出能夠保證系統(tǒng)電壓VSYS 電壓的穩(wěn)定性以及供電的可靠性,另外備電的插入、拔出不會(huì)對(duì)主電電源產(chǎn)生影響。

3 總結(jié)

本文主要分析了基于bq24161+TPS2419 的雙電池供電方案的設(shè)計(jì)方法,并且針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行了測(cè)試分析,測(cè)試結(jié)果表明該方案能夠滿(mǎn)足雙電池供電系統(tǒng)的要求,能夠應(yīng)用于智能手機(jī)、WIFI Router 等多種便攜式終端產(chǎn)品。

參考資料

1. bq24161 Data Sheet (slusao0)

2. TPS2419 Date Sheet (slva998b)

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8月30日消息,據(jù)媒體報(bào)道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對(duì)日本游戲市場(chǎng)的投資。

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8月28日消息,今天上午,2024中國(guó)國(guó)際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)開(kāi)幕式在貴陽(yáng)舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

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北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺(tái)與中國(guó)電影電視技術(shù)學(xué)會(huì)聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會(huì)上宣布正式成立。 活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng) NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

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